长沙三安第三代半导体项目厂区“心脏”封顶

10月7日消息，据长沙晚报报道，总投资160亿元的长沙三安第三代半导体项目国庆长假期间未停工，其中为主厂房提供动力的主要辅助建筑——C2综合动力站日前已率先完成封顶。同时，项目最大单体建筑M2B碳化硅芯片生产厂房全面进入主体施工收尾阶段。

施工现场，项目工地内多个建筑主体已初现雏形，工人们正穿着雨衣进行施工作业，或搭设脚手架，或绑钢筋、支模板，现场“抓进度 保质量 确保三安明年6月试产”的标语格外显眼，工人叮叮当当的敲打声、机械设备作业的轰鸣声回荡在工地上。

中建五局三公司三安项目负责人周祥介绍，C2综合动力站建筑面积约1万平方米，是厂区的“心脏”，主要包括热水系统、冷却水系统、压缩空气系统、发电系统等。“除了动力站封顶，项目最大单体建筑M2B碳化硅芯片生产厂房全面进入主体施工收尾阶段。”周祥说，凭借过硬的专业技术，项目部近日顺利完成了M2B碳化硅芯片生产厂房华夫板浇筑，这也是厂房最难的施工部分。据悉，M2B碳化硅芯片厂房是该项目一标段30个单体中建筑面积最大、洁净等级要求最高的厂房。

今年6月16日晚间，三安光电发布公告称，计划以现金投资160亿元，在湖南省长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。

据公告介绍，该项目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额160亿元。

6月15日，三安光电已与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》。根据计划，三安光电将在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。

对于具体开发建设的产品，三安光电方面表示，主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等。对于此次投资，三安光电方面认为：“第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。”

7月20日，长沙三安第三代半导体项目正式开工。据长沙高新技术产业开发区管理委员介绍称，长沙三安第三代半导体项目，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

当前，第三代半导体材料及器件已成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体成熟商用材料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域具有重要的应用价值。

资料显示，三安光电早在2014年就已经通过投资三安集成发展砷化镓，成为大陆第一家研发与生产化合物半导体的厂商。2017年底，三安光电更斥资人民币333亿元，在福建泉州南安高新技术产业园区投资第三代化合物半导体材料。包含高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目；高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目等。2019年4月26日，三安光电发布公告称，拟投资120亿元在湖北省葛店经济技术开发区兴办Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体项目，主要生产经营Mini／Micro LED外延与芯片产品及相关应用的研发、生产、销售。2019年11月，三安光电宣布募资投入总投资金额138.05亿元的半导体研发与产业化项目（一期），该项目也涉及氮化镓芯片的研发、生产。目前，三安光电已经成为了国内第三代半导体的龙头企业。

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