电子发烧友App
1.中国产能逐渐开出 内存价格2019将下滑；
内存价格从2016年起一路上扬，但自2018下半年起，由于各厂商产能陆续开出，因此资策会MIC预测内存价格将于开始下滑。
资策会MIC资深产业顾问洪春晖表示，2018年的半导体市场概况是近5年来难得的乐观，尽管2018年内存价格成长空间有限，但NAND Flash需求仍然持续增加。 因此，预估2018年全球半导体市场规模将成长10.1％，其中最大的原因是各应用终端内存需求持续增加，以及车用电子等新兴应用带动。
洪春晖进一步指出，内存受惠于市场价格上扬，2018年全年***内存产业产值将成长25％，产值达2，053亿新台币。 但自2018年第二季起，内存价格由于各新厂产能陆续开出价格开始松动，由其是在中国大陆，无论是DRAM或是NAND Flash产能都在持续开出；尽管目前尚未进入稳定量产阶段，但预期2018下半年内存价格仍有下跌空间， 在未来两年内存也不容易再出现价格飙涨的状况。
由于内存供给有望增加，因此展望2019年，预计内存成长趋缓，预期成长幅度为3.8％。 观测***产业，半导体则因高阶制程与内存市场带动呈稳定成长，预估2018年***半导体产业产值将达2.46兆新台币，较2017年成长8.1％，成长动力与全球平均水平相当。 但预期在2019年，DRAM制程将转进至1x和1y纳米，Flash产能也持续增加，预计内存价格下滑将对台厂造成冲击。新电子
2.2018全球半导体产业成长估达10.1%；
资策会产业情报研究所（MIC）发表全球半导体产业趋势指出，2018年全球半导体概况，预估市场规模将成长10.1%，主要来自各应用终端内存需求持续增加，及车用电子等新兴应用带动；展望2019年，内存成长趋缓， 预期成长幅度为3.8%，预计2018年下半年，这波产业景气就会逐渐落底。 观测***产业，半导体因高阶制程与内存市场带动呈稳定成长，预估2018年***半导体产业产值将达2.46兆新台币，较2017年成长8.1%，成长动力与全球平均水平相当。
资策会MIC资深产业顾问洪春晖表示，***半导体各次产业表现皆可期。 关于IC设计，随着***厂商手机处理器全球市占提升，再加上***厂商在无线连网芯片、TDDI等芯片市场需求增加，将让***IC设计产业产值年成长6.2%，产值达5，798亿新台币。 而随着人工智能及物联网应用崛起，也带动***IC设计产业中，非3C应用IC的营收占比逐年成长，再加上非3C产品芯片规格多元化，吸引IC设计业者投入提供AISC设计服务，预期2019年经营模式将朝多元化发展。 晶圆代工则在2018下半年因挖矿机需求较减缓，预估全年成长约6.4％，产值达1.2兆新台币。 展望2019年，随着台积电7+制程将量产，未来***先进制程比例可望进一步提升，预估2019年成长率达8~10％。
3.美光转向电荷捕捉 3D Xpoint暖身时间不多了；
由于对未来技术发展路线的看法出现歧异，英特尔（Intel）与美光（Micron）在NAND Flash方面的技术合作将在一年后告终。 未来美光的第四代3D NAND Flash将放弃使用浮闸（Floating Gate）技术，转向电荷捕捉（Charge Trap）。 业界常将此事解读为电荷捕捉技术大获全胜，成为未来NAND Flash所采用的主流技术，因为目前除了英特尔跟美光之外，三星（Samsung）、东芝（Toshiba）与海力士（SK Hynix）都已改用电荷捕捉来生产3D NAND Flash。
西瓜偎大边 电荷捕捉大获全胜
在半导体的世界里，一项技术能否成功，供需两端的规模都是非常重要的因素。 美光的NAND Flash产品发展路线决定从浮闸转向电荷捕捉，正是因为除了英特尔跟美光之外，业内已经没有其他供货商采用浮闸技术。
由于美光决定转向，未来还会坚守浮闸技术的NAND Flash供货商将只剩下英特尔。 对英特尔来说，这是一个相当不利的情况。 一来日后所有的研发费用将必须独自承担，二来设备供应链业者愿意力挺到何种程度，也是个问题。 英特尔的设备采购订单再大，也无法跟三星、东芝、海力士等业者的设备需求总量相比。 设备业者在商言商，其NAND Flash相关设备的研发重心必然往电荷捕捉移动，未来还能分配多少资源给浮闸制程所使用的设备，是个大哉问。
事实上，类似的情况在DRAM产业就曾发生过。 在21世纪的前十年，DRAM产业就曾发生过沟槽式（Trench）与堆栈式（Stack）的架构大战。 沟槽式DRAM（图1）的电容在闸极下方，堆栈式DRAM（图2）的电容器则在闸极上方，是这两种DRAM最大的差异。
在沟槽式DRAM的制程中，必须先在基板蚀刻出沟槽，然后在沟槽中沉积出介电层，以形成电容器，然后在电容器上方再制造出闸极，构成完整的DRAM Cell。 这种制程最大的技术挑战有二，一是随着线宽越来越细，沟槽的宽深比跟着增加，如何蚀刻出这种沟槽，是相当大的技术挑战。 其次，在进行沉积制程时，由于沟槽的开口越来越细，要在沟槽里面沉积足够的介电材料，形成容值够高的电容器，也越来越难。 相较之下，堆栈式DRAM则没有上述问题，因此随着制程节点越往前推进，沟槽式DRAM的采用者越来越少。
两大技术阵营从130奈米开始一路缠斗到75奈米，最后只剩下奇梦达（Qimonda）还能做出沟槽式DRAM，其他DRAM业者则早已改采堆栈式架构。 而在这个过程中，DRAM业者不断跳槽到堆栈式架构，设备业者对沟槽式制程的支持也越来越少。 最后，随着奇梦达破产，沟槽式DRAM也宣告走入历史。
如果历史经验有任何参考价值，沟槽式DRAM与堆栈式DRAM的大战告诉我们，英特尔可能做出了很危险的决策。 台语俗谚说「西瓜偎大边」，看准趋势发展方向，站在主流方，可获得的生态系统资源也越多，规模经济效应也越明显。 而站错边的厂商，最后往往只能黯然退出市场。
人多的地方不要去
照理说，英特尔应该也看得出固守浮闸技术的危险性，但英特尔/美光宣布分手已经几个月过去，英特尔看起来没有改变NAND Flash技术发展路线的打算。 有些媒体认为，英特尔应该只是不愿公开承认浮闸技术已经走到尽头，试图做最后的努力。
但对英特尔而言，浮闸技术或许仍有值得赌一把的理由。 笔者认为，英特尔不是一家会为了面子死撑的企业，从Wireless USB、WiMAX到WiDi，英特尔技术发展押错宝的例子其实不少，最后都是以壮士断腕的结局收场。 因此，另一个可能是，英特尔对自己的浮闸技术掌握度深具信心，认为至少还能再支撑一个世代以上，然后将自家内存产品过渡到Optane，也就是3D Xpoint技术。
事实上，笔者认为，对手握3D Xpoint技术的英特尔来说，以浮闸技术为基础的NAND Flash，最大的任务是争取时间，而不是真的要一直靠此技术跟其他NAND Flash供货商竞争。
虽说西瓜偎大边，但「人多的地方不要去」也是商业竞争的常识。 NAND Flash内存跟DRAM一样，是同构型很高的产品，也因为如此，供货商之间的竞争武器，直言之只有三项法宝--产品开发速度、成本控管跟口袋深度。 谁的产品开发速度领先同业，谁就能掌握新产品上市初期的高获利时机；成本控管能力较佳、口袋深度够深的业者，则更有筹码打价格战，在市况不佳的时候熬过市场寒冬。
相较于其他内存供货商，英特尔其实有很多策略选项，Optane就是一路活棋，而且是其他内存供货商所没有的独家技术。 Optane的读写效能理论上接近DRAM，但却具有NAND Flash的非挥发特性，被认为是非常有潜力的次世代内存。 不过，目前Optane固态硬盘（SSD）的效能其实跟NAND Flash SSD相去不远，价格却高出一大截，因此市场接受度并不理想。 也因为如此，英特尔还需要时间为Optane做更多准备，包含平台架构/软件的调整跟优化，以及最重要的降低成本，Optane的市场接受度才有机会提升。
另一方面，Optane除了用在SSD之外，也可以DIMM模块的型态出现。 目前英特尔已经提供基于Optane的DIMM模块工程样品给特定客户，预计2019年开始量产。 这是一项非常值得关注的产品，即便短期内Optane DIMM不可能取代DRAM的地位，但至少有搅局的潜力。
某内存相关业者就直言，主板上的DIMM插槽总数不太有增加的机会。 换言之，只要Optane DIMM占掉一个插槽，DRAM的DIMM插槽就少一个。 由于DRAM报价居高不下，英特尔在2017年拱手把盘据数十年的全球半导体营收龙头宝座让给了三星，而Optane DIMM这项产品在此刻现身，其实颇有牵制三星的意味存在。
前面提到，英特尔不是纯内存业者，而是运算平台的主导者，因此，相较于其他内存业者只能在英特尔制定的平台框架内竞争，在技术上，英特尔可以用平台设计来拉抬Optane，在商业模式上也有捆绑销售的可能性。
供货商家数不足恐成普及障碍
虽然Optane有其特殊性，而且英特尔还可以将其包裹在平台中推广，但整体来说，这项技术未来的最大隐忧，恐怕就是它的特殊性。 3D Xpoint是英特尔跟美光连手开发的次世代内存技术，目前已经商品化的厂商则只有英特尔一家，美光则不愿意将基于3D Xpoint技术的内存运用在SSD产品上，甚至宁可让其厂房闲置，也不愿生产3D Xpoint内存。
某种程度上，这也是Optane SSD价格居高不下的原因之一，因为产能实在太低。 没有量就不会有Cost Down，是电子业的基本规律。 此外，单一供货商也会使原始设备制造商（OEM）跟品牌厂持观望态度。
或许也是考虑到单一供货商可能造成的问题，加上3D Xpoint的部分关键技术也来自美光，因此在英特尔、美光宣布停止合作开发下一代NAND Flash内存的同时，美光也明确表示，双方在3D Xpoint技术上的合作将继续进行。
美光的盘算应该是将3D Xpoint内存运用在DIMM模块产品上，而非SSD。 但即便英特尔跟美光连手提供3D Xpoint内存，其供应量相对于整个DRAM或NAND Flash产业来说还是太小，只能稍微纾解单一供货商的疑虑。
总结来说，3D Xpoint虽有发展潜力，但其市场普及仍有诸多障碍需要克服，英特尔跟美光的操盘手，对此必须小心翼翼，做好缜密规画。
4.台积带动半导体群聚效应 设备链靠拢；
***半导体业发展，全球晶圆代工龙头台积电撑起半边天， 不但多年蝉联***制造研发和总资本支出冠军，台积电汇集全球半导体最先先进制程的能量，更吸引材料和设备供应链向***聚集，形成强化的群聚效应。
半导体业者表示，台积电坚持技术自主及领先，这几年不断提升研发人员与研发支出，奠定***半导体产业在全球具举足轻重地位。
工研院产经中心（IEK）统计，去年***IC产业产值达2.46兆元，仅次美国和南韩；今年估可超越2.6兆元。
5.半导体展5日登场 台积四巨头力挺；
2018台北国际半导体展（SEMICON TAIWAN）本周三（5日）登场，台积电创办人张忠谋、董事长刘德音、 副董事长曾繁城与总裁魏哲家等「四巨头」开幕当天都将出席，探讨***半导体产业发展及未来趋势。
根据主办单位国际半导体产业协会（SEMI）规画，今年台积电四巨头出席半导体展，将由张忠谋打头阵进行专题演讲、曾繁城带领来宾回顾***半导体发展，魏哲家和刘德音则分别主掌上午场与下午场压轴。
SEMI表示，今年会展将有超过2，000个摊位展出，规模为历届最大；同时，今年也将邀请上百位重量级讲师，并举办超过22场国际论坛，一同揭示未来半导体产业发展脉动。
今年台北国际半导体展适逢***发展集成电路（IC）60周年，主办单位举办「IC 60大师论坛」，除了台积电四巨头罕见同日登场力挺之外，也邀请闪存发明者、 现任交大荣誉讲座教授施敏与会并进行专题演讲。
6.德国开发出世界最小单原子晶体管
德国卡尔斯鲁厄理工学院托马斯⋅希梅尔教授领导的团队开发出了单原子晶体管——一种利用电流控制单个原子位移实现开关的量子电子元件。单原子晶体管可在室温下操作，并消耗很少电能，这为未来信息技术开辟了新的应用前景。这项成果已被刊登在 杂志上。
数字化对能源有巨大需求，在工业化国家中，信息技术目前用电量占整个工业用电量的10%以上，无论是计算机处理中心、个人电脑，还是从洗衣机到智能手机的各种嵌入式应用系统。目前一个几欧元的USB存储器就含有上亿个晶体管。卡尔斯鲁厄理工学院开发的单原子晶体管未来可显著提高信息技术的能源效率，希梅尔教授称，“有了这个量子电子元件，能耗将低于传统硅技术电子元件一万倍”。希梅尔教授是卡尔斯鲁厄理工学院单原子电子与光子研究中心主任，被誉为单原子电子学先驱。
在杂志上刊登的论文里，研究人员介绍了如何在只有单一金属原子宽度的缝隙间建立两个微小金属触点，实现目前晶体管所能达到的最小极限。希梅尔教授称，“我们在此缝隙通过电控脉冲移动单个银原子，完成电路闭合；当我们再将银原子移出缝隙，电路被切断”，由此实现世界上最小晶体管在接通电源情况下单个原子的受控可逆运动。与传统量子电子元件不同，单原子晶体管不需要在接近绝对零度的低温条件工作，它可以一直在室温下工作，这是未来应用的一个决定性优势。
为开发单原子晶体管，卡尔斯鲁厄理工学院研究人员还开发了一套全新的工艺，单原子晶体管完全由金属构成，不含半导体材料。其结果是所需电压极低，因此能耗也极低。研究人员之前制作单原子晶体管需要依靠液体电解质，现在希梅尔教授及其团队首次应用固体电解质的工作原理，通过水溶性银电解质凝胶与热解法二氧化硅凝胶电解质结合，从而改善了安全性，更便于单原子晶体管的处理。
工商网监
评论