据报道,今年下半年,国内三大存储厂商长江存储、福建晋华、合肥长鑫将相继进入试产阶段,中国存储产业将迎来发展的关键阶段。国产内存虽然暂时难以撼动三星、美光、SK海力士等国际存储巨头的地位,但或将对全球存储市场价格走势产生影响。
目前,中国存储产业有投入NAND Flash市场的长江存储,有专注于手机内存的合肥长鑫,以及致力于DRAM内存的福建晋华三大阵营。近期传出合肥长鑫投产8Gb LPDDR4规格的DRAM芯片,被视为我国DRAM产业的里程碑事件,这款DRAM芯片或将于今年年底前推出8GB DDR4工程样品,2019年Q3正式推出8GB LPDDR4内存。
紫光旗下的长江存储已获得首笔超过1万颗的晶片订单,但32层3D NAND Flash量产规模仍有限,单月仅约5000片,长江存储的研发重点将集中于64层3D NAND Flash,2018年底前推出第一个产品样本,预计2020年产能快速推进至单月10万片。业内人士预计,从2020~2021年起,中国存储产业将开始取得全球产业话语权。
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原文标题:内存垄断即将打破:国内三大存储厂将试产
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三大存储厂试产 打破内存垄断局面
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