第三代iPhone SE外观设计或将借鉴iPhone 11
天风国际分析师郭明錤发布了对于2021-2023年iPhone产品线与关键规格的预测报告，其中特别提到了小屏iPhone SE的变化。
郭明錤预计，苹果不会在今年上半年更新iPhone SE，而是要等到明年上半年。
根据他的看法，第三代iPhone SE并不会改变外观设计、扩大屏幕尺寸，而是和现在的4.7英寸款基本相似，最大的变化就是升级处理器，并支持5G。
不过，他并未明确，iPhone SE 2022具体会用哪一款处理器。
之前有曝料称，苹果今年会发布iPhone SE Plus，外观设计借鉴iPhone 11，屏幕扩大到6.1英寸，而且是刘海全面屏，并配置iPhone 11同款的1200万像素后置双摄，搭载最新的A14处理器，可能加入侧面指纹识别，不过没有5G。
但是看起来，这有点过于美好了。
责任编辑:pj
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
处理器
+关注
关注
68文章
20329浏览量
254837 -
iPhone
+关注
关注
28文章
13525浏览量
216901 -
苹果
+关注
关注
61文章
24613浏览量
208731 -
屏幕
+关注
关注
7文章
1243浏览量
57221
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
第三代特斯拉人形机器人将亮相，预计年产百万台
2月2日，特斯拉官方微博发布消息称，第三代特斯拉人形机器人，即将正式亮相。据官方消息，新机完全跳出现有供应链体系，从第一性原理出发重新设计，不用复杂编程，观察人类行为、听口头指令甚至看段视频，就能自主执行任务。
龙腾半导体推出全新第三代超结MOSFET技术平台
今天，龙腾半导体正式交出答卷 -- 基于自主工艺路线开发的全新第三代（G3） 超结 MOSFET技术平台。
高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用
高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理，具备高带宽、高精度和高分辨率，适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
Neway第三代GaN系列模块的生产成本
Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响，整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成：核心
发表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半导体产业合作大会
10月25日，第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席，盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
基本半导体B3M平台深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用
基本半导体B3M平台深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用 第一章：B3M技术平台架构前沿 本章旨在奠定对基本半导体（BASIC Semiconductor）B3M系列的技术认知
电镜技术在第三代半导体中的关键应用
第三代半导体材料，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现，正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中，电镜技术发挥着不可或缺的作用
第三代半导体的优势和应用领域
）和碳化硅（SiC），它们在电力电子、射频和光电子等领域展现出卓越的性能。本文将详细探讨第三代半导体的基本特性、优势、应用领域以及其发展前景。
瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析（1）
随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
英飞凌发布第三代3D霍尔传感器TLE493D-x3系列
近日，英飞凌的磁传感器门类再添新兵，第三代3D霍尔传感器TLE493D-x3系列在经历两代产品的迭代之后应运而生。
能量密度提升15%！TDK第三代电池量产在即
电子发烧友网综合报道 消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推进第三代硅阳极电池的量产进程，将出货时间从原计划的第三季度提前至 6 月底。 这款电池的核心技术在于将负极材料由传统石墨替换为硅材料
评论