M57959L/M57962L厚膜驱动电路

M57959L/M57962L厚膜驱动电路

M57959L/M57962L厚膜驱动电路采用双电源（+15V，-10V）供电，输出负偏压为-10V，输入输出电平与TTL电平兼容，配有短路/过载保护和封闭性短路保护功能，同时具有延时保护特性。

其分别适合于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时，驱动效果和各项性能表现优良，但当其工作在高频下时，其脉冲前后沿变的较差，即信号的最大传输宽度受到限制。且厚膜内部采用印刷电路板设计，散热不是很好，容易因过热造成内部器件的烧毁。

日本三菱公司的M57959L集成IGBT专用驱动芯片它可以作为600V/200A或者1200V/100A的IGBT驱动。其最高频率也达40KHz，采用双电源供电（+15V和-15V）输出电流峰值为±2A，M57959L有以下特点：

（1）采用光耦实现电器隔离，光耦是快速型的，适合20KHz左右的高频开关运行，光耦的原边已串联限流电阻，可将5V电压直接加到输入侧。

（2）如果采用双电源驱动技术，输出负栅压比较高，电源电压的极限值为+18V/-15V，一般取+15V/-10V.

（3）信号传输延迟时间短，低电平-高电平的传输延时以及高电平-低电平的传输延时时间都在1.5μs以下。

（4）具有过流保护功能。M57962L通过检测IGBT的饱和压降来判断IGBT是否过流，一旦过流，M57962L就会将对IGBT实施软关断，并输出过流故障信号。

（5）M57959的内部结构如图所示，这一电路的驱动部分与EXB系列相仿，但是过流保护方面有所不同。过流检测仍采用电压采样，电路特点是采用栅压缓降，实现IGBT软关断避免了关断中过电压和大电流冲击;另外，在关断过程中，输入控制信号的状态失去作用，既保护关断是在封闭状态中完成的。当保护开始时，立即送出故障信号，目的是切断控制信号，包括电路中其它有源器件。