存储芯未来 视听新生活 | 佰维携嵌入式存储产品亮相CCBN 2023

4月19至21日，在北京首钢会展中心，佰维亮相 CCBN 2023，重点展示面向智能终端应用的嵌入式存储解决方案。CCBN作为世界知名的视听展会品牌，是全球广播电视和网络视听科技研讨、产业交流、创意交汇的重要平台。
 

佰维团队与客户合影留念

佰维在本届大会展示eMMC、UFS、LPDDR、DDR、ePOP/eMCP等嵌入式存储产品，以及智能电视、智能穿戴、手机/平板、物联网等存储解决方案。典型代表产品有：


佰维eMMC：稳定流畅、超长寿命，助力智能电视畅享新视界
 
针对高端智能电视应用需求，佰维推出MLC颗粒eMMC芯片解决方案。该产品顺序读写速度分别可达215MB/s、90MB/s，工作功耗仅为200mW。通过公司存储介质筛选和自研固件设计开发，佰维eMMC芯片具备高读写性能、可靠性、长使用寿命等特点，解决了智能电视开机卡顿、运行不畅的问题；凭借佰维自主开发的测试软件平台、核心测试算法及配套测试设备，佰维eMMC芯片拥有极高稳定性，避免出现频繁的异常掉电现象。
 
佰维LPDDR5：高效能、多容量，加速手机/平板升级迭代
 
LPDDR5支持多Bank Group模式，传输速率高达6400Mbps，传输带宽达到51GB/s，可提供16Gb-64Gb多容量可靠方案，多组电压动态调节使功耗降低30%。高性能、低功耗、更稳定可靠和多容量选择，佰维LPDDR5内存方案将有效满足中高端智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。
 
佰维ePOP E100：高性能、低功耗，赋能智能穿戴小而精
 
佰维依托研发封测一体化优势，推出了尺寸仅为10*10mm的ePOP E100产品，最大顺序读写速度分别为310MB/s、240MB/s。该产品集成高性能eMMC和LPDDR芯片，垂直贴装于CPU之上，较传统方案面积减少60%，同时减少了电流信号间的传输距离，兼备高性能与低功耗。因而，佰维ePOP E100尤其适用于对尺寸、功耗和可靠性要求高的智能穿戴设备，可为终端厂商提供快速、灵活落地的技术方案，缩短产品上市周期。
 
佰维UFS3.1：高读速、大容量，助力旗舰智能手机
 
面向旗舰智能手机，佰维推出了UFS3.1高速闪存，写入速度高达1200MB/s，容量高达512GB。佰维依托自研固件算法能力，同时根据JEDEC发布的UFS3.1规范，为UFS3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗；大幅缩短应用加载的等待时间，提升移动终端的工作效率。
 
佰维展台位于1号馆1111，我们诚邀您莅临参观与交流（联系电话：[phone]），共同探索合作商机！