IBM的2nm工艺的纳米片为3层堆栈,高度75nm,宽度40nm,栅极长12nm,纳米片高度5nm。2nm工艺在同样的电力消耗下,其性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。与7nm芯片还有哪些方面的不同。
1、IBM的2nm芯片,所有关键功能都是使用EUV光刻机进行刻蚀。而7nm芯片只有在芯片生产的中间和后端环节使用EUV光刻机,意味着2nm工艺对EUV光刻机拥有更高的依赖性。
2、2nm芯片相比7nm芯片,性能提升45%,能耗减少75%。手机续航时间增强至以前的四倍。
3、2nm芯片还可使手机电池寿命增加三倍,大大减少碳排放量。
4、2nm可促进智能化产业实现更加快速的发展,除用于手机上还可用在边缘计算和通信领域。
综合数码密探整合
审核编辑:郭婷
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