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中芯国际第二代FinFET N+1工艺已进入客户导入阶段

5qYo_ameya360 来源:皇华电子元器件IC供应商 作者:皇华电子元器件 2020-09-30 14:24 次阅读

华为被禁之后,国产替代成了半导体企业关注的重点。作为中国最大、技术最先进的半导体代工厂家,中芯国际被寄予厚望。

中芯国际于 2019 年实现了国内最先进的 14nm 工艺制程量产,并已为华为麒麟 710A 芯片等进行代工。 对此,中芯国际回应称,公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产,第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段,有望于2020年底小批量试产。在没有使用EUV光刻机的情况下,中芯国际实现了14nm以下的先进制造工艺,不能不说是一个突破性进展。

中芯国际目前在国内四个城市拥有多家晶圆厂,分别是上海的8英寸晶圆厂和12英寸晶圆厂,北京亦庄的12英寸晶圆厂一期和二期,天津和深圳各有一座8英寸晶圆厂。 作为一家纯代工企业,中芯国际目前可以向全球客户提供从0.35微米到14纳米工艺的代工生产服务,同时,还可以为客户提供从生产、封装到测试的一体化全方位晶圆代工解决方案。 目前,中芯国际的工艺技术主要分为三类:先进逻辑技术(14纳米、在研的N+1代工艺等)、成熟逻辑技术(28nm,40nm ,65nm/55nm ,90nm,0.13/0.11μm,0.18μm,0.35μm等),特殊工艺(Analog&Power ,DDICIGBT ,eNVM,NVM,Mixed Signal&RFMEMSIoT Solutions,Automotive等)。

在中芯国际的先进逻辑技术中,N+1代工艺是中芯国际对其第二代先进工艺的代号,但并未明确具体数字节点。不过从中芯国际透露的数据来看,其N+1代工艺比14nm工艺性能提升了20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%、SoC面积缩小55%。N+1代工艺的制程节点正在追赶7nm制程,因为从其芯片面积缩小一半这个数据来看,晶体管的集成度提升了一倍,而台积电从14nm到7nm工艺也就提升了1倍的密度。 按照中芯国际的回应,2020年底小批量试产N+1工艺,高端晶圆代工的国产替代指日可俟矣!

原文标题:无须EUV光刻机,中芯国际N+1代工艺年底试产

文章出处:【微信公众号:皇华电子元器件IC供应商】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

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