虽然EEPROM和闪存通常是大多数应用中非易失性存储器（NVM）的首选，但铁电RAM（FRAM）为能量收集应用中的许多低功耗设计（如无线传感器节点）提供了明显的优势。智能电表和其他数据记录设计。凭借
2019-03-18 08:08:00
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西部数据公司(NASDAQ: WDC)今日宣布推出一系列新产品，旨在满足用户对于高耐久度存储解决方案日益增长的需求——尤其是针对工业、智能和先进制造（包括多种物联网设备）等需要在严苛环境中操作的应用
2019-09-26 05:15:003650 FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。
2020-05-11 10:37:431004 0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
64－Kbit FRAM是什么？为什么要开发一种64－Kbit FRAM？64－Kbit FRAM到底有什么用途？
2021-06-17 08:27:24
FRAM RFID与传统EEPROM相比，有哪些亮点？FRAM RFID有哪些创新应用案例？
2021-05-21 06:53:14
你好，我正在设计一个16或32个FRAM（SPI）设备的存储器阵列，用于电池操作的数据表，用于远程户外位置。我已经查阅了CY15B104Q（512K×8）数据表中的直流特性，特别是I/O电压阈值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表
2020-10-09 14:27:35
EDR实施将配对具有2 Mb或4 Mb密度的无限耐久性FRAM器件和高密度闪存。存储器通常将配置为连续存储最新的1到5 s的数据，而闪存阵列用于批量存储较旧的数据。对于Excelon-Auto设备，有一
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存储，用10年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2021-12-09 08:28:44
以及改进整个系统。而这正是我们采用 FRAM 的微控制器超越业界其他解决方案的优势所在。 FRAM 是一种非易失性 RAM，相较于其他非易失性存储器技术，可实现更快速的数据存储和几乎无限的寿命。 这
2018-09-10 11:57:26
FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。
2019-09-11 11:30:59
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”宽泛的FRAM产品线——涵盖SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb迈进技术优势解决系列应用瓶颈创新的FRAM 认证芯片促进应用创新
2021-03-04 07:54:14
摘要：介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列
2014-04-25 13:46:28
内存FRAM 4K（512×8）位I2C
2023-03-29 21:29:54
MRAM与FRAM技术比较
2021-01-25 07:33:07
操作是通过在MTJ两端施加非常低的电压来完成的，从而在部件使用寿命内支持无限的操作。图3：MRAM读写周期FRAM技术FRAM或铁电随机存取存储器使用1个晶体管–1个铁电电容器（1T-1FC）架构，该
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 内容在系统即便未加电的情况下用于读取日志消息（例如，通过温度或压力发送器读取）。此外，在系统完成安装并加电之前（或之后），也可在试运行时对配置参数进行编程。通过此类功能，无需为
2015-05-05 15:13:56
SRAM接口。所有这些实现都以某种形式的8引脚封装提供。 SRAM和FRAM技术的常用功能 在最高级别上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-从Kilobits到即时存储在内存中的少量兆位的随机存取存储器的容量。该存储器没有特殊配置或页面边界，并且支持标准SPI物理引脚排列。
2020-12-17 16:18:54
MEMORY FRAM FOR TOWER SYSTEM
2023-03-22 19:57:21
ucgui 储存设备分析优势使用储存设备,会开辟一段内存，一系列绘图操作保存这段内存中，仅在调用GUI_MEMDEV_CopyToLCD() 时 更新。相关函数 及步骤创建储存设备
2022-01-21 08:23:58
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引脚BGA封装。MR3A16ACMA35的优点与富士通FRAM相比，升级到Everspin MRAM具有许多优势：•更快的随机访问操作时间•高可靠性和数
2023-04-07 16:26:28
能量收集应用提供了许多低功耗设计，例如无线传感器节点，智能电表明显的优势，和其他数据记录的设计。凭借其扩展的写周期耐力和数据保留时间，FRAM技术可帮助设计人员满足使用的FRAM芯片和基于FRAM
2016-02-25 16:25:49
之前在论坛里面发帖问了关于如何延长EEPROM寿命的问题，后面经大神推荐选择了用FRAM来替代。前两天在某公司申请的FRAM样片到了，今天就拿来做测试。我原本的测试方案就是跟以前测试EEPROM一样
2013-09-03 10:52:35
功耗要求。”在类似如上所述的系统中，FRAM 可带来多种优势。 结合我们 FRAM MCU 的非易失性、写入速度和低功耗以及与 AES 模块及存储器保护单元的集成，使得诸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
您好!IAM使用FM25V01 128 kBIT（16 K×8）串行（SPI）F RAM。在将数据存储到Flash中之后，希望从FLASH读取完整内存区域的数据。是否有任何工具或设备，如PROM程序员直接读取倾倒数据读取这个FRAM。请帮忙。如果你知道任何工具建议我。
2019-09-25 13:41:48
写入FRAM的零时钟周期延迟 一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写
2020-09-28 14:42:50
兆次代表了富士通FRAM产品本身性能优异的高读写耐久度，20年则是富士通专注FRAM、成功量产与不断创新的宝贵经验，37亿颗表示了量产以来的累计出货量。毫无疑问，富士通FRAM正在广泛赋能各行各业的创新应用！”
2020-10-30 06:42:47
随机存取存储器（FRAM）是一种非易失性的独立型存储技术，本文将论述FRAM的主要技术属性，同时探讨可充分展现FRAM优势的具体用例。
2019-08-22 06:16:14
较之闪存/EEPROM 具有哪些主要优势？ 1) 速度。 FRAM 具有快速写入的特性。 写入到 FRAM 存储器单元的实际时间小于50ns，这超越了所有其他存储器的类似操作。 这大约比 EEPROM
2018-08-20 09:11:18
确保100倍以上的数据写入速度和250倍的功耗降幅。此外，这种片上 FRAM 还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件
2011-05-04 16:37:37
你好！我在一个嵌入式项目中使用CY15B104Q FRAM。有谁有这个内存的C/C++驱动程序吗？ 以上来自于百度翻译 以下为原文Hello! I'm using CY15B104Q FRAM
2019-06-28 09:20:28
采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
（Ferroelectric Random Access Memory）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用
2020-05-07 15:56:37
什么是FRAM?FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久
2014-06-19 15:49:33
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
铁电存储器FRAM 是具有低功耗、高写入速度、高耐久力的新型非易失性存储器，应用范围广泛。本文介绍FRAM 及其应用， 并给出FRAM 与MCS-51 单片机的接口电路和软件设计。
2009-05-13 16:25:45
25 本文首先介绍了FRAM 的特点；然后在分析了FRAM 配置及DSP 的SPI 通信模块的基础上，给出了FM25L256 与TMS320F2812 DSP 的接口电路的硬件设计。最后，文章给出了SPI模块的初始化程序及DSP
2009-09-14 16:01:2018 富士通嵌入FRAM的RFID射频芯片MB89R118C的优点:• 抗金属，可在金属环境中使用。• 可耐200度高温。• 高速数据写入：可提高数据写入时的效率。• 稳定的通信距离
2023-12-27 13:53:33
铁电存储器FRAM详解:
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写
2008-01-30 09:13:504172 
内存故障与分析
一、开机无显示由于内存条原因出现此类故障是比较普遍的现象，一般是因为内存条与主板内存插槽接 触不
2009-05-22 09:02:06478 铁电随机存取存储器（FRAM）是一种非易失性的独立型存储技术，本文将论述FRAM的主要技术属性，同时探讨可充分展现FRAM优势的具体用例。
2012-10-08 15:34:551835 
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP），使得其体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2015-07-08 15:03:571568 上海，2016年3月9日–富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，将携其FRAM铁电随机存储器等自有产品线，以及代理产品线参加在中国上海举行的“第十五届慕尼黑上海电子展”（Electronica China 2016）。本次展会将于2016年3月15日至17日在上海新国际博览中心拉开帷幕。
2016-03-09 10:47:521383 近几年，FRAM（铁电存储器）比较火，特别是在三表的应用中。网上也有不少对FRAM技术的讨论。这不，小编看到了一篇分享，是某网友总结的FRAM应用的心得，发布在这里供正在使用和将来要使用FRAM的筒子们参考~
2017-03-24 18:27:171915 上一篇文章我们介绍了嵌入了FRAM的RFID相比传统嵌入EEPROM的RFID的优势。这篇文章我们将介绍FRAM RFID的具体应用。
2017-03-28 18:00:431652 
FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
2017-03-28 18:05:301459 富士通半导体因FRAM在医疗领域和智能电表中的解决方案及应用而备受业界瞩目。FRAM在这两个领域备受关注，这与它在医疗领域和智能电表行业内的有着巨大的优势是分不开的。
2017-03-29 11:12:121117 和DRAM这些传统易失性存储器的级别。而且，FRAM的读/写耐久性能远远优于EEPROM和Flash存储器。EEPROM和Flash存储器能写入大约100万次（106次），FRAM最高可写入1013次，或者说写入次数可以达到前两种存储器的1000万倍以上。
2017-03-29 11:46:291659 
FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。 不同接口的产品各自都有哪些特点呢？
2017-09-04 14:46:3010691 
FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品。 不同接口的产品各自都有哪些特点呢？
2017-09-17 16:34:229447 
选用存储器时主要考虑的指标包括安全性、使用寿命、读写速度、产品功耗和存储容量等。FRAM(铁电存储器)由于具有ROM的非易失性和RAM的随机存取特性，以及高速读写/高读写耐久性(高达1014
2018-06-02 02:46:0014464 本文首先介绍了耐久性试验的概念，其次介绍了耐久性试验的目的及耐久性试验标准，最后介绍了电子设备耐久性试验的基本步骤。
2018-05-14 09:27:597640 FRAM 应用介绍
2018-08-15 08:28:005742 板卡存储大厂影驰宣布，旗下ONE 240GB SSD固态盘历时3个半月、持续109天的考验，顺利完成了耐久度测试，数据总写入量达到715.5TB，期间无任何数据出错。
2019-01-04 15:00:145302 
西部数据为工业4.0智慧工厂的生态和物联网设备提供兼具高耐久度和低功耗的工业级存储解决方案，以促成工业物联网（IIoT）的构成。
2019-09-26 09:07:08503 富士通电子在过去约20年量产各种FRAM非易失性内存产品，具备比EEPROM及闪存更高的读∕写耐久性、高速写入速度及超低功耗。近几年来，这些产品被广泛应用于可穿戴装置、工业机器人与无人机。
2019-11-01 08:38:312627 和FLASH非易失性内存相比，FRAM在EDR应用上有三大关键优势。对于那些有精确时间要求的应用来说，FRAM会立即具备非易失性。这些应用在系统发生故障时，最重要的数据，如数据记录器通常会面临风险。FRAM擦写周期为10E+14，而EEROM为10E+6，FLASH为10E+5，。因此FRAM是数据记录
2020-05-26 11:03:431080 
FRAM器件提供非易失性存储，用10年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2020-07-03 10:27:44336 
最近出现的许多内存问题都以3D Xpoint的形式出现在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM（FRAM）在小型利基设备中得到了成功。 去年对新兴内存年报，吹捧的ReRAM，MRAM
2020-07-24 15:17:57459 FRAM是一种铁电存储器，它使用铁电膜作为电容来存储数据，即使数据没有电源也可以保存。采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速读写，高读写耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 铁电存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比
2020-10-19 14:22:59626 采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢？举例说明：TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms
2020-12-06 10:00:001469 我们每天都在同内存打交道，但大家对内存真的了解吗？上篇文章中，我们对服务器内存以及服务器内存技术有所介绍，为增进大家对内存的认识，本文将为大家介绍高频率内存的优势。此外，小编还将对虚拟内存加以探讨。如果你对内存及其相关知识具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
2020-12-06 17:43:005856 
内存耐久度指定为存储单元可以写入或擦除的次数。对于尽管严格和广泛使用仍需要高数据完整性的应用程序，内存耐用性是关键的系统性能特征和设计考虑因素之一。铁电RAM或FRAM是一种快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05455 
独特性能成就技术“硬核”，FRAM 是存储界的实力派。除非易失性以外， FRAM 还具备三大主要优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。
2021-03-11 09:23:313503 富士通FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器
2021-04-08 15:42:02824 
本应用笔记介绍了如何用EERAM代替FRAM，以及如何通过跳线和修改代码来创建一个集成EERAM 和FRAM（第二个源）的设计。
2021-04-16 10:04:567 FRAM铁电存储器。它是一种采用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势
2021-05-04 10:17:001850 
监控，记录和分析处理。因此需要提高存储器性能和耐久性设计。只有非易失性・高速・高读写耐久性的车规级的存储器FRAM才可以满足所要求的可靠性和无迟延的要求。 FRAM在电池管理系统BMS应用 高烧写耐久性，高速写入操作： •系统每0.1或1秒，
2021-05-04 10:18:00377 
存储器的性能和耐久性设计，这些要求使FRAM成为理想的存储选择。 FRAM在Car Infotainment中的应用 高速烧写，高读写耐久性： 系统经常会会受到发动机关闭，导航，倒车摄像或电话进入时的干扰，高端的car infotainment需要实时记录当前状态，并在干扰之后回复当前
2021-05-04 10:15:00290 
的 FRAM 究竟用到了哪些领域呢？下面由富士通代理英尚微电子带大家一起来看看吧 汽车工业 车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析或是其他数据处理时，只有
2021-04-24 10:56:48422 FRAM铁电存储器是一种采用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。那么
2021-04-26 14:31:28544 仍有最大访问（读）次数的限制。FRAM在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三个优势： 1、寿命，读写的次数比较多， EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:171083 表重要数据的标准元件。富士通FRAM在智能水和气表中的应用，与智能电表类似，如非易失性与高写入耐久性确保了准确、可靠的数据记录。 此外由于水和气表使用电池供电，FRAM存储器拥有超低功耗的特性使之备受方案商的青睐。以64Byte数据写
2021-05-08 15:41:37421 
工业物联网的蓬勃发展，对数据链上如数据采集、数据记录、数据处理等各个环节的应用提出了更高的要求。对于智能电表而言，数据记录及存储需要考虑准确记录、非易失性、耐久度等多个方面的需求。因此智能电表方案
2021-05-11 17:18:08503 
FRAM是电力计量系统中使用的主要存储器，由于具有高耐用性、快速写入和低能耗等优点，FRAM在此领域迅速占领了市场；随着电子设备和存储数据需求的增多使得FRAM受到广泛应用，FRAM能用于如智能电表、水表和煤气表等的常见的计量系统中。
2021-05-12 16:52:49616 FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （铁电RAM） 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器 （如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度
2021-10-28 10:26:562565 采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms
2021-11-16 10:21:018 FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点，富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片，这是富士通FRAM产品系列中第一款保证
2021-12-11 14:46:17579 FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。 富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿
2022-01-12 15:12:20351 铁电随机存取存储器是一种使用铁电文件作为存储数据的电容器的存储器。即使断电也能保留内容。结合了ROM和RAM的优点，具有快速写入速度、低功耗和高读/写周期耐久性。也称为FeRAM。FRAM铁电存储器
2022-02-17 15:33:241666 
、读/写循环寿命长、功耗低等特点。 FRAM 采用了哪些类型的应用程序？ FRAM已被用于需要小密度内存和频繁数据写入的应用中。应用示例是；OA设备（例如用于计数器和打印记录的MFP），FA设备（例如用于存储参数和数据记录的测量设备和分析仪），金融终端（例如用于
2022-03-02 17:18:36766 铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。今天进行并口
2022-03-15 15:43:44741 铁电存储器称FRAM或FeRAM，FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质，利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。 FRAM结构图 FRAM技术特点： 非易失性：断电
2022-11-10 17:00:141785 
内存耐久度指定为存储单元可以写入或擦除的次数。对于尽管严格和广泛使用仍需要高数据完整性的应用程序，内存耐用性是关键的系统性能特征和设计考虑因素之一。
2022-11-30 16:49:39310 
FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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