富士通半导体（上海）有限公司今日宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员－SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8，SON-8是为该产品添加的新型封装。
2012-11-27 10:00:23
4212 串口RS-232/485输入的数据透明存储在SD卡中。数据存储器采用模块化设计，不需要用户对现有设备进行改造，实现数据实时存储。该产品已广泛使用于系统集成设备、自动化采集设备、高校、研究所重要实验装置
2012-11-20 14:00:52
为了满足消费者希望以智能手机取代车钥匙的需求，汽车行业正在经历着重大变革。随着“手机即钥匙”技术的普及，你不再需要传统的密钥卡，使用手机即可操作“被动门禁/被动启动”（PEPS）系统。低功耗
2022-11-09 06:28:08
低功耗蓝牙单芯片为物联网助力
2021-01-18 07:29:56
Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。于是，存储器的分类令人
2012-01-06 22:58:43
发展迅速。 2、铁电存储器FRAM 它是利用铁电材料极化方向来存储数据的。它的特点是集成度高，读写速度快，成本低，读写周期短。 技术资料出处:eefocus该文章仅供学习参考使用，版权归作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以发展迅速。 2、铁电存储器FRAM 它是利用铁电材料极化方向来存储数据的。它的特点是集成度高，读写速度快，成本低，读写周期短。技术资料出处:eefocus该文章仅供学习参考使用，版权归作者所有。AO-Electronics 傲壹电子 `
2017-12-21 17:10:53
、NAND 闪存、EEPROM（可擦除的可编程只读存储器）、FRAM（铁电存储器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性静态存储器）等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势：存储器
2019-07-23 06:15:10
flash存储转换成铁电存储,应该怎么改代码？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
一． 概述：FRAM是最近几年由RAMTRON公司研制的新型存贮器,它的核心技术是铁电晶体材料,拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256是一种铁电存贮器（FRAM）,容量为
2019-07-11 06:08:19
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器
2020-05-07 15:56:37
本帖最后由 skysoon33958085 于 2014-4-25 11:34 编辑
来源:与非网 摘要:铁电存储器(FRAM)以其非挥发性,读写速度块, 擦写次数多,和低功耗等特点被广泛应用
2014-04-25 11:05:59
)、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性
2014-06-19 15:49:33
1. 描述 引脚排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行电可擦除只读存储器(EEPROM)，分别采用4096/8192/16384×8位的组织结构
2023-09-15 07:53:08
摘要：介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列
2014-04-25 13:46:28
存储空间是如何进行配置的？存储器的特点是什么？FLASH和OTP存储器的功耗模式有哪几种状态？
2021-10-21 08:28:25
跑程序时候暂存临时数据的地方，一般不太大，从128字节到几K字节都有，一掉电数据就没了。EEPROM掉电也不丢数据的存储器，一般都用来存设置。可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0...
2022-01-26 07:14:56
我遇到很奇葩的需求——STM32外挂铁电存储器，要求：最好SPI接口；最好能满足64Kb容量；擦写次数百万次以上；支持的电压最高不超过5.5V。很奇葩的要求啊，这个可以有么？亲们，推荐下呗！
2014-05-26 10:53:41
描述PMP20026 参考设计可为 DDR4 存储器提供高效的低功耗解决方案。电源由 12V 的源供电，并将输出调节为 1.2V（电流高达 6A）。TPS53515 以单相降压模式运行（频率为
2022-09-15 07:36:02
stm32扩展铁电存储器FM16W08的程序怎么写？？有参考 的吗读写程序该怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
◎◎○○○○○写入时间◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存储单元存储在触发器电路在电容器中保持电荷使铁电发生极化将离子注入晶体管在浮栅中保持电荷在浮栅中保持电荷在浮栅中保持电荷
2019-04-21 22:57:08
大家可以看看终极存储器啊！
2012-04-21 10:37:24
的非易失性存储器，既可以进行非易失性数据存储，又可以像RAM一样操作。
本文将借助飞凌嵌入式OK3568-C开发板来为大家介绍一种采用FRAM的方案——使用SPI0挂载PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
我们公司是代理富士通铁电存储器FRAM，单片机和华邦的FLASH。因为刚开始接触到这一块，只大概了解是用在电表，工业设备等产品上。但是曾找了很多这种类型的客户，都普遍很少用，只是有一些对产品性能要求
2014-03-13 10:00:54
带FRAM存储器MSP430常见问题及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（铁电随机存取存储器）的首字母缩写，它是非易失性存储器
2018-08-20 09:11:18
富士通半导体（上海）有限公司供稿铁电随机存储器（FRAM） RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起，从而丰富了RFID应用。
2019-07-26 07:31:26
总线速度写入而无须任何写等待时间；●超低功耗。这种铁电存储器ＦＲＡＭ克服了以往ＥＥＰＲＯＭ和ＦＬＡＳＨ写入时间长、擦写次数少的缺点，其价格又比相同容量的不挥发锂电ＮＶ－ＳＲＡＭ低很多，因而可广泛
2019-04-28 09:57:17
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真铁电存储器FM25640吗？或者直接用哪儿器件可以替代仿真吗？
2015-07-27 17:24:15
低功耗蓝牙，无限可能改善您的汽车门禁系统的用户体验。用户可以简单地走到车辆上，用数字电话键将其解锁，然后让车辆使用其自定义的数字配置文件自动适应用户的首选设置，例如后视镜，座椅，方向盘和抬头显示器
2020-06-16 14:29:09
存储测试器有什么工作原理？存储测试器低功耗的实现方法有哪些？存储测试器技术指标有哪些？请问怎样去设计低功耗存储测试器？
2021-04-13 07:02:43
的连接方式与NOR闪速存储器相同，写入逻辑为反相（NOR写人时V th 变高，而AND式则降低），命名为AND式。现在的NOR闪速存储器也致力于改良，目的在于将写人操作也采用隧道方式以降低功耗，或者通过
2018-04-09 09:29:07
集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次
2021-11-10 08:28:08
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
LC87F17C8A是一个8位单片机和USB全速主机/设备控制器。128 k字节闪速存储器/ 8192字节的RAM / 48-pin。
2017-04-06 09:15:10
3 的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存储器，具有高速数据写入，低功耗和提供大量写入周期的能力。 框图 MB85R2001和MB85R2002 F
2020-06-28 16:04:16777 低功耗SRAM存储器应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品，是静态随机访问存储器的一种类别，静态随机访问存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺
2021-06-08 16:49:321933 应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。本篇文章代理商英尚微电子介绍富士通串行FRAM存储器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介质用于各种应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。富士通代理英尚微介绍富士通半导体128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394 
拍字节VFRAM新型3D铁电存储器PB85RS128C适用于便携式医疗刺激系统
2022-08-27 16:03:521037 电子发烧友网站提供《TPS53515低功耗DDR存储器电源参考设计.zip》资料免费下载
2022-09-06 16:18:370 在基于LORA的采集系统中，先通过传感器采集信息，并将信息进行放大等调理后，传输到主控MCU，最后主控MCU通过LORA的无线传输方式传输到后端，拍字节的容量为128Kb、支持SPI接口的铁电随机存取存储器（FRAM）设备PB85RS128就可应用其中
2022-12-14 14:51:13384 国芯思辰接触的一个客户在做座椅控制的相关产品，需要外挂一个小的存储器件用来存储少量的数据。此前该客户使用进口的富士通MB85RS128B，现需要一个与MB85RS128B功能相符，可相互兼容的国产器件用作国产化备选方案
2022-12-20 16:23:04584 PB85RS128铁电存储器是不需要备用电池就可以保持数据，和EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的耐高温、高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32672 无人机通过高清光学相机拍摄视频、机载SAR成像系统采集SAR图像，可以收集到人工原本无法获得的信息，完成原本无法做到的事，而信息的采集离不开数据存储系统的支持
2023-02-28 09:18:25495 在门禁系统数据存储的方案中，拍字节PB85RS128具有“高速数据擦写”、“高擦写耐久性”的特点（100万次写入周期、长达25年以上的数据保存时效）。
2023-03-01 14:03:55361 PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，对标富士通和赛普拉斯从原料上能做到不含铅，无污染。
2023-04-20 11:29:57224 铁电存储器硬件接线图传统的数据存储器，读写速度较慢，存储单元反复擦写后容易损坏，无法满足机舱油气浓度数据存储的要求，故此，国产铁电存储器可快速读写，擦写次数可达1E6 次读/写操作*1，是本方案最理想的选择。
2023-05-18 12:39:21137 
PB85RS2MC应用框图 PB85RS2MC芯片为低功耗9微安（待机），工作电压2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的温度范围内工作，芯片的数据在85℃工作环境下可以保存10年，在25℃工作环境下可以保存200年，且具有防潮、防电击和抗震等特性，能满足恶劣的环境条件。
2023-05-25 10:08:41495 
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
使用国产铁电存储芯片PB85RS2MC是一种最理想的选择。该芯片不但在功能上正好满足上述要求，而且凭借独特的优点性能是其它存储器都无法达到的。
2023-06-01 10:59:48188 
和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，该芯片不需要电池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
信息，容量要求128K，SOP8封装。这里提到拍字节VFRAMPB85RS128C（原P95S128KSWSP3TF），PB85RS128C是FRAM（铁电随机存
2022-08-19 14:08:11379 
在诸多工业、汽车等对可靠性有高要求的应用场景中，通常会使用FRAM存储器来储存系统中的重要信息，这得益于FRAM本身的特性，数据保存期限久、耐久性出色、擦写次数高，让FRAM在众多存储器件中脱颖而出
2022-09-08 14:25:25367 
蓝牙网关设备上，主控自带的数据存储往往不够用，这时候就需要外挂存储器进行数据的非易失性、安全存储，本文主要提到采用拍字节的新型3D铁电存储器(VFRAM)PB85RS128C在蓝牙网关设备中进
2022-09-19 14:00:42531 
存储器来完成。一般来说，额温枪的主控MCU不带可编程存储器，因此都需要外加。外加的存储器可以通过总线(I2C接口或SPI接口)和MCU进行通信和数据读写存储。本文主要
2022-09-23 10:54:56366 音频电话会议需记录会议中的重要信息，所以其用来存储数据模块的存储器要求具有安全、可靠的特性。下图为音频电话会议的简略框图，该方案中存储模块采用拍字节的PB85RS128C，该器件可替换赛普拉斯
2022-09-30 15:36:33448 、128KB容量、低功耗、工作电压低至2.8V，而且必须是SPI通讯。根据项目需求，我们提到了拍字节的PB85RS128C，兼容SPI通信接口，工作电压2.7V~3.6
2022-10-13 14:29:37439 
，越是对使用有限制、有要求的场景，就越会使用FRAM来存储系统中的重要信息，在一汽车尾门控制器中，就有使用拍字节的PB85RS128C，本文将详细介绍相关参数及应用
2022-10-18 17:50:29342 
本文简述国产拍字节铁电存储器(VFRAM)应用于心率血压测量装置的方案。在全球老龄化趋势加重、疫情持续影响卫生系统的时代背景下，智慧医疗设备的应用需求越来越广泛，其中，心率血压测量计作为基础生物体
2022-10-24 09:35:24342 
字量采样经过ADC和光耦送入CPU进行数据的存储和运算。因此，一个合适的随机存储器必不可少。CPU控制系统图本文主要提到拍字节的128Kb铁电存储器(VFRAM)PB
2022-10-27 16:12:31433 
进行分析、跟踪等。某工程师需要一个128K、低功耗的FRAM，本文主要提到的是拍字节的PB85RS128C，该器件和赛普拉斯FM25V01-G以及富士通MB85RS
2022-11-04 11:18:11372 
C，支持SPI和百万次读写周期，-25℃~60℃的工作温度范围。PB85RS128C是拍字节的一款容量为128Kb的SPI接口FRAM，该铁电存储器用于智能照明灯有如
2022-11-17 14:37:32499 
PB85RS128C是国产128KbFRAM，其运行电流为5mA，低功耗模式下电流在10μA以内，满足汽车钥匙对存储器的功耗要求。应用优势：•在供电方面，拍字节铁电存储
2022-11-23 10:25:54449 
)PB85RS128，该FRAM采用SPI接口，同时支持工业级-40℃~85℃的温度范围，也被广泛用于仪器仪表、安全系统、便携式医疗设备以及工业设备等。PB85RS
2022-11-25 09:27:52474 
的PB85RS128，该款铁电存储器（FRAM）采用标准的SPI接口进行通信，包含128Kb内存容量。无线耳机的基本原理框图在无线耳机中使用PB85RS128，会带来
2022-11-29 10:25:59423 
MB85RS128B，现需要一个与MB85RS128B功能相符，可相互兼容的国产器件用作国产化备选方案，规格需求如下：容量128Kb、工作温度-40℃~85℃、封装最好是SOP8。
2022-12-02 15:01:31392 
在一些工业环境应用中，测量重量等信息是必不可少的，有的设备还需要远程无线传输到后端。对此，基于LORA的信息采集系统应运而生。本文就此介绍了拍字节的PB85RS128在基于LORA的信息采集系统
2022-12-08 17:57:55290 
国芯思辰，国产芯片替代
2023-03-23 11:25:23270 
，铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据，特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合，而且与其MCU接口电路简单，应用方便，本文介绍了国产铁电存储器PB85RS2MC在其多MCU系统中的应用。
2023-06-20 14:19:25393 
记录仪器、数据采集、可移动数据存储器等方面的应用。本文主要介绍铁电存储器PB85RS2MC在智能配电箱中的应用。
2023-06-29 09:39:03382 ℃ – 最大8K字节RAM，支持奇偶校验 –128字节OTP存储器• CRC 硬件计算单元• 复位和电源管理 – 低功耗模式（Sleep，DeepSleep） – 上
2023-08-01 15:45:220 PB85RS2MC可替换MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（赛普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 PB85RS128可替换MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（赛普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 器必须具有如下三方面的功能：1、写入速度快，能及时记录数据，2、能在掉电的情况下保存数据，3、能记录数据发生的准确时刻。使用国产铁电存储芯片PB85RS2MC是一种
2023-05-24 11:42:10
和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。 PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工
2023-05-26 10:14:23
存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据，特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合，而且与其MCU接口电路简单，应用方便，本文介绍了国产铁电存储器PB8
2023-06-08 09:52:17
的信息不会丢失，且锂电池还存在使用寿命的问题，所以当使用了FRAM（铁电存储器）上述问题就将迎刃而解。将国产FRAM PB85RS128替代以前SRAM组成的显示屏
2023-06-28 11:43:30
发出警报声。 本文主要介绍国产铁电存储器PB85RS2MC用于医疗生命监护仪的存储方案中。对于这些应用，铁电存储器与EEPROM相比可以更频繁地写入，设备可以
2023-08-16 10:30:26
随着高速数据通信的进步，数据更频繁地发送意味着对非易失性存储器的需求增加，因为非易失性存储器可以承受这种频繁的数据操作。铁电存储器是具有物联网新时代所要求的高读写耐久性和快速写入速度的理想存储设备
2023-08-24 10:05:59
或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。故此铁电存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件，无论是BMS，还是VCU，这些系统
2023-09-01 10:04:52
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
的系统硬件设计。 其中铁电存储器可使用国芯思辰PB85RS2MC，凭借高速读写功能，记录仪可以实时在线记录现场数据，并可以通过以太网通信方式与上位机进行
2023-11-15 10:34:19
要考虑到电能系统复杂多变的环境、低功耗、读写操作频率和断电保存的能力。目前符合电能质量监测系统存储要求的是国产PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），两款
2023-11-17 10:28:51
存储中，铁电存储器在数据存储方面的出色性能，可以应用在大量的现代仪器仪表中，如水表、煤气表、门禁系统、医疗设备、自动取款机、汽车记录仪、工业仪器等等。国产铁电存储器
2023-11-21 09:59:20
易失性存储和精确的实时时钟，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于该存储系统中。铁电存储器PB85RS2MC在系统主要是实现数据的非易失性存储和的实时时
2023-11-27 10:17:05
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
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