关于Z轴TMR传感器的性能介绍和应用分析

MDT独特的TMR技术所造就的新型Z轴TMR传感器可作为霍尔效应传感器的替代品，并拥有优异性能和超低功耗

多维科技(MDT) 开发的新型Z 轴 TMR 传感器对穿过传感器表面的磁场垂直分量进行测量，在感应方向上与霍尔效应传感器相兼容。它们为多轴电子罗盘 (eCompass)、电流传感器和通用线性磁场传感提供了新的选项，并拥有高灵敏度、低噪声、超低功耗和卓越的温度稳定性等 TMR 传感器的优点。这些优点是霍尔效应传感器所不具备的。

多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示：“MDT 对 Z 轴 TMR 传感器的发明是磁传感器技术进步中的一项重大突破。我们克服了 Z 轴 TMR 传感器开发过程中必然会遇到的艰难的工艺和设计挑战，同时保留了我们现有的平面感应 TMR 传感器的优异性能。我们的客户将可以沿用为霍尔效应方案设计的机械结构或磁铁，同时采用 MDT 的 Z 轴 TMR 传感器并享受诸多霍尔效应传感器无法提供的 TMR 技术的优点。Z 轴 TMR 传感器可整合进多轴电子罗盘、以及包括电流传感器的定制设计，或作为通用线性磁场传感的独立器件。我们期望 Z 轴 TMR 传感器可以将 MDT 的 TMR 技术优势，包括更好的性能、更低的功耗和更高的可用性，带到更广阔的磁场传感细分市场，而这些市场目前被霍尔效应传感器占据了主导地位。”

MDT旗下Z轴TMR传感器的独特性能优势（霍尔效应传感器所不具备的）：

-可定制超过 1mV/V/Oe 的高灵敏度

-电阻值可以在很宽的范围内轻易调整到高达数兆欧姆，可满足从高速度到超低功耗的各种应用要求

-低噪声谱密度和宽频带

-在零下40至零上125摄氏度之间展现出卓越的温度稳定性