关于MOS-AK的性能分析和介绍

2017 在杭州电子科技大学举办的MOS-AK 器件模型国际会议，我们很欣喜得看到了国内对基础研究有很多投入的公司，它就是鸿之微科技(HZWTECH), 在这次会议上带来了对新材料，新器件和对器件性能表征有挑战性的设计和仿真解决方案。

仿真是设计人员和半导体厂之间的桥梁，演讲以当前传统仿真碰到的问题入手，随着半导体器件尺寸缩小，越来越多的物理现象需要更多的参数来解释。 从工艺仿真，器件搭建到最终的器件仿真，整个工程是庞大而耗时。更严重的问题是对于某些物理现象和新材料，传统仿真无从着手。

在这种背景下，更基于底层的原子TCAD仿真，相比于传统的工具，让人感到返朴归真的感觉--简单，最基础的才是好。在量子仿真中，使用了电子传输的全量子描述，材料特性的预测和非平衡格林函数的可测试性设计，同时也可以获得紧凑模型和必要的参数，为新器件设计提供预测帮助。

这种基于原子的仿真，应用非常广泛，对于前沿的新材料，新器件开发有着很好的指导意义。

从上面的应用来看，原子仿真的优势是明显的，对于材料，器件特性有非常深入和准确的描述，特别针对于目前热门的TFT，MTJ ,FDSOI和先进节点MOSFET器件研究是很好的切入点。作为一个完整的仿真工具，和传统TCAD一样，需要抽出器件参数，用于将来的仿真。

报告对Atomistic-TCAD工具作了总结，对将来的应用也是充满期待。

从大会的反馈来看，很多对新器件，新材料研究的单位是非常有兴趣的，同时对于国内半导体的前沿预测有非常好的借鉴，也能使中国半导体能在基础研究上和欧美等先进国家缩小差距。

上述材料由HZWTECH提供，作为本次的赞助商和演讲单位，确实给国内的半导体产业带来了一股清新的味道。希望明年2018能看到国内有更多扎根于基础研究的企业来到国际模型会议演讲。