IBM在2nm制程芯片上采用了GAA环绕式栅极技术

IBM已正式发布了2nm制程工艺的芯片，这次IBM在2nm制程的芯片上用了一种叫GAA（Gate All Around）环绕式栅极的技术。

相比之下，该芯片对GAA工艺的应用实践，反而更具意义。

IBM这一创新或意味着先进制程芯片的架构从FinFET转向GAA工艺的趋势。这项技术最早是由三星先采用的，分为纳米线和纳米片结构，好处是能解决原先5nm工艺中遇到的漏电情况。

简单来说，这项技术让晶体管之间的密度更高，空间优化处理的更好，从而带来更强的算力。与GAA相对应的是FinFET（鳍式场效应晶体管），FinFET是芯片从22nm逐步进军7nm、5nm的关键工艺。

本质上，IBM的2nm并没有突破物理极限，而是采用了新的GAA架构，虽然可以通过增大晶体管节点的密度，来提升芯片的性能，但是这种解决方案也不是万能的，缺点也很明显。

如果找不到新的突破口的话，最坏的结果就是整个芯片行业可能会停滞不前。如果按照这个思路继续往下推导的话，IBM的2nm可能没有想象中的那么好，往往理论并不能代表实际表现。

本文整合自：OFweek、Ai芯天下

责任编辑：符乾江