拍字节专注新型3D铁电存储器(VFRAM)，弥补两大主流存储器的巨大鸿沟

无锡拍字节科技有限公司自成立以来，一直专注于新型存储芯片研发与销售的高新技术，尤其是新型3D铁电存储器（VFRAM）新材料的研发，3D架构和工艺的创新设计以及相关产品的制造及量产。经过不懈的努力，拍字节公司克服了代工厂相关工艺缺乏、行业技术支持空白等种种困难，探索出替换传统高污染铁电材料的High-K材料。2019年10月完成芯片设计；2019年11月开始流片；2020年3月流片实现读写功能；2020年7月实现良率突破；2020年12月实现第一代铁电存储器产品（存储容量为64Kb-4Mb）的小批量试产，打破美日垄断（因传统铁电材料高污染的缺陷，使得全球只有美国和日本两条专用产线），成为国内第一款铁电存储器产品，截至目前已开始量产；2021年之后，公司根据详细的研发设计规划和预期实现的目标，稳步推进第二代铁电存储器的产品（存储容量64Mb-1Gb）及第三代铁电存储器产品（存储容量为2Gb-8Gb）的研发、量产和上市。
拍字节新型3D铁电存储器（VFRAM）属于FRAM的一种，这是融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的新型内存。同EEPROM、FLASH等非易失性存储器相比，具有优越的耐高温、高速写入、高读写、耐久性和低功耗的优点，在所有存储器中，性能是数一数二的。而传统的铁电存储器存在强污染性，产量难提升，仅应用于2D架构，存储密度很难提升等弊端。据拍字节介绍，公司研发的新型3D铁电存储器在材料上创新性使用无污染材料的High-K材料，可以共用正规Fab里的 CMOS生产线，经济和快速地把产品推向市场；在工艺和设计上创新性采用3D架构，极大提升存储密度。该新型铁电存储器不但具有一般铁电存储器的优良性能，而且由于使用了新型的High-K材料和立体存储架构，同时具备高密度和低成本的优势。使得新型铁电存储器具备高速度，高耐久度，低功耗及低成本的全面优势，能够取代NOR闪存和DRAM产品并成为智能物联新时代主流产品的能力。

综合来看，新型3D铁电存储器（VFRAM）具有以下几方面的优势和特性：1、非易失性：数据存储时长是闪存的10倍；2、超低功耗：闪存的千分之一；3、高速读写：达到DRAM级别，速度是闪存的上千倍；4、高耐久度：达到万亿次读写，是闪存的上亿倍；5、耐高温：可在高温下工作10年以上。 拍字节新型3D铁电存储器优势型号 P95S128KSWSP3TF P95S128KSWSP3TF描述 该FRAM芯片（铁电随机存取存储器）配置为16,384×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM，且不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据写入时间，而且它不需要等待时间。 P95S128KSWSP3TF特点 容量：128Kb接口类型：SPI接口(模式0)工作电压：2.7伏至3.6伏工作频率：25兆赫兹功耗：5毫安(最大值＠25兆赫兹)低功耗：10微安@待机耐久度：1E6读/写数据保持：20年@25℃高速读特性：支持40MHZ高速读命令工作环境温度范围：-25℃至60℃封装形式：8引脚SOP封装对标赛普拉斯型号：FM25V01-G对标富士通型号：MB85RS128B

使用说明：*由于FRAM存储采用破坏性读出机制操作，这里的耐久性的最小值定义为读和写的次数的总和。*请不要在回流焊之前写入数据，建议只做一次回流焊，不建议返工。
据拍字节方面透露，公司一代产品目前主要客户为打印耗材厂商（与国内头部墨盒厂商都建立了良好的合作关系）及智能电表厂商。根据客户反馈，公司产品在性能提升和国产化替代方面都有显著的优势。