存储芯片价格触底？明年有望全面复苏

部分DRAM供应商很可能提出让客户提前拉货，将2024年Q1需求拉到今年第四季度。DDR5的市况扭转要来得更早一些，而NAND价格可能要更晚触底。下一个存储市场反弹的催化剂，可能是服务器市场的需求，2024年可能全面复苏。  

据台湾经济日报、科技新报援引美国市场调查机构发布的最新报告称，美光、西部数据等存储芯片供货商认为产品价格已跌到底，开始取消以折扣价提前进行批量交易的模式，甚至开始抬高价格。 该调查机构预计，Q3起，存储芯片价格下跌幅度将会收窄，部分产品合约价格很可能从Q4起出现上升拐点，不同产品线情况有别，明年有望全面复苏，具体来看：

在供应减少的推动下，DRAM价格将在未来2-3个月内将触底，部分DRAM供应商很可能提出让客户提前拉货，将2024年Q1需求拉到今年第四季度，推动Q4产品价格上涨；   DDR5的市况扭转要来得更早一些，今年下半年面向PC的DDR5内存价格将上调2-5%、面向服务器的DDR5内存价格将上调5-10%，目前一些供应商从7月开始推动Q3 DDR5价格上调；   至于NAND价格，该机构预计将会在明年上半年触底，供应商试图减缓价格下降，但数据中心等领域的NAND需求疲软和高库存仍是阻力，目前预测SSD价格三季度会环比下滑1-3%。

展望后市，该机构称，下一个存储市场反弹的催化剂，可能是服务器市场的需求，这部分市场有望于2024年出现反弹，推动产品量价齐升，到那时才可能全面复苏。 2022年下半年至今，存储芯片行业陷入供过于求的困境，产品价格“跌跌不休”，具有代表性的存储芯片DRAM的价格截至4月连续12个月下滑。作为价格指标的“DDR4 8GB”产品的6月的大宗交易价格比1年前下跌45%。 头部存储大厂如美光、三星电子、SK海力士等，都交出了黯淡的成绩单，仅看2023年Q1营收，原排第一名的三星被英特尔挤到第二名，SK海力士一举掉出前十名，直接导致全球半导体公司市值重新洗牌，三星电子被美国芯片设计公司博通超车，排名下滑至第四。

今年Q2起，多家供应商发出触底信号。 先是三星和美光向经销商发出通知，不再低价接单DRAM及NANDFlash，拒绝接受低于4月的报价。 5月份，有消息称长江存储原厂闪存正式开始涨价3-5%幅度后，三星电子、SK海力士等正在考虑提高报价。 6月下旬，供货商中仅三星愿意进行cSSD（消费级固态硬盘）提前交易，经销商希望供货商让步但都遭拒绝。

机构给出乐观数据及预期的同时，多家存储芯片厂商也从多角度证实行业触底。 三星、SK海力士Q2的DRAM出货量都优于预期，据称SK海力士的部分客户库存补货订单已开始兑现。 南亚科在最新一期法说会上称，尽管Q2整体平均价格（ASP）依旧微幅下跌，但已看到部分产品报价呈现平稳或小幅增长，高阶AI存储芯片及部分消费性存储芯片都开始涨价。

韩国券商6月份表示，从新产品来看，由于AI发展，DDR5和HBM需求迅速增加，预计将抵消DDR4的价格下降。美系外资也预估，AI相关的存储芯片业务今年有望成长三倍，主要由用于GPU的HBM以及用于AI服务器系统的128GB DDR5模块驱动。 不过，尽管目前多数贸易商认为存储芯片的现货价格已接近底部，但由于需求前景不乐观，预计消除过剩库存还需一段时间。 集邦咨询等机构便提醒，目前供应商全年库存应仍处高水位，今年DRAM均价欲落底翻扬的压力仍大，尽管供给端的减产有助季跌幅的收敛，然实际止跌反弹的时间恐需等到2024年。

编辑：黄飞