FRAM是由美国 Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。 其核心技术是铁电晶体材料,这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存储器(RAM) 和非易失性存储器的特性。
原理:铁电晶体材料的工作原理是: 当我们把电场加载到铁电晶体材料上,晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动,到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态,一个我们记作逻辑 0,另一个记作逻辑 1。中心原子能在常温﹑没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。 由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞,铁电存储器(FRAM)拥有高速读写,超低功耗和无限次写入等特性。
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