AI引领存储市场变革 HBM与DDR5需求暴增

据Digitimes最新报道，随着生成式AI带动高带宽存储器（HBM）及DDR5需求暴增，存储器原厂集体减产动作将进入尾声。供应链指出，由于新制程升级带来产出单位面积减损及HBM需求上修，原厂产能利用率重回九成。

与此同时，存储器价格涨势有望持续，DRAM及NAND Wafer现货市场价格涨势较为趋缓，涨幅呈现收敛。存储器业界认为，3月市场价格仍将延续上涨行情，DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。

AI成了存储市场的最大增量。开源证券表示，搭载容量方面，随着AI在各类领域的应用延伸，手机、服务器、PC中DRAM和NAND单机平均搭载容量均有增长，其中，服务器领域增长幅度最高，ServerDRAM和Enterprise SSD单机平均容量预估分别年增17.3%/13.2%。

供给方面，随着需求的增长，三星、SK海力士及美光全面调升上半年稼动率。集微网报道，原厂的稼动率及资本支出的上修，主要是反映去库存完成，而自2023年第四季起，手机及PC需求转佳，加上AI崛起带动搭载AI的终端产品陆续上市，下游需求逐步上升。预计三大供应商减产将持续至2024年中，且资本支出和产出将聚焦于利润较佳的高端产品如高频宽存储（HBM）和DDR5。

回顾主流存储产品的价格趋势，DRAM/NAND价格分别从2021Q4/2022Q3开始下跌，连跌数季，分别于2023Q4和2023Q3起回涨，目前正处于新一轮上行周期当中。

展望2024全年，集邦咨询认为DRAM和NAND价格有望连续四季看涨，预测2024Q1-Q4DRAM季涨幅中值分别为15.5%/5.5%/10.5%/10.5%、NAND季涨幅中值分别为20.5%/5.5%/10.5%/2.5%。

接下来存储市场会一帆风顺吗？

尽管在Digitimes的报道中，业界给出了乐观的大势预判，但细分来看，存储行业各产品线区别较大，且均存在终端需求修复不及预期的担忧。

据德邦证券最新的价格跟踪报告，上周（2月26日-3月3日），DRAM颗粒价格短期调整，供应商卖压加剧；而NAND价格上涨，部分产品（高容量eMMC及特定SSD）仍有固定需求支撑。

该机构表示，虽然DRAM原厂控货与上调官价，但仍因终端需求未能好转而停滞，模组表现亦是相同。现货市场整体呈现观望氛围，仍需关注后续终端需求变化情况。

对于目前市况更好的NAND产品，德邦证券表示，适逢月底月初交际，需求动能虽有陆续恢复，但因市场报价仍是相对偏高，整体终端需求修复或不如预期。

另一个问题在于，与服务器市场一样，存储市场存在“两级市况”，与AI有关的存储产品成为公司主要业绩驱动力，原厂聚焦HBM及DDR5需求方面，其他存储产品依旧缺乏增长动能。

不过，从整体半导体市场来看，存储器仍将是推动行业回暖的重要角色。据TechInsights预计，2024年IC销售额将增长近24%。这一变化的主要驱动因素是内存，其销售额从之前预测的41%更新到71%。由于有限的供应和不断改善的需求，内存定价比预期的要高得多。库存方面，电子OEM库存继续下降，库销比在2023年Q4至历史平均水平以下，这表明已经回到健康水平。

审核编辑：黄飞