据媒体报道,台积电将于2022年下半年开始量产3纳米芯片,单月产能5.5万片起,在2023年月产量将达到10.5万片。
据悉,台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管,而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同,三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。台积电预计 N3 将在 2022 年成为最新、最先进的节点。与 N5 相比,收益同样不大,性能仅提升 1.1-1.15 倍,功耗提升 1.25-1.3 倍。与 7 纳米相比,N3 在同样的功率下,性能应该提高 1.25 倍 - 1.35 倍,或者在同样的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。
责任编辑:pj
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
462文章
53559浏览量
459333 -
台积电
+关注
关注
44文章
5787浏览量
174816 -
晶体管
+关注
关注
78文章
10272浏览量
146338
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
多值电场型电压选择晶体管结构
,有没有一种简单且有效的器件实现对电压的选择呢?本文将介绍一种电场型多值电压选择晶体管,之所以叫电压型,是因为通过调控晶体管内建电场大小来实现对电压的选择,原理是PN结有内建电场,通过外加电场来增大或减小
发表于 09-15 15:31
【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+工艺创新将继续维持着摩尔神话
传统的平面场效应晶体管开始,经鳍式场效应晶体管、纳米片全环绕栅极场效应晶体管,向下一代叉形片和互补场效应
发表于 09-06 10:37
体硅FinFET和SOI FinFET的差异
在半导体制造领域,晶体管结构的选择如同建筑中的地基设计,直接决定了芯片的性能上限与能效边界。当制程节点推进到22nm以下时,传统平面晶体管已无法满足需求,鳍
下一代高速芯片晶体管解制造问题解决了!
,10埃)开始一直使用到A7代。
从这些外壁叉片晶体管的量产中获得的知识可能有助于下一代互补场效应晶体管(CFET)的生产。
目前,领先的芯片制造商——英特尔、台积
发表于 06-20 10:40
多值电场型电压选择晶体管结构
,有没有一种简单且有效的器件实现对电压的选择呢?本文将介绍一种电场型多值电压选择晶体管,之所以叫电压型,是因为通过调控晶体管内建电场大小来实现对电压的选择,原理是PN结有内建电场,通过外加电场来增大或减小
发表于 04-15 10:24
英特尔18A与台积电N2工艺各有千秋
TechInsights分析,台积电N2工艺在晶体管密度方面表现突出,其高密度(HD)标准单元的晶体管密度高达313MTr/mm²,远超英特
台积电2纳米制程技术细节公布:性能功耗双提升
显著提升,提升幅度高达15%。同时,在功耗控制方面,N2制程也展现出了卓越的能力,功耗降低了30%,能效得到了大幅提升。 N2制程技术的卓越表现得益于多项创新技术的应用。其中,环绕式栅极(GAA)纳米片晶体管技术的引入,使得
台积电2nm制成细节公布:性能提升15%,功耗降低35%
的显著进步。 台积电在会上重点介绍了其2纳米“纳米片(nanosheets)”技术。据介绍,相较于前代制程,N2制程在性能上提升了15%,功耗降低了高达30%,能效显著提升。此外,得益
台积电2纳米制程技术细节公布
15%的显著提升,同时在功耗上降低了高达30%,能效表现尤为出色。这一进步主要得益于环绕式栅极(GAA)纳米片晶体管以及N2 NanoFlex技术的创新应用。 其中,N2 NanoFlex技术为制程带来了显著的
台积电分享 2nm 工艺深入细节:功耗降低 35% 或性能提升15%!
下),同时其晶体管密度是上一代3nm制程的1.15倍。这些显著优势主要得益于台积电的全栅极(Gate-All-Around, GAA)纳米片晶体管
IBM与Rapidus在多阈值电压GAA晶体管技术的新突破
Rapidus 的 2nm 制程生产流程之中。 IBM 宣称,当制程推进到 2nm 阶段时,晶体管的结构会从长久以来所采用的 FinFET(鳍式场效应

台积电将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管?
评论