我有个应用设计，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外扩了一片铁电存储器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作电压下都能正常工作，但铁电存储器FRAM的工作电压
2024-03-13 08:04:03
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36
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与主存储器（内存）和辅助存储器（外存）有不同的特点和应用场景。 首先，我们来详细了解ROM的特点和分类。ROM是一种非易失性存储器，这意味着即使在断电或重启系统后，存储在ROM中的数据仍然保持完整。这是由于ROM的存储单元是由非可更改的电路或栅电势器构成
2024-02-05 10:05:10744 1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
2024-01-23 18:17:51518 
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03212 
工程监测中振弦采集仪与其他监测技术的比较研究 工程监测中常用的监测技术包括振弦采集仪、激光测距仪、全站仪、GPS等。下面是振弦采集仪与其他监测技术的比较研究： 工程监测中振弦采集仪与其他监测技术
2023-12-27 14:57:34108 
：低功耗模式写入工作，实现相同的读/写通信距离。• 大容量内置存储单元：记录信息于电子标签，实现追溯应用所需的大容量内存单元。• 读写工作高耐久性：保证最高1万亿次
2023-12-27 13:53:33
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 需要在设计和开发过程中遵循一些最佳实践。本文将详细介绍如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.选择适当的存储器类型： MCU的NVM通常有多种类型可供选择，例如闪存（Flash）、EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）和FRAM（非易失性RAM）。根据需要，选择适当的
2023-12-15 10:10:49507 在无线技术的世界中，蓝牙技术因其独特的特性和广泛的应用而脱颖而出。然而，像所有技术一样，蓝牙也有其优势和局限性，特别是当与其他无线技术如Wi-Fi、Zigbee和NFC等进行比较时。本文旨在探讨这些
2023-12-14 16:18:07196 什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器
2023-12-07 11:02:27623 在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:17732 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
明渠流量计广泛应用于城市供水引水渠、火电厂冷却水引水和排水渠、污水治理流入等流量的测量。智能明渠流量计系统的测量是通过旋桨式流速传感器来测量流速；通过压力传感器测量水位；采用铁电存储器实现了数据的非
2023-11-27 10:17:05
存储中，铁电存储器在数据存储方面的出色性能，可以应用在大量的现代仪器仪表中，如水表、煤气表、门禁系统、医疗设备、自动取款机、汽车记录仪、工业仪器等等。国产铁电存储器
2023-11-21 09:59:20
何谓半导体存储器？ 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。 与磁盘和光盘装置等相比，具有 数据读写快 存储密度高 耗电量少 耐震 等特点。 关闭电源
2023-11-15 10:20:01731 
单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM) 就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-10-19 09:28:15
存储领域发展至今，已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用。
2023-10-17 15:45:50521 
内存地址空间是否一定大于所有物理存储器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
单片机功能强大，我想它可以完成存储器6116的数据存取功能吧？这或许是认识单片机比较容易的一步？讨厌我这个问题的朋友您就别看了，我真的不是想愚弄您。
2023-10-07 08:16:39
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
以下主题概述了Altera的外部内存接口解决方案。
Altera提供最快、最高效、延迟最低的内存接口IP核。Altera的外部存储器接口IP设计用于方便地与当今更高速的存储器设备接口。
Altera
2023-09-26 07:38:12
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM)就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-09-22 08:01:59496 
存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
存储器是计算机中的重要组成部分，用于存储程序、数据和控制信息等。根据存储信息的介质和访问方式的不同，存储器可以分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和硬盘存储器等几类。本文将介绍存储器的工作原理、分类及结构。
2023-09-09 16:18:272106 本参考手册面向应用程序开发人员。它提供了关于如何使用STM32G4系列微控制器存储器和外围设备。
STM32G4系列是一系列具有不同内存大小和封装的微控制器以及外围设备。
有关订购信息、机械
2023-09-08 06:59:58
STM32 F7 概述• STM32总线架构和存储器映射• 总线架构• 存储器映射• Cache• STM32F7性能• Boot模式• 片上闪存(Flash)• 系统配置控制器(SYSCFG)• 复位和时钟控制(RCC)• 电源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根据专利要点，提供本申请的一种存储器是检测方法及存储半导体相关技术领域中存储单位与上线之间漏电测定的复杂技术问题，该存储器的检测方法如下：选通字线，通过位线在所有存储单元中写设定存储。
2023-09-07 14:27:24524 
或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。故此铁电存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件，无论是BMS，还是VCU，这些系统
2023-09-01 10:04:52
随着高速数据通信的进步，数据更频繁地发送意味着对非易失性存储器的需求增加，因为非易失性存储器可以承受这种频繁的数据操作。铁电存储器是具有物联网新时代所要求的高读写耐久性和快速写入速度的理想存储设备
2023-08-24 10:05:59
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器的存储元是电容器和晶体管的组合。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器存储位是用于存储数据的。晶体管用于控制电容器
2023-08-21 14:30:021023 库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
电子发烧友网站提供《MIFARE DESFire EV3特性和功能与其他MIFARE的比较.pdf》资料免费下载
2023-08-17 15:07:06
6 存储器子系统的主要功能是在云计算和人工智能 (AI)、汽车和移动等广泛应用中尽可能快速可靠地为主机（CPU 或 GPU）提供必要的数据或指令。片上系统 (SoC) 设计人员可以选择多种类型的存储器
2023-08-17 09:54:20414 
铁电存储器被用于医疗病人治疗是生命监护仪，记录或监控病人的生命体征—心率、脉搏、血压、体温等。这些监护仪存储着病人预先记录的基准信息，可以和最近测量的数据进行对照，如果发生异常情况，监护仪就会
2023-08-16 10:30:26
（SMC）。AHB MC有四个可访问外部存储器的AHB端口。每个AHB端口都有一个到内存控制器的桥接接口。有一个单独的AHB端口用于配置内存控制器。SMC和DMC的特定配置被实例化以针对特定存储器设备。
2023-08-02 14:51:44
可访问外部存储器的AHB端口。AHB端口具有到内存控制器的桥接接口。有一个单独的AHB端口用于配置内存控制器。SMC的特定配置被实例化以针对特定存储器设备。图1-1显示了AHB MC（PL241）配置
2023-08-02 07:14:25
（SMC）。AHB MC有四个可访问外部存储器的AHB端口。每个AHB端口都有一个到内存控制器的桥接接口。有一个单独的AHB端口用于配置内存控制器。SMC和DMC的特定配置被实例化以针对特定存储器设备。图1-1显示了AHB MC（PL242）配置
2023-08-02 06:26:35
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
显示屏控制系统需要大量的内存来对信息进行存储，在以前的系统中主要是使用静态RAM加后备锂电池及电源管理芯片组成，系统相对来说比较复杂，不可靠因素相对增加。
2023-07-06 09:36:44260 
虚拟存储器(Virtual Memory)的基本思想是对于程序来说，它的程序(code)、数据(data)、堆栈(stack)的总大小可以超过实际物理内存(Physical Memory)的大小
2023-06-29 14:10:481390 
铁电存储器(FRAM)具有非易失性，读写速度快，没有写等待时间等优势，能够像RAM一样操作，低功耗，擦写使用寿命长，芯片的擦写次数为100万次，比一般的E2PROM存储器高10倍。特别适合在为工业
2023-06-29 09:39:03382 的信息不会丢失，且锂电池还存在使用寿命的问题，所以当使用了FRAM（铁电存储器）上述问题就将迎刃而解。将国产FRAM PB85RS128替代以前SRAM组成的显示屏
2023-06-28 11:43:30
易失性存储器的发展历程 继续关于存储器的发展回顾，上期我们回顾了非易失性存储器的发展史，本期内容我们将回顾易失性存储器的发展历程。易失性存储器在计算机开机时存储数据，但在关闭时将其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系统中的存储器主要用于存放系统程序、用户程序和工作状态数据。PLC的存储器包括系统存储器和用户存储器。
2023-06-26 14:02:453775 半导体存储器一般可分为易失性(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non Volatile Memory)。易失性存储器是指数据信息只有在通电条件下才能保存，断电后数据会丢失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
主存储器的主要技术指标
* **存储容量**
存储器可以容纳的二进制信息量（寻址空间，由CPU的地址线决定）
* **实际存储容量：** 在计算机系统中具体配置了多少内存。
* **存取速度：** 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，也称为读写周期；
2023-05-26 11:28:10823 
磁表面存储器——磁表面存储器，它们都是利用涂敷在载体表面薄层磁性材料来记录信息的，载体和表面磁性材料统称为记录介质。
存储密度——磁表面存储器单位长度或单位面积磁层表面所能存储的二进制信息量
2023-05-26 11:27:061411 和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。 PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工
2023-05-26 10:14:23
的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。1.1存储器ROM介绍rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，
2023-05-19 17:04:36766 
停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
1.1 存储器ROM介绍
rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了
2023-05-19 15:59:37
在定义方面它们有本质的区别，硬盘属于“ 非易失性存储器”，而内存是“随机存取存储器”，属于“易失性存储设备“。
2023-05-17 15:40:191542 单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
通过quad SPI接口选择FLASH存储器与RT1172一起使用时，应该将其设置为Buffer Read模式还是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。在第十三章以及第二十七章，已讲解存储器到存储器传输方式以及存储器到外设传输方式，本章将讲解DMA外设到存储器传输方式。使用串口1作为外设，通过串口调试助手等向开发板发送数据，数据会被返回给开发板并通过串口调试助手显示。
2023-04-20 16:37:41
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。前面已讲解过关于存储器到存储器数据传输方式，本章将讲解存储器到外设的传输方式以及在下一章将会讲解外设到存储器的传输方式
2023-04-20 16:35:13
等变化影响。独有的“微振动分析”技术、“自校准精度”技术、“小盲区”技术使之能够可靠应对多种液体工况的液位精确测量。与其他原理的几种液位计相比较，在测量装有涉及毒性气体、液化气体、剧毒液体的一级或者二级重大危
2023-04-19 14:24:28364 本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
和用于读取，写入和擦除数据的操作略有不同。而EEPROM指的是电可擦可编程只读存储器是一种存储器，可以在字节级别读取，写入和擦除数据。另一方面Flash是EEPROM的一种，在结构上以块的形式排列，在块中
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
其他存储器 8-TSSOP 1.8V 5.5V
2023-04-06 11:15:39
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
存储器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存储器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存储器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存储器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
FPGA - 配置存储器 IC - 配置存储器内存闪存 16Mb 40 MHz
2023-03-28 13:18:05
64 K（8 K×8）位I2C存储器FRAM
2023-03-27 13:39:18
电子发烧友App
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