芯动科技基于国产N+1新工艺的NTO流片验证成功

10月11日，中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技（INNOSILICON）发布：已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。

芯动科技持续聚焦全球先进工艺芯片IP和定制，拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术，多次在先进工艺上填补国内空白，核心技术支持了全球客户数十亿颗高端SOC量产。

自2019年始，芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，团队全程攻坚克难，投入数千万元设计优化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。

芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产IP生态共建的合作，为大量国内和全球客户实现从成熟工艺（55nm、40nm、28nm、22nm等）到先进工艺（如FinFET 14nm、12nm、7nm等）的不断跨越，在各先进工艺中规模IP授权和定制批量生产高端SOC，包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先进技术规模量产，连续多年获得中芯国际“最佳IP合作伙伴”奖。

如今，芯动科技基于国产N+1新工艺的率先里程碑NTO流片验证成功，为国产半导体生态链再立新功。

据悉，芯动微电子科技（珠海）公司由珠海大横琴集团有限公司等三大集团投资引入，并于2019年12月在珠海横琴揭牌成立“中国先进半导体一站式IP及定制量产中心”，持续助力珠海建设成为中国领先的半导体智能产业化基地。

关于芯动科技（INNOSILICON）

芯动是中国一站式IP和芯片定制生态赋能型领军企业。芯动团队厚积薄发，14年如一日持续聚焦全球先进工艺，多次填补国内空白，是国内唯一获得全球前六大代工厂签约支持、连续多年在国内市场份额遥遥领先的高速混合电路芯片技术提供商。在突破内存墙技术难题方面，芯动科技2018年在全球范围内比肩英伟达，率先攻克业内顶级的GDDR6高带宽显存技术瓶颈，成功量产高性能计算GPU产品。2019年推出了4K/8K显示的HDMI2.1技术和高速32Gbps SerDes Memory 等先进产品；今年又率先推出国产自主标准的INNOLINK Chiplet和HBM2E等顶尖高性能计算平台技术，支持高性能CPU/GPU/NPU芯片和服务器，国产定制图形GPU产品即将发布，一站式赋能国产自主高端芯片生态。
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