台积电2nm先进制程首次亮相
上个月,台积电度在北美技术论坛上宣布即将推出2nm芯片,将采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,预计2025年实现量产。
据了解,台积电2nm芯片在性能和功效方面都有明显提升,与3nm芯片相比,性能提升10%-15%,能耗降低25%-30%。2nm芯片还使用了纳米片电晶体管与背面配电线路技术,可有效避免漏电损耗问题。
值得一提的是,台积电还将在2024年引入ASML最强光刻机,2025年开始用以制造芯片,可想而知,未来台积电更为先进的制程工艺将极度依赖High-NA EUV光刻机。
综合整理自Tech情报局、新智元
审核编辑:汤梓红
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