0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

各个存储单元之间的区别

嵌入式应用开发 来源:嵌入式应用开发 作者:嵌入式应用开发 2022-08-26 16:41 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

就基本的 SSD 存储单元而言,有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中,TLC 是最受欢迎的,不过,QLC 最终将取代它们。在 I/O 方面,有 SATA 和 NVMe。

最后,最新的 SSD 也基于 3D NAND/VNAND 技术。这可能会使 SSD 选择变得非常混乱。下面让我们来分解这些术语。

SLC、MLC、TLC 和 QLC:这些是存储单元,示意图如下所示:

pYYBAGMIht6ALOZZAABP2e9l6nw587.png

在 HDD 中,磁道是存储内存的构建块。在 SSD 中,相同的功能由单元提供,单元本质上是一个门电路。每个单元可以存储多少取决于 SSD 使用的单元类型。最受欢迎的是 SLC、MLC、TLC 和 QLC,这些代表单层单元、多层单元、三层单元和四层单元。

顾名思义,SLC SSD 中的单元每个单元只能存储一位,MLC 存储两个,TLC 存储三个,QLC 存储四个。虽然这似乎是一种“越大越好”的情况,但情况并非如此。使用 QLC 驱动器增加容量(以相同的价格)是最容易的,因为对于相同的存储量,它们需要的单元数是 SLC 驱动器的 1/4。

pYYBAGMIhwaACHAqAABncMrWHlY977.png

将多个位写入单个单元需要更多时间,这也会影响 SSD 的耐用性。这意味着 SLC SSD 实际上是最快和最可靠的,但它们要贵得多。大多数商用 SSD 为 TLC,它在性能、可靠性和成本之间提供了合理的折衷。

QLC 现在开始流行,虽然在速度和耐用性方面仍然落后于 TLC,但它便宜一些。这导致许多 OEM 在预制 PC 中使用它们,因此,在购买之前,请务必检查驱动器的耐用性(TBW 或最大写入 TB),并将其与其他基于 TLC 的选项进行比较。

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储单元
    +关注

    关注

    1

    文章

    66

    浏览量

    16685
  • SSD
    SSD
    +关注

    关注

    21

    文章

    3061

    浏览量

    121789
  • HDD
    HDD
    +关注

    关注

    0

    文章

    155

    浏览量

    28621
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    芯片烧录的原理

    存储单元结构 和 高压电子学 。以下是详细解析: 一、 物理基础:非易失性存储器(NVM) 芯片程序存储在 Flash存储器 (可重复擦写)或 OTP
    的头像 发表于 06-24 11:16 6655次阅读

    ASR1606 LTE Cat.1与SD NAND–––T-BOX智能基座的通信存储双擎

    ASR1606 采用先进的 22nm 制程工艺,将 CPU、Modem 通信单元、射频模块、Codec 音频单元、PSRAM & Flash 存储单元以及 PMU 电源管理模块高度集成于单
    的头像 发表于 06-17 18:00 1315次阅读
    ASR1606 LTE Cat.1与SD NAND–––T-BOX智能基座的通信<b class='flag-5'>存储</b>双擎

    布谷鸟科技ATU102数据存储单元产品介绍

    车载数据存储是自动驾驶汽车的“记忆中枢”,自动驾驶车辆在日常运行中需要对海量数据存储,这对车载存储系统的容量、安全及可靠性提出极高要求。
    的头像 发表于 05-14 11:23 851次阅读

    MCU存储器层次结构解析

           MCU的存储器层次结构通过整合不同性能与功能的存储单元,优化系统效率并满足多样化场景需求。其核心架构可分为以下层次: 一、寄存器层(最高速) 定位‌:集成于CPU内核中,直接参与运算
    的头像 发表于 05-09 10:21 561次阅读

    半导体存储器测试图形技术解析

    在半导体存储器测试中,测试图形(Test Pattern)是检测故障、验证可靠性的核心工具。根据测试序列长度与存储单元数N的关系,测试图形可分为N型、N²型和N³/₂型三大类。
    的头像 发表于 05-07 09:33 1083次阅读
    半导体<b class='flag-5'>存储</b>器测试图形技术解析

    RRAM存储,从嵌入显示驱动到存算一体

    电子发烧友网综合报道,RRAM(阻变存储器)存储是一种新兴的非易失性存储技术,它基于材料的电阻变化来存储数据。其存储单元通常由两个电极和中间
    发表于 04-10 00:07 1928次阅读

    存储技术探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的&quot;门道之争&quot;

    非易失存储:断电后数据不丢失 可重复编程:支持擦写操作(需先擦除后写入) 二进制操作:擦除后全为 1,写操作将 1 变为 0 核心差异 一、物理结构对比 NOR 特性 独立存储单元并联架构 支持随机
    的头像 发表于 03-18 12:06 1056次阅读

    S32G DMA和Noc之间区别是什么?

    当我阅读 S32G3 参考手册时,我对 S32G DMA 和 Noc 之间区别有疑问。由于 NoC 支持内核、外设和 SRAM 之间的通信,并且 DMA 还可以在内存块和 I/O 块之间
    发表于 03-17 08:25

    分布式存储和集中式存储有何区别

    存储产品千千万,选来选去怎么办? 戴小编来献妙策,匹配需求不为难!分布式存储和集中式储是存储系统中十分重要的两种架构类型,但这两者有何区别?适合怎样的业务需求?今天戴小编就来一一解答。
    的头像 发表于 02-28 10:56 2258次阅读

    DS28E80 1-Wire存储器技术手册

    DS28E80是一款用户可编程的非易失性存储器芯片。与浮栅存储单元相比,DS28E80采用了抗伽马辐射的存储单元技术。DS28E80有248字节的用户内存,这些内存以8字节为单位进行组织。单个块可以
    的头像 发表于 02-26 11:43 1051次阅读
    DS28E80 1-Wire<b class='flag-5'>存储</b>器技术手册

    闪速存储器的闪速是指什么,闪速存储器的速度比内存快吗

    存储器则通过引入创新的擦除编程电路技术和高速灵敏度放大器,实现了对所有存储单元的同时、快速擦除。这种高效的擦除速度,使得闪速存储器在数据更新和维护方面具有显著优势,因此被形象地称为“闪速”。
    的头像 发表于 01-29 15:14 1286次阅读

    QLC存储新里程:德明利探索高效存储之路,赋能数据时代新需求

    在大数据和人工智能时代,数据存储需求呈指数级增长,市场对存储媒介的性能、容量和能效提出了更高要求。随着闪存技术向高存储密度发展,一个存储单元可以存储
    的头像 发表于 01-21 16:00 1484次阅读
    QLC<b class='flag-5'>存储</b>新里程:德明利探索高效<b class='flag-5'>存储</b>之路,赋能数据时代新需求

    ADS8684与ADS8684A之间区别是什么?

    看了半天,看不出哪里不一样,求告知ADS8684 与 ADS8684A 之间区别
    发表于 12-23 06:09

    【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

    。 []()   NAND Flash 存储单元尺寸更小,存储密度更高,单位容量成本更低,块擦/写速度快, 具有更长的寿命,多应用于大容量数据存储,如智能手机、PC、平板电脑、U 盘、固态硬盘、服务器等领域
    发表于 12-17 17:34

    DAC8568输出时,各个通道之间有串扰问题如何解决?

    DAC8568输出时,各个通道之间有 串扰问题,如何解决?
    发表于 12-13 15:39