FRAM铁电白皮书|型号、结构、优势、应用等

FeRAM铁电存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FeRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。

FeRAM的结构

锆 (Zr) 或钛(Ti)正离子在晶格中占据两个稳定位置，并且可以通过施加外部电场在两个位置之间移动。由于两个稳定位置都偏离电荷中心，因此在铁电材料中会出现两个相反方向的极化，图中向上或向下。即使去除了电场，也可以存储向上或向下极化，如果施加相反的电场，则可以在彼此之间切换。

铁电膜的上下设置有电极，构成电容器，标示出电极电压及极化量时，能够实现磁滞 (过程)，从而能够记忆“1”或者“0”。铁电存储器就是利用了这种非

FeRAM阵容

富士通车规级SPI接口铁电存储器(用于高可靠性应用,符合AEC-Q100可靠性实验标准)

MB85RS4MTY(AEC-Q100)

MB85RS4MLY(AEC-Q100)

MB85RS2MTY(AEC-Q100)

MB85RS2MLY(AEC-Q100)

MB85RS512TY(AEC-Q100)

MB85RS512LY(AEC-Q100)

MB85RS256TYA(AEC-Q100)

MB85RS256TY(AEC-Q100)

MB85RS256LYA(AEC-Q100)

MB85RS128TY(AEC-Q100)

MB85RS64VY(AEC-Q100)

SPI接口(一般用途)

1) 快速读取模式时，可实现最大40MHz操作。

2) 有二进制计数器功能

3) 双SPI模式时，可实现最大7.5MHz操作。

MB85RQ8MX

MB85RQ8MLX

MB85RS4MTY

MB85RS4MLY

MB85RS4MT

MB85RQ4ML

MB85RS2MTY

MB85RS2MLY

MB85RS2MTA

MB85RS1MT

MB85RS1MT(1.7V)

MB85RS512T

MB85RS256TY

MB85RS256B

MB85RS128TY

MB85RS128B

MB85RS64VY

MB85RS64TU

MB85RS64T

MB85RS64T(1.7V)

MB85RS64V

MB85RS64

MB85RS16

MB85RS16N

MB85RDP16LX

I2C接口(用于高可靠性应用,符合AEC-Q100可靠性实验标准)

MB85RC512TY(AEC-Q100)

MB85RC512LY(AEC-Q100)

MB85RC256TY(AEC-Q100)

MB85RC256LY(AEC-Q100)

I2C接口(一般用途)

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

MB85RC256VPNF-G-JNERE1,MB85RC256VPF-G-BCERE1

MB85RC128APNF-G-JNERE1

MB85RC64TAPNF-G-BDE1,MB85RC64TAPNF-G-BDERE1,MB85RC64TAPNF-G-AWE2,MB85RC64TAPNF-G-AWERE2,MB85RC64TAPNF-G-JNE2,MB85RC64TAPNF-G-JNERE2,MB85RC64TAPN-G-AMEWE1

MB85RC64APNF-G-JNERE1

MB85RC64VPNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNE1,MB85RC16PNF-G-JNERE1,MB85RC16PN-G-AMERE1

MB85RC16VPNF-G-JNN1E1，MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1，MB85RC16VPNF-G-AWE2，MB85RC16VPNF-G-AWERE2

MB85RC04PNF-G-JNERE1

MB85RC04VPNF-G-JNERE1

并行接口铁电存储器

MB85R8M1TAFN-G-JAE2，MB85R8M1TABGL-G-JAE1

MB85R8M2TAFN-G-JAE2，MB85R8M2TABGL-G-JAE1

MB85R8M2TPBS-M-JAE1

MB85R4M2TFN-G-JAE2

MB85R4001ANC-GE1

MB85R4002ANC-GE1

MB85R1001ANC-GE1

MB85R1002ANC-GE1

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

RFID+RFAM

MB97R8110

MB97R8120

MB97R8050

MB89R118C

MB89R119B

MB89R112

验证用LSI

MB94R330

采用FeRAM代替EEPROM和闪存的优势

1.性能改进

由于快速的写入速度，即使在突然停电的情况下，FeRAM可以保存写入数据。不仅如此，FeRAM可记录数据比EEPROM和闪存更频繁。写入数据时，EEPROM和闪存需要高电压，从而比FeRAM消耗更多的功率。因此，通过使用FRAM，在电池供电的小型设备中的电池寿命可以延长。

总之，FeRAM可以：

在突然停电时FeRAM可以保存写入数据

可以进行频繁的数据记录

可以延长电池供电设备的电池寿命

2.降低总成本

在工厂中将参数写入每个产品的情况下，由于FeRAM与EEPROM和闪存相比可以缩短写入时间，因此FeRAM可以有助于降低制造成本。此外，FeRAM可以为您提供单一芯片解决方案从而代替多芯片解决方案，例如，由EEPROM + Flash组成的两个芯片方案，或由EEPROM + SRAM +电池组成的三个器件方案。

缩短在每个产品中写入参数的总时间

减少最终产品中使用的元器件数量

并口FeRAM vs. SRAM

具有并行接口的FeRAM与电池备用SRAM兼容，可以替代SRAM。

通过用FeRAM代替SRAM，客户可以期望以下优势。

1.降低总成本

使用SRAM的系统需要持续检查电池状态。如果用FeRAM替换后，客户可以从维护电池检查的负担中解放出来。此外，FeRAM不需要电池插座和防回流二极管，同时省去二者的安装空间。

FeRAM的单一芯片解决方案可以减少空间和成本。

免维护：无需更换电池

设备小型化：可以减少最终产品的元器件数量

2.环保产品

废旧电池会成为工业废料。通过用FeRAM替换SRAM +电池，可以减少备用电池。

减少电池处理

FRAM铁电存储器应用市场

物联网(Lot)

汽车

工业 (用于设施)

工业 (用于基础设施)

智能电表

企业

消费类

医疗类

联网