我国首个大规模微发光二极管芯片项目将在2021年顺利投产
据湖北省葛店经济技术开发区消息，三安光电 Mini/Micro LED芯片产业化项目预计明年三月项目将投产见效。这是我国首个大规模微发光二极管芯片项目，产品主要供应三星、华为、苹果等公司。
2019年7月，三安光电 Mini/Micro LED芯片产业化项目在葛店开发区正式开工，据当时鄂州发改委消息，三安光电Mini/MicroLED芯片项目，用地约756亩，总投资120亿元，总建筑面积47.77万平方米，将建成Mini/MicroLED氮化镓芯片、Mini/MicroLED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列的研发生产基地，预计将形成年产MiniLED芯片210万片、Micro LED芯片26万片、4K显示屏用封装产品84000台的研发制造能力。
项目分二期建设，建成达产后将形成具有自主知识产权、掌握核心技术、掌握行业话语权，具有重要国际影响力的Mini/MicroLED芯片产业生产基地，也将带来光电芯片、新一代功率器件、射频芯片和滤波器、Micro显示屏及其上下游产业链入驻聚集效应。
本次葛店经济技术开发区数据指出，项目建成达产后，预计氮化镓芯片系列年产161万片、砷化镓芯片系列年产75万片、4K显示屏用封装产品年产84000台。随着工程的推进，大型设备也将陆续进厂进行调试，为明年3月能够顺利投产做好准备。
责任编辑:tzh
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
led
+关注
关注
243文章
24440浏览量
687538 -
芯片
+关注
关注
462文章
53552浏览量
459300 -
显示屏
+关注
关注
30文章
4672浏览量
78703
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
Vishay VSMA1094750X02大功率红外发光二极管技术解析
Vishay VSMA1094750X02大功率红外发光二极管是星形产品组合的一部分，设有波长为940nm的红外发光二极管。Vishay VSMA1094750X02设计采用双堆叠发射器芯片。该器件
VSMA1085750X02大功率红外发光二极管技术解析与应用指南
Vishay VSMA1085750X02大功率红外发光二极管属于星形产品组合的一部分。 Vishay VSMA1085750X02是一款850nm红外发光二极管，具有双堆叠发射器芯片，可实现最大辐射功率。该器件采用42毫米
洲光源红外发射二极管ZIR0342C概述
红外发射二极管 ZIR0342C 是一种高辐射发光二极管，透明的封胶外形。该材料与光电晶体管、光电二极管和红外接收模块进行配对。
Micro LED微发光二极管：改进纳米材料成为下一代显示技术的核心
台面尺寸小于100微米的微发光二极管（Micro-LED），与液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等主流显示技术相比，具有响应速度快、寿命长、亮度高和可靠性强等优点。特别是随着近年来增强
在薄膜框架上提供的 PIN 二极管芯片 skyworksinc
电子发烧友网为你提供()在薄膜框架上提供的 PIN 二极管芯片相关产品参数、数据手册，更有在薄膜框架上提供的 PIN 二极管芯片的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，在薄膜框架上提供
发表于 07-15 18:35
硅肖特基二极管芯片 skyworksinc
电子发烧友网为你提供()硅肖特基二极管芯片相关产品参数、数据手册，更有硅肖特基二极管芯片的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，硅肖特基二极管芯片真值表，硅肖特基二极管芯片管脚
发表于 07-14 18:32
Hyperabrupt Junction Tuning 变容二极管芯片 skyworksinc
电子发烧友网为你提供()Hyperabrupt Junction Tuning 变容二极管芯片相关产品参数、数据手册，更有Hyperabrupt Junction Tuning 变容二极管芯片的引脚
发表于 07-11 18:31
发光二极管的问题（有偿问答）
各位大佬，本人小白一个，想请大佬指导一下。
一个12v电源，点亮三颗5mm940发光二极管，要让二极管达到最亮还不伤害灯珠，需要什么元件，怎么连接？（手上有:18650电池，220欧0.25瓦电阻
发表于 01-06 14:44
1310 nm和1550 nm超辐射发光二极管SLD
SLD 二极管(超级发光二极管)是 OCT(光学相干断层扫描)、FOG(光纤陀螺仪)以及任何其他需要低相干性和高亮度的研发应用的理想解决方案。当订购以下任意4种交钥匙 SLED 二极管驱动器(作为
发光二极管工作当中的电压电流具备哪些参数
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物半导体材料制成的，其核心是PN结。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。这种发光过程是在PN结附近的少子扩散区内进
工商网监
评论