台积电2nm先进制程首次亮相
台积电2nm先进制程首次亮相
上个月，台积电度在北美技术论坛上宣布即将推出2nm芯片，将采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术，预计2025年实现量产。
据了解，台积电2nm芯片在性能和功效方面都有明显提升，与3nm芯片相比，性能提升10%-15%，能耗降低25%-30%。2nm芯片还使用了纳米片电晶体管与背面配电线路技术，可有效避免漏电损耗问题。
值得一提的是，台积电还将在2024年引入ASML最强光刻机，2025年开始用以制造芯片，可想而知，未来台积电更为先进的制程工艺将极度依赖High-NA EUV光刻机。
综合整理自Tech情报局、新智元
审核编辑：汤梓红
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