三星半导体发布新一代高性能固态硬盘PM9A3 U.2

今年4月，三星半导体将为中国数据中心客户提供一款新一代高性能固态硬盘 －－ PM9A3 U．2。PM9A3 U．2支持PCIe 4．0，是三星半导体专为中国数据中心客户打造，此举彰显了三星半导体计划进一步加强与中国企业合作的决心。

三星半导体发布为中国数据中心客户打造的新款高性能固态硬盘

PM9A3 U．2支持PCIe 4．0，是三星半导体专为中国数据中心客户打造，此举彰显了三星半导体计划进一步加强与中国企业合作的决心。

PM9A3 U．2使用三星第六代3D闪存（V－NAND）技术，基于NVMe协议，完全符合开放计算项目（OCP）NVMe 云端固态硬盘规范，并能根据数据中心需求，在性能、电源效率、可靠性、安全性等方面，提供高级别的解决方案。

值得一提的是，在目前已量产的数据中心级固态硬盘产品中，PM9A3 U．2 实现了更高级别的随机写入性能，可满足中国客户的需求，更低的能耗有利于数据中心节省运营成本，有助于减少碳排放。

PM9A3 U．2搭载了支持PCIe 4．0技术的的全新控制器和三星第六代3D闪存（V－NAND）技术，并通过固件优化实现了200K IOPS的稳态随机写入性能，同比上一代产品PM983 U．2提升了4倍。

对中国运营数据中心的科技企业而言，随机写入速度尤为重要，相信PM9A3U．2出色的表现，能很好地满足这些客户的需求。

另外，PM9A3 U．2的4K稳态随机读取性能为1100K IOPS，顺序读取速度为6900MB／s，相对上一代产品PM983 U．2分别提升2．2倍和2．16倍；并且，在每瓦304MB／s的顺序写入性能表现中，与前代产品相比，能效比提高了61％。

三星半导体存储市场部总经理郑光熙先生（音译）表示：“PM9A3 U．2是三星首个采用第六代3D闪存（V－NAND）技术并支持 PCIe4．0的NVMe固态硬盘产品，符合中国数据中心客户运营所需的特定性能和功耗配置，我们期待着它成为中国数据中心客户的极佳解决方案。”

从量产PM9A3 U．2开始，三星半导体将继续加强与全球数据中心客户合作，不断推进新一代存储技术的发展和标准化，以迎接全面开放的5G时代和不断变化的生活方式。

性能和功耗数据基于三星内部测量结果并符合以下条件：

1）性能

随机性能测试工具使用的是FIO 2．1．3。操作系统为Linux RHEL 6．6（内核3．14．29），数据块大小为4KB（4，096字节），队列深度32，4个测试线程；顺序性能块大小为128KB（131072字节），队列深度为32，1个测试线程。实际性能可能会因使用条件和环境而异。

2） 功耗

功耗是通过SSD中连接器插头的12V电源引脚测量的。 活动功耗和空闲功耗定义为最高平均功率，即在100毫秒持续时间内的最大RMS平均值。 活动功耗的测量条件假定为100％顺序读写。

注释：

SSD：固态硬盘， RMS：均方根， NVMe：非易失性内存，

IOPS：每秒读写次数，MB／s：百万字节／秒

PCIe：高速串行计算机扩展总线标准

责任编辑：haq