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电子发烧友早八点讯：随着全球移动芯片市场的爆发性增长，重塑了半导体产业格局，也给中国半导体产业带来了弯道超车的机会。自2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》发布并同期成立国家集成电路产业领导小组和国家集成电路产业投资基金以来，中国各地政府围绕集成电路产业发展进行战略部署，提升中国半导体产业在设计、制造和封测等技术上的长足进步，吸引了各路资本的迅猛支持，加大了自主创新的技术导入，推动了集成电路大时代的到来。
笔者通过梳理《国家集成电路产业发展推进纲要》发布前后中国半导体投资案例，发现近年来围绕紫光、武汉新芯、海力士、合肥长鑫、三星、联电、英特尔、福建晋华、台积电、中芯国际等十家半导体厂商发生的中国十一大半导体投资案总额已经超过1000亿美元。
1、紫光南京半导体产业基地项目投资案最大
2017年1月份，紫光集团宣布紫光南京半导体产业基地及新IT投资与研发总部项目，在南京正式签约，总投资2600亿元人民币，其中约300亿美元投向紫光南京半导体产业基地。
据悉，紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。
紫光南京半导体产业基地项目位于南京市江北新区浦口经济开发区集成电路产业园，以存储芯片及存储器尖端制造环节为突破口，集存储产品设计、技术研发、生产制造、销售于一体，可带动设计、制造、封装、测试等集成电路产业链的发展。
而除紫光南京半导体产业基地项目外，紫光集团还将投资约300亿元围绕南京半导体产业基地建设配套IC国际城，包含科技园、设计封装产业基地、国际学校、商业设施、国际人才公寓等综合配套设施，由紫光集团旗下紫光云数科技有限公司为主体。该项目将遵循“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”三合一的新模式。该项目巨额的投资强度居中国集成电路行业单体投资前列，将产生巨大的虹吸效应，并吸引更多的产业链企业和科技人才聚集，加快本地高新产业发展。
2、武汉新芯32层3D NAND芯片通过各项指标测试
2016年3月28日，国家存储器基地项目揭牌落户武汉新芯，项目总投资达240亿美元（约1600亿元人民币）的存储器基地正式启动，以生产Flash、DRAM等存储芯片为主，发展3D NAND技术。
该项目位于湖北武汉东湖高新区的光谷智能制造产业园，建设内容包括芯片制造、产业链配套等，将在5年内投资240亿美元，预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能，年产值将超过100亿美元。而这一存储器基地项目以芯片制造环节为突破口，涵盖存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售等。
2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司（以下简称长江存储）正式成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯的基础上建立长江存储，赵伟国任长江存储董事长。武汉新芯将是长江存储的全资子公司。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。项目一期计划2018年建成投产，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。目前，长江存储的32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，预计2018年实现量产，并于2019年实现产能满载。
3、SK海力士无锡12吋厂进入六期技术升级
自2005年以来，历经5期重大投资建设，海力士在江苏无锡12吋厂累计投资额达105亿美元，是江苏省单体投资规模最大的外商投资项目。
2017年6月，SK海力士12吋集成电路生产线六期技术升级项目，利用SK海力士半导体（中国）有限公司自有存量土地，引进新设备，将半导体生产技术升级至1Y纳米级别。项目建设后，形成每月9万片的生产能力。
据悉，本次六期工程将现有的20nm级产品大部分升级至10nm级产品的同时，进一步降低10nm级产品的线宽。本项目建成后，全厂将形成总产量121K片/月12英寸集成电路芯片的生产能力，其中10nm级产品115K片/月，20nm级6K片/月。2017年计划投资46亿元，将于2019年建成投产。
4、合肥长鑫兴建12寸晶圆厂投产DRAM
2017年5月，由合肥市政府支持的合肥长鑫公司宣布，预计由合肥长鑫投资72亿美元的金额，兴建12寸晶圆厂以发展 DRAM 产品，以生产 19nm DRAM 产品为主，预计最大月产将能高达 12.5万片的规模。
据悉，这家由合肥长鑫公司所创立，名称为 Rui-Li 集成电路公司的12寸晶圆厂，预计在 2018 年第 1 季开始安装生产设备，并且开始与晶圆供应商进行商谈，以确保 2018 年内获得稳定的晶圆供应。在晶圆厂建设完成之后，月产能预计将高达 12.5 万片，其规模与韩国SK Hynix现在的产能差不多。
目前，合肥长鑫的施工速度要比长江存储的速度快一些，厂房正在加速建设中，预计9月完成。从产品的原型设计，到试量产仍需要一年多的时间，加上产能的提升，预计2019年2月才能实现大规模量产，2019年底有望实现12.5万片的月产能。
5、三星西安厂有望扩产，传9月动工
三星电子早在2012年宣布在陕西西安设立三星半导体西安工厂，工厂建设初期所投入23亿美元资金，并计划将在数年间对工厂阶段性地分批投资70亿美元。
根据计划，三星电子计划分三期建设完成，一期投资的12英寸闪存芯片项目在西安高新区开工奠基，到2013年年底达到设计产能后，每月可生产NAND闪存芯片10万片。
2014年首次启动的西安工厂，是三星3D V-NAND的核心生产基地。相关人士表示，启动不到2年的西安工厂，如以晶圆投入基准来看，已逼近每月10万片水准，产量大大超过原本预估的6万~7万片水准。
2017年5月，三星电子正在考虑扩大西安工厂的产能，但具体细节还未确定，包括可能的投资规模以及新增产能将用于生产哪些产品。消息人士透露，三星与西安政府正进行协商最后阶段，很可能在9月动工。目前，三星西安厂现有第一产线是在2014年兴建，月产12万片NAND内存晶圆，若加上规划中的第二产线，产量将达20万片。
6、联电厦门12寸晶圆厂切入28纳米，Q3量产
2015年3月晶圆代工厂联电与厦门市政府、福建省电子信息集团合资成立晶圆厂联芯集成电路开始动工，并在同年11月宣布，厦门12寸合资晶圆厂联芯集成电路制造（厦门）开始营运，这是首座两岸合资12寸晶圆厂，投资金额将达到62亿美元。
据悉，联芯集成电路12寸厂于2014年底筹建，2016年12月试生产。初期将投入40/55纳米晶圆代工，月产能可达6000片12寸约当晶圆的数量，后逐步过渡到最先进的28纳米，锁定通讯、信用卡、银联卡等芯片应用。
2017年5月，联芯在联电的协助下，28纳米制成初期投产的良率高达94%，显示了联电在28纳米制程技术上的稳定性。目前，联芯有40纳米的月产能达6000片，2017年年底前月产能将拉高至1.6万片。
目前，联电的先进制程技术已前进至14纳米，转投资的厦门联芯也已获准切入28纳米。联电财务长刘启东表示，联芯引进28纳米制程之后，本季投产5000片，预计第3季产出，主要是供应大陆客户通讯应用所需，后续规划今年底前再增5000片设备装机，明年初投产后，估计明年中会开始有产出。后续联芯产能扩增到2.5万片的部分，会以28纳米为主，但扩产时程未定。
7、英特尔大连NAND Flash厂今年实现增资扩建
2015年10月20日，英特尔宣布与大连政府配合，将原先以 65 纳米制程生产处理器芯片的中国大连厂，转型为生产最新的 3D NAND Flash 芯片，总投资金额高达 55 亿美元。据英特尔投资金额与大连厂的产能建置来评估，每个月至少可布建 30，000-40，000 片的 3D-NAND Flash。
英特尔大连工厂2007年奠基，2010年正式投产。2015年决定增加投资55亿美元对英特尔大连工厂进行升级改造，打造世界最先进的非易失性存储设备制造基地。2016年7月，升级改造工程实现提前投产。大连工厂是英特尔在全球首个使用300毫米晶圆领先生产技术的NVRAM产品集成电路制造中心。
2017年5月，英特尔公司在英特尔半导体（大连）有限公司正式发布DC P4500及P4600系列两款世界领先的采用3D NAND技术的全新数据中心级固态盘新产品，并宣布将对英特尔大连工厂进一步增资扩建。这两款产品主要为云存储解决方案所设计，可应用于软件定义存储及融合式基础设施，代表着世界领先水平，标志着大连市集成电路产业跃上新高度，为大连成长为世界级的存储制造中心奠定了基础。
8、福建晋华12寸DRAM厂，最快明年9月投产
2016年5月，福建晋江与福建省晋华集成电路（集成电路）公司签约合作的12寸厂，负责DRAM的技术开发与生产的工作，最快2018年9月正式投产。
福建省晋华集成电路有限公司（简称晋华公司）是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资的集成电路生产企业，是国家大基金积极布局的战略项目。晋华项目总投资 370 亿元（约53亿美元），已纳入国家十三五集成电路重大项目清单，并得到第一笔 30 亿元国家专项资金支持，将通过引进***和全球技术、人才、资源，打造中国第一个自主技术的内存制造项目及 12 吋晶圆厂，争取 3-5 年内在国内主板上市。
据悉，福建省晋华12寸新厂初期将导入32纳米制程，预期在2018年9月开始试产，规划每月 6 万片 12 吋晶圆产能，投入DRAM及相关产品的研发生产与销售，预计2019年到2020年期间将月产能扩大至3万片。项目投产后，预计员工数将达 4000 多名。
2017年2月，联电资深副总经理陈正坤出任福建晋华集成电路总经理，联电表示，陈正坤将协助晋华建厂，力争今年10月底完成FAB厂房主体结构，最快2018年9月正式投产。2017年4月~6月晋华已计划推出R＆D迷你产线，以实现每月5000片的产能。
9、台积电南京12寸晶圆厂开工，7nm 年内tape out
2016年3月28日，台积电与南京市政府共同签订投资协议书，确立将以总投资额30亿美元在南京市成立100%持股的台积电（南京）有限公司，该公司下设一座12吋晶圆厂及一个设计服务中心。
台积电在南京市的12吋晶圆厂位于南京市浦口经济开发区，该厂规划月产能为2万片12吋晶圆，预计于2018年下半年开始生产16纳米制程，2019年规划产能全部达产。这是继联电、力晶之后，***赴大陆设立的第三座12寸晶圆厂，也是台积电在大陆第一座12吋晶圆厂。
业界预计，台积电南京厂投产后，台积电芯片的全球占有率将由55%增至57%；台积电的30亿美元投资，将带动超过300亿美元的产业发展。
2017年3月，台积电南京有限公司总经理罗镇球表示，台积电7纳米预计2017年下半将为客户tape-out生产。此外，他透露EUV最新曝光机台在台积电已经可以达到连续3天稳定处理超过1500片12吋晶圆。台积电南京厂预计2017下半年就要移入生产机台；2018上半年试产，2018下半年正式投入量产。
10、英特尔15亿美元入股紫光展锐，持股占比20%
2014年9月26日，英特尔和紫光集团今天共同宣布，双方已签署一系列协议，英特尔同时将向紫光旗下持有展讯通信和锐迪科微电子的控股公司投资人民币90亿元（约15亿美元），并获得20%的股权。
双方称，上述协议旨在通过联合开发基于英特尔架构和通信技术的手机解决方案，在中国和全球市场扩展英特尔架构移动设备的产品和应用。
2017年2月，双方深度合作的首款芯片SC9861G-IA正式问世。展讯推出14nm八核64位LTE SoC芯片平台SC9861G-IA，采用英特尔14纳米制程工艺，内置英特尔Airmont处理器架构，具备高效的移动运算性能和超低功耗管理，将为终端用户带来旗舰级的用户体验。英特尔从工艺制程到芯片架构给予了大力支持，期待展讯充分利用英特尔在工艺和应用上的优势，在市场竞争中抓住机会。
11、中芯国际收购意大利8寸晶圆代工厂LFoundry 70%股权
2016年6月24日，中芯国际、LFoundry Europe GmbH与Marsica Innovation S.p.A.共同宣布，三方签订协议，中芯国际将出资4900万欧元（约5680万美元），收购由LFE以及MI控股的意大利集成电路晶圆代工厂LFoundry 70%的股份。
此次收购使中芯国际和LFoundry双方受益，不仅提高了联合产能，扩大整体技术组合，更能帮助中芯国际拓展在汽车电子市场的机会。据悉，2016年中芯国际12寸月产能达6.25万片，8寸月产能达16.2万片，折合8寸晶圆产能每月约30.26万片。LFoundry的8英寸晶圆产能为每月4万片，交易完成后 ，帮助中芯国际的整体产能提升约 13% ，有助于提高对客户产能支援的灵活性，为中芯国际和 LFoundry带来更多的商机 。
LFoundry致力于汽车电子、安全及工业应用，包括CIS、智能电力、轻触式显示屏及嵌入式存储器等，这是中国内地集成电路晶圆代工业首次成功布局跨国生产基点，中芯国际不仅在政策收紧前完成了此次收购，还凭借此项收购正式进驻全球汽车电子市场，实现在技术、产品、人才和市场方面的优势互补。
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