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NP2302FVR-J(20 v n沟道增强型MOSFET)

啊啊啊得得得 来源:啊啊啊得得得 作者:啊啊啊得得得 2022-07-18 17:01 次阅读

描述
NP2302FVR-J使用先进的海沟技术 提供优秀的RDS()、低门和高收费
超低密度细胞设计导通电阻。这个设备适合作为负荷开关或脉宽调制
应用程序。

一般特征
VDS =20V,ID =2A
RDS(上)(Typ) = 50 mΩ@VGS = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 68 mΩ@VGS = 2.5 v
 High 功率 和 电流 处理 能力
 Lead 免费 产品
 Surface 安装 包

应用程序
 PWM 应用 程序
 Load 开关

封装
 SOT-23

原理图

pYYBAGLVHuuAKW37AAALA5H-MHo171.png

标记和引脚分配

pYYBAGLVHyGAAwF1AAAbT3AhHwM555.png

订购信息

poYBAGLVIT6AZz9HAABX6s9s1Do381.png


审核编辑 黄昊宇

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