新思科技LPDDR6 IP已在台积公司N2P工艺成功流片

新思科技近期宣布，其LPDDR6 IP已在台积公司 N2P 工艺成功流片，并完成初步功能验证。这一成果不仅巩固并强化了新思科技在先进工艺节点 IP 领域的领先地位，同时也为客户提供可信赖的、经硅片验证的IP选择，可满足移动通讯、边缘 AI 及高性能计算等更高存储带宽需求的应用场景。

客户既能从最新发布的 LPDDR6 标准中获益，又能降低风险、实现高性能，并缩短产品上市时间。新思科技经验证的 N2/N2P 工艺 IP 产品组合如今新增了 LPDDR6，同时涵盖 USB 和 MIPI。这将为设计团队提供信心，助力其实现极具挑战性的功耗、性能和面积 (PPA) 目标。

新思科技接口IP工程高级副总裁Dino Toffolon表示：“我们很高兴能在台积公司N2P工艺上完成LPDDR6 IP的硅验证。这一成果不仅强化了我们在先进制程IP领域的领先地位，也为客户提供了可验证、可量产的可信方案。客户可在采用最新LPDDR6标准的同时，降低项目风险、加快产品上市进程。”

他进一步指出：“LPDDR6的发布，意味着高带宽、低功耗的存储接口正式迈入‘埃米级’（angstrom-scale）时代。通过与台积公司的深度合作，我们帮助客户顺利过渡至2纳米及以下工艺，让移动、边缘AI和高性能计算设备都能提前享受下一代内存带宽。”

通过拓展在高速接口领域的领先优势，新思科技助力打造兼具高带宽与高能效的芯片设计。新思科技与台积公司的紧密合作则帮助客户顺利过渡至埃米级工艺节点。随着 LPDDR6 在 N2P 和 N3P 工艺上得到支持，移动通讯、AI 推理、边缘计算和 HPC 领域的设备制造商，将能够以较低的风险充分利用下一代内存性能。