Intel 10nm产能正在加速 7nm工艺将成与友商保持平级的关键
AMD的锐龙处理器在去年的7nm Zen2架构上终于实现了赶超，在工艺及性能上都有优势，这是过去几十年来都很少见的。不过对Intel来说，官方对友商的竞争似乎轻描淡写，认为CPU份额下降是他们产能不足引起的。
Intel CFO首席财务官George Davis日前参加了摩根斯坦利的TMT大会，谈到了很多问题。
在他看来，Intel的CPU份额下滑主要原因跟他们自己有关，是由于产能不足导致的，尤其是在核心较少的低端市场上，因为Intel应对产能不足的一个策略就是优先保证高端酷睿/至强产品，奔腾、赛扬等低端CPU是最缺货的。
George Davis表示Intel今年内就会解决产能不足的问题，夺回之前失去的低端CPU市场——按照Intel之前的说法，他们的产能已经增加了25%，特别是紧缺的14nm工艺。
对于CPU市场，George Davis表态Intel无惧竞争压力，一方面是因为多年来Intel已经形成了足够的消费者忠诚度，稳定性不是那么容易动摇的。
其次，即便CPU性能上不如友商产品，那还要考虑整个平台的优势，比如支持某种特定的存储器或者特别的优化指令集，估计Intel指的是指傲腾以及AVX512及DL Boost AI加速指令等自家才有的优势。
此外，George Davis还谈到了未来的工艺发展，现在10nm产能正在加速，这是Intel恢复制程工艺领先的关键部分。
在未来，Intel还会在2021年推出7nm工艺，这一代工艺也非常重要，它不仅是工艺技术升级，也是在处理器性能上与友商保持平级的关键，而且还会是未来的5nm工艺的基础。
责任编辑：wv
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
处理器
+关注
关注
68文章
20327浏览量
254747 -
amd
+关注
关注
25文章
5705浏览量
140394 -
intel
+关注
关注
19文章
3510浏览量
191620
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
芯片制造中的硅片表面细抛光与最终抛光加工工艺介绍
硅片表面细抛光作为实现超精密加工的关键工序，其核心在于通过精准调控抛光布材质、抛光液成分及工艺参数，在5-8μm的加工量范围内实现局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm的极致控制
芯片制造中硅片的表面抛光加工工艺介绍
硅片表面抛光作为半导体制造中实现超光滑、无损伤表面的核心工艺，其核心目标在于通过系统性化学机械抛光（CMP）去除前道工序残留的微缺陷、应力损伤层及金属离子污染，最终获得满足先进IC器件要求的局部平整度≤10nm、表面粗糙度≤0.2nm
旋极星源基于22nm工艺完成关键IP发布与验证
的主流选择。旋极星源此次基于TSMC 22nm ULL及华力微电子22nm CMOS工艺，同步完成关键IP的发布与验证，为高性能低功耗芯片注入了核心动力。
脉锐光电980nm波段ASE宽带光源产品介绍
脉锐光电的980nm ASE宽带光源基于稀土掺杂光纤的自发辐射放大机制，在980nm中心波长处实现光谱宽度约10nm、输出功率达10mW的稳定输出。该光源兼具较高功率、优异的光谱平滑度
1.4nm制程工艺！台积电公布量产时间表
供应一度面临紧张局面。为应对市场激增的订单，台积电已启动新建三座工厂的扩产计划，旨在进一步提升产能，保障客户供应链的稳定交付。 与此同时，台积电在更尖端的1.4nm工艺研发上同样进展迅猛。公司正全力
国产芯片真的 “稳” 了？这家企业的 14nm 制程，已经悄悄渗透到这些行业…
的控制芯片，甚至工业设备的传感器，都能看到它的身影。
之前总担心国产芯片 “产能跟不上、良率不够高”，但查了下中芯国际的最新动态：2025 年 Q3 的 14nm 产能已经提升了 20%，良率稳定
发表于 11-25 21:03
“汽车智能化” 和 “家电高端化”
，对算力和稳定性要求极高。而车规芯片要通过 - 40℃~125℃的极端环境测试，7nm 工艺的低功耗、高可靠性刚好匹配需求。目前我国汽车芯片对外依赖度超 90%，高端计算芯片国产化率不足 20%，中芯
发表于 10-28 20:46
国产AI芯片真能扛住“算力内卷”？海思昇腾的这波操作藏了多少细节？
最近行业都在说“算力是AI的命门”，但国产芯片真的能接住这波需求吗？
前阵子接触到海思昇腾910B，实测下来有点超出预期——7nm工艺下算力直接拉到256 TFLOPS，比上一代提升了40%，但功耗
发表于 10-27 13:12
白光干涉仪在EUV光刻后的3D轮廓测量
EUV（极紫外）光刻技术凭借 13.5nm 的短波长，成为 7nm 及以下节点集成电路制造的核心工艺，其光刻后形成的三维图形（如鳍片、栅极、接触孔等）尺寸通常在 5-50nm 范围，高
AMD 7nm Versal系列器件NoC的使用及注意事项
AMD 7nm Versal系列器件引入了可编程片上网络（NoC, Network on Chip），这是一个硬化的、高带宽、低延迟互连结构，旨在实现可编程逻辑（PL）、处理系统（PS）、AI引擎（AIE）、DDR控制器（DDRMC）、CPM（PCIe/CXL）等模块之间的高效数据交换。
今日看点丨芯原股份计划收购芯来智融；消息称台积电加速 1.4nm 先进工艺
智融的估值尚未最终确定。 芯原股份目前持有芯来智融2.99%股权，通过本次交易拟取得芯来智融全部股权或控股权。本次交易的具体交易方式、交易方案等内容以后续披露的重组预案及公告信息为准。 消息称台积电加速 1.4nm 先进工艺
发表于 08-29 11:28
•2302次阅读
中国芯片发展现状和趋势2025
芯片）、紫光展锐（物联网芯片）、寒武纪（AI芯片）等企业进入全球TOP10设计公司榜单 国产EDA工具取得突破：华大九天实现28nm工艺全流程支持 短板：CPU/GPU等高端芯片设计仍依赖ARM/X86架构授权 制造环节 中芯国
台积电2nm良率超 90%！苹果等巨头抢单
当行业还在热议3nm工艺量产进展时，台积电已经悄悄把2nm技术推到了关键门槛！据《经济日报》报道，台积电2nm芯片良品率已突破 90%，实现
Intel-Altera FPGA：通信行业的加速引擎，开启高速互联新时代
、机器人等高增长领域。性能突破：如Agilex系列集成PCIe Gen5、CXL技术，提供高带宽、低延迟的互联能力。能效优化：通过先进制程（如10nm SuperFin）和架构创新，降低功耗并提升集成度
发表于 04-25 10:19
广明源172nm晶圆光清洗方案概述
在半导体制造中，清洗工艺贯穿于光刻、刻蚀、沉积等关键流程，并在单晶硅片制备阶段发挥着重要作用。随着技术的发展，芯片制程已推进至28nm、14nm乃至更先进节点。
评论