电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>制造/封装>高数值孔径EUV的技术要求是什么

高数值孔径EUV的技术要求是什么

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

今日看点丨小米印度公司将进行业务重组;28nm改40nm?印度要求鸿海Vedanta合资晶圆厂重提申请

1.ASML 和IMEC 宣布共同开发high-NA EUV 光刻试验线   据报道,比利时微电子研究中心 (IMEC) 、阿斯麦 (ASML) 于6月29日宣布,双方将在开发先进高数值孔径
2023-06-30 11:08:59934

EUV热潮不断 中国如何推进半导体设备产业发展?

,购买或者开发EUV光刻机是否必要?中国应如何切实推进半导体设备产业的发展?EUV面向7nm和5nm节点所谓极紫外光刻,是一种应用于现代集成电路制造的光刻技术,它采用波长为10~14纳米的极紫外光作为
2017-11-14 16:24:44

ADC引脚的最小电流要求是多少?

朋友们,ADC引脚的最小电流要求是多少?
2019-09-16 09:16:34

CDMA手机入网测试实验室测试要求是什么

CDMA手机入网测试实验室测试要求是什么CDMA手机实验室测试标准是什么
2021-05-06 09:23:49

FPGA的电源要求是什么?

降等);5) 低噪声。当然,个别FPGA的电源要求更细。-综上所述,说白了达到这些要求是作为FPGA电源的条件。的确如此。也就是所作为电源,要“低电压大电流条件下实现电压精度、低噪声”,说实话这是相当不容易的课题。
2018-12-03 14:40:01

HD系统的性能要求是什么?

HD系统的性能要求是什么?多核和可编程架构的烦恼是什么?
2021-06-03 06:16:15

Linux运行的最低要求是什么

我们经常可以看到初学者在单片机论坛中询问他们是否可以在他们微不足道的小的8位微机中运行Linux。这些问题的结果通常是带来笑声。我们也经常看到,在Linux论坛中,询问Linux运行的最低要求是
2021-08-20 06:26:49

PCB板对贴装压力控制的要求是什么

PCB板对贴装压力控制的要求是什么对贴装精度及稳定性的要求芯片装配工艺对贴装设备的要求对照像机和影像处理技术要求对板支撑及定位系统的要求
2021-04-25 06:35:35

USART工作基本要求是什么?

USART主要特性是什么?USART工作基本要求是什么?
2021-12-13 07:19:58

WCDMA终端的法定要求是什么?

WCDMA终端的法定要求是什么?PTCRB组织的要求是什么?WCDMA一致性测试的解决方案
2021-05-26 06:24:01

[VritualLab]什么是超短脉冲的时空特性?

脉冲特性,如以下示例所示。NA透镜的脉冲聚焦在超短脉冲的空间和时间轮廓上,我们研究了使超短脉冲通过具有数值孔径的透镜传播的效果。飞秒脉冲聚焦在VirtualLab Fusion中,我们模拟了使用NA抛物面反射镜对10 fs脉冲进行聚焦的过程,并研究了时间行为和空间特性。
2020-03-09 17:27:25

一种适用于WiFi工作的隔离度双极化孔径耦合天线设计

孔径耦合技术和双线馈电技术设计出了一种适用于WiFi工作的隔离度、双极化天线,通过实测分析不同贴片间距以及孔径大小对天线隔离度的影响,确定了最佳贴片间距和孔径尺寸,达到了较高的回波损耗和隔离要求:天线
2019-06-13 06:37:25

什么是电池管理系统?电池管理系统的设计要求是什么?

什么是电池管理系统?电池管理系统的设计要求是什么?
2021-05-12 06:48:37

光刻机工艺的原理及设备

、FinFET、Pitch-split以及波段铃木的光刻胶等技术,一只用到现在的7nm/10nm,但这已经是193nm光刻机的极限了。  在现有技术条件上,NA数值孔径并不容易提升,目前使用的镜片NA值
2020-07-07 14:22:55

基于DSP/实时的软件开发对仿真环境的要求是什么?

基于DSP/实时的软件开发对仿真环境的要求是什么?DSP系统的精确仿真和全面配置
2021-04-08 06:05:43

基站对集成度低噪放的要求是什么?

基站对集成度低噪放的要求是什么?
2021-05-21 07:05:31

汽车电子化进程对电源IC的要求是什么?

汽车电子化进程对电源IC的要求是什么?汽车电子化怎么实现?
2021-06-18 07:00:18

电动汽车对充电技术要求是什么?

电动汽车对充电技术要求是什么?
2021-05-13 06:39:10

电源设计技术要求是什么

电源设计技术要求:输入电压:6~35v输出电压:1: +1.2V, 2.5A(ARM_Corefxd,FPGA_Core)。2: +1.35V, 0.6A(ARM_Core,用作超频)。3
2021-11-15 08:02:44

请问DFB激光器对于恒流源的要求是怎么样的?

请问:DFB激光器对于恒流源的要求是怎么样的?电流的稳定性要做到什么程度才合乎要求
2019-04-30 13:48:15

请问pcb层设置与电源地分割要求是什么?

pcb层设置与电源地分割要求是什么?
2021-04-21 06:38:35

过孔VIA的孔径与外径

的,也没有出现过什么问题,因为之前也没有思考过这个问题,只看很多厂商一般要求大致的外径为孔径2倍差不多,但是为什么同事设计外径这么小供应商也直接生产出来了,而且使用没有问题,那么我想知道为什么一般厂商会要求外径比内径大那么多呢?过孔这么设计会有什么弊端呢?
2020-05-07 11:53:07

阻抗匹配技术无法匹敌孔径调谐技术

孔径调谐技术,一个Q值可变电容被放置在辐射元件的一个适当的位置。随着频率的变化的可变电容的负载会被动态调整,使得天线谐振频率与工作频率相匹配。匹配谐振频率与工作频率有利于使天线的馈电点阻抗在整个
2018-11-07 10:40:37

阻抗匹配技术无法匹敌孔径调谐技术是真的吗?

阻抗匹配技术无法匹敌孔径调谐技术是真的吗?
2021-05-20 06:04:58

高速ATE通道的关键要求是什么?

纳米制造的缺陷及后果是什么?SOC设计中的同步问题有哪些?高速ATE通道的关键要求是什么?
2021-05-17 07:03:10

高速数字电路设计的基本要求是什么

高速数字电路设计的几个基本概念高速数字电路设计的基本要求是什么
2021-04-27 06:19:05

二氧化硅/特氟龙AF包层光纤

二氧化硅/特氟龙AF包层光纤 二氧化硅/特氟龙AF包层光纤兼具超高数值孔径,高强度及宽带光谱传输等特性。因其可见光光谱保真度(源色不变黄),所以它是硼硅酸盐光纤的替代品(硼硅酸盐光纤要求
2021-10-20 15:12:35

数值孔径单石英光纤

数值孔径单石英光纤 Polymicro 旗下的DUV 系列石英光纤紫外波段可达180nm,整体传输波段从紫外覆盖到近红外(180nm~850n)。说明:Polymicro 旗下的DUV
2021-10-20 17:26:05

功率光纤组件(光纤跳线)

功率光纤组件(光纤跳线) 提供出色的热管理性能,同时最大程度减少连接器压力,用于保持数值孔径 (NA)。说明:Molex 的 Fiberguide 组件包括功率 SMA 和兼容
2021-10-21 17:02:50

光纤传输传感实验

【实验目的】1、LED 光源I-P 特性曲线测试。2、光纤数值孔径的测试。3、光纤纤端光场分布测试。4、反射式光纤位移传感实验。5、微弯式光纤位移传感实验。6、数
2009-03-06 11:40:0320

多模光纤到单模光纤耦合效率的研究分析

   由于多模光纤的纤芯直径远大于单模光纤的纤芯直径,且多模光纤的数值孔径也大于单模光纤的数值孔径,因此多单模转换效率极低。为了提高多模光纤到单模光纤的
2010-11-24 18:39:5231

功率要求是什么

功率要求是什么              功率要求是指各厂家的产品对外部电源的电流电压的要求,以及自身的额定功率和额定
2009-12-30 10:40:15709

光纤数值孔径测量实验

实验  光纤数值孔径测量 一  实验目的         1 加深对光纤数值孔径的理解       &nb
2010-08-22 09:20:467741

光纤技术:3.2 数值孔径(1)#硬声创作季

通信技术光纤
学习电子发布于 2023-01-07 11:03:17

光纤技术:3.2 数值孔径(2)#硬声创作季

通信技术光纤
学习电子发布于 2023-01-07 11:03:59

EUV光刻工艺终于商业化 新一代EUV光刻工艺正在筹备

达到理想状态,EUV工艺还有很长的路要走。在现有的EUV之外,ASML与IMEC比利时微电子中心还达成了新的合作协议,双方将共同研发新一代EUV光刻机,NA数值孔径从现有的0.33提高到0.5,可以进一步提升光刻工艺的微缩水平,制造出更小的晶体管。
2018-10-30 16:28:403376

EUV光刻机对半导体制程的重要性

中心还达成了新的合作协议,双方将共同研发新一代EUV光刻机,NA数值孔径从现有的0.33提高到0.5,可以进一步提升光刻工艺的微缩水平,制造出更小的晶体管。  NA数值孔径对光刻机有什么意义?,决定
2018-11-02 10:14:19834

EUV曝光技术的未来蓝图逐渐“步入”我们的视野

技术节点的发展推动着半导体曝光技术解像度(Half Pitch)的发展,ArF液浸曝光技术EUV曝光技术等的解像度(R)和曝光波长(λ)成正比,和光学的数值孔径(NA,Numerical Aperture)成反比,也就是说,如果要增大解像度,需要在缩短波长的同时,扩大数值孔径
2019-01-17 09:31:344905

PCB线路板插装元器件的孔径尺寸及工艺要求

PCB线路板插装元器件孔径的设计主要依据引线大小、引线成形情况及波峰焊工艺而定。在考虑工艺要求的基础上应尽量选用标准的孔径尺寸。
2019-06-13 14:15:3415662

ASML最新一代EUV设备2025年量产

降低成本,使不仅晶圆代工业者积极导入,连DRAM记忆体的生产厂商也考虑引进。为了因应制程微缩的市场需求,全球主要生产EUV设备的厂商艾司摩尔(ASML)正积极开发下一代EUV设备,就是High-NA(高数值孔径EUV 产品,预计几年内就能正式量产。
2019-07-05 15:32:482520

关于EUV光刻技术的分析和应用

所以,很多用来提高细微化的办法都被限制了,因为波长和数值孔径是固定的,剩下的就是工程系数。光学方面,通过降低工程系数,可以提高解像度。和ArF液浸曝光技术一样,通过和Multi-patterning 技术组合起来,就可以达到实质上降低工程系数的效果。
2019-08-29 08:41:174520

显微镜物镜上的数值孔径是什么意思

孔径角(2)的一半。 数值孔径是物镜的主要技术参数之一,决定了物镜的分辨率。与物镜的放大倍数,工作距离,景深有直接关系。 一般来说,它与分辨率成正比,与放大率成正比,焦深与数值孔径的平方成反比,NA值增大,视场宽度与工作距离都会相应地变小。 fqj
2020-06-03 10:31:1714725

测径仪对安装环境的要求,它的具体要求是什么

-20~+50℃之间,在这个温度范围内,测径仪即可进行高精度的在线检测,该温度范围跨度较大,因此测径仪可以应用于多种场合。测径仪、LED显示屏对温度的要求是-15~50,终端工控机对温度的要求是0~35。 除了环境温度外,被测物的
2020-08-20 15:44:50383

光学系统设计的要求

光学系统的基本特性有:数值孔径或相对孔径;线视场或视场角;系统的放大率或焦距。此外还有与这些基本特性有关的一些特性参数,如光瞳的大小和位置、后工作距离、共轭距等。
2020-08-21 14:15:594090

三星要求ASML在一个月内交付9台EUV光刻设备

据韩媒报道,三星副董事长李在镕在访问荷兰期间,在会议上要求ASML在一个月内交付三星已购买的9台EUV光刻设备。 报道称,ASML正在审查三星的要求,这部分EUV设备最早可于11月运往韩国。 据悉
2020-10-30 14:13:081269

ASML研发更先进光刻机 高数值孔径极紫外光刻设计基本完成

:3400C这两款极紫外光刻机之后,还在研发更先进、效率更高的极紫外光刻机。 从外媒的报道来看,除了NXE:3600D,阿斯麦还在研发高数值孔径的极紫外光刻机NXE:5000系列,设计已经基本完成。 外媒在报道中也表示,虽然阿斯麦NXE:5000高数值孔径极紫外光刻机的设计已基本完成,但商
2020-12-29 11:06:572287

ASML新一代极紫外光刻机设计基本完成

12月29日消息,据国外媒体报道,ASML正在研发更先进、效率更高的高数值孔径极紫外光刻机:NXE:5000系列,设计已经基本完成,预计在2022年开始商用。
2020-12-30 10:29:302159

ASML下一代EUV光刻机延期:至少2025年

量产是2024-2025年间。 ASML的EUV光刻机目前主要是NEX:3400B/C系列,NA数值孔径是0.33,下一代EUV光刻
2021-01-22 17:55:242639

MT-007: 孔径时间、孔径抖动、孔径延迟时间——正本清源

MT-007: 孔径时间、孔径抖动、孔径延迟时间——正本清源
2021-03-21 03:54:536

电动汽车门锁的技术要求

顾名思义,电动车门锁是用来保护电动车安全的,(安全缆绳锁)那么它的技术要求是什么?以下小系列介绍电动汽车门锁的技术要求
2021-05-14 09:40:091048

ASML展示了有关其深紫外线和极紫外线曝光系统的最新信息

随着三星和台积电在7nm和5nm逻辑生产以及三星在1z DRAM生产中加大对标准0.33数值孔径(NA)系统的使用,EUV曝光的晶圆数量正在迅速增长
2021-05-17 14:49:123640

ASML第二代EUV光刻机跳票三年,售价恐贵出天际

左右,物镜的NA数值孔径是0.33,发展了一系列型号。 其中,最早量产出厂的是NXE:3400B,其产能有限,一小时生
2021-06-26 16:55:281203

ASML开发的下一代EUV平台

具有13.5nm波长源的高数值孔径系统将提高亚13nm半间距曝光所需的分辨率,以及更大的图像对比度以实现更好的印刷线均匀性。High-NA EUV光刻的分辨率通常被称为“13nm到8nm半间距”。
2022-06-02 15:03:561098

台积电将于2024年引进ASML最新EUV光刻机,主要用于相关研究

年引进ASML最先进的High-NA EUV光刻机,并且推动台积电的创新能力。不过另一位高管补充道:台积电并不打算在2024年将High-NA EUV光刻机投入到生产工作中去,将首先与合作伙伴进行相关的研究。 据了解,High-NA EUV光刻机的High-NA代表的是高数值孔径,相比于现在的光刻技术
2022-06-17 16:33:276499

浅谈高数值孔径EUV系统的好处

 在更高的孔径下,光子以更浅的角度撞击掩模,相对于图案尺寸投射更长的阴影。“黑暗”、完全被遮挡的区域和“明亮”、完全曝光的区域之间的边界变为灰色,从而降低了图像对比度。
2022-06-22 15:09:202054

EUV光刻机售价超26亿,Intel成为首位买家,将于2025年首次交付

3nm制程,据了解,更加先进的制程就需要更先进的光刻机来完成了。 光刻机厂商ASML为此正在研发新一代High NA EUV光刻机,这种EUV光刻机的NA数值孔径比现在0.33口径的EUV光刻机还要高,达到了0.55口径,也就是说High NA EUV光刻机的分辨率更高,能
2022-06-28 15:07:126676

三星斥资买新一代光刻机 中芯光刻机最新消息

三星电子和ASML就引进今年生产的EUV光刻机和明年推出高数值孔径极紫外光High-NA EUV光刻机达成采购协议。
2022-07-05 15:26:155634

数值孔径 EUV 系统的好处

随着光刻胶层变得更薄,整体光刻胶的特性变得不那么重要,并且光刻胶(暴露与否)与显影剂和底层之间的界面变得更加重要。
2022-09-21 11:05:28778

​焦点芯闻丨ASML 阿斯麦 CEO 透露高数值孔径极紫外光刻机 2024 年开始出货

热点新闻 1、 ASML 阿斯麦 CEO 透露高数值孔径极紫外光刻机 2024 年开始出货 据国外媒体报道,光刻机制造商阿斯麦的 CEO 兼总裁彼得・维尼克 (Peter Wennink),在本周
2022-11-18 19:00:033971

1纳米芯片代表什么?

据悉,下一代EUV光刻机必须要升级下一代的高NA(数值孔径)标准,从现在的0.33 NA提升到0.55 NA,更高的NA意味着更分辨率更高,是3nm之后的工艺必备的条件。
2022-11-30 09:52:4830113

光遗传学应用中所涉及到的光纤产品盘点!

在光遗传学的应用中,会使用到如光遗传跳线、光遗传插芯针、光纤旋转器和光纤耦合器/分束器(1×2或2×2)等产品。对于这些产品,根据不同的应用,又涉及到光纤芯径、数值孔径NA、出纤长度、插芯直径等众多
2023-01-10 09:54:57285

控制台应用于指挥中心的技术要求是什么?

控制台已经被各行业的指挥中心认可,精致的外观,复杂调理的走线,可升降可调节的功能有效的帮助工作人员完成复杂的工作,指挥中心也在受到控制台的影响高质量的完成工作任务,控制台担任着这么重要的任务?在定制时的技术要求是什么呢?
2023-04-11 17:12:37366

安全光栅的技术要求

安全光栅的技术要求是什么?
2023-06-09 14:44:52432

Led芯片对锡膏的要求是什么?有区别吗?

如今,锡膏主要用于LED电子行业的焊接和包装。LED芯片是LED电子行业的关键。对锡膏的要求是什么?操作有区别吗?下面锡膏厂家来为大家讲解一下:Led芯片一般是在细间距或大功率型的,因此需要经常
2022-12-23 17:01:37367

光刻技术的发展如何弯道超车或者换道超车

三十年来,半导体掩模技术基本保持不变,掩模的制作是在可变成形机上进行的,这些机器将可变元件限制在 45 度角。随着功能缩小并变得更加复杂,电子束和多束掩模写入器提供了设计的灵活性。现在,几乎 100% 的掩模都是使用多光束技术制作的,为高数值孔径系统上更复杂、更高效的设计带来了新的机会。
2023-08-01 11:21:26289

给芯片“续命”的一台机器 让高数值孔径EUV发挥作用

在过去的半个世纪中,我们开始将摩尔定律(即给定硅面积中的晶体管数量大约每两年翻一番,推动计算向前发展)视为刚刚发生的事情,就好像它是自然发生的一样。
2023-08-04 17:13:361556

为什么激光共聚焦显微镜成像质量更好?

VT6000激光共聚焦显微镜采用了激光扫描技术,具有的大光学孔径(显微镜接收到样品发出的光的能力)和高数值孔径物镜(镜头的放大倍数),使成像更清晰细致。
2023-08-22 09:09:23527

ASML CEO 承诺年底前交付首台 High-NA EUV ***;苹果与Arm签署新的芯片技术长期协议,延续至2040年以后

供应商出现了一些阻碍,但公司仍会按照此前设定的计划,在今年年底之前交付 High NA EUV 机器。 ASML 表示一台高数值孔径 EUV 光刻(High-NA EUV)设备的体积和卡车相当,每台
2023-09-06 16:50:06695

生产2纳米的利器!成本高达3亿欧元,High-NA EUV***年底交付 !

ASML是欧洲最大半导体设备商,主导全球光刻机设备市场,光刻机是半导体制造关键步骤,但高数值孔径(High NA)EUV,Peter Wennink指有些供应商提高产能及提供适当技术遇到困难,导致延误。但即便如此,第一批产品仍会在年底推出。
2023-09-08 16:54:10713

关于高数值孔径EUV和曲线光掩模等灯具的讨论

、电子设计自动化(EDA)、芯片设计、设备、材料、制造和研究)的47家公司的行业知名人士参与了今年的调查。 80%的受访者认为,到2028年,将有多家公司在大批量制造(HVM)中广泛采用高数值孔径EUV
2023-10-17 15:00:01224

数值孔径EUV的可能拼接解决方案

采用曲线掩模的另一个挑战是需要将两个掩模缝合在一起以在晶圆上形成完整的图像。对于高数值孔径 EUV,半场掩模的拼接误差是一个主要问题。
2023-10-23 12:21:41342

数值孔径 EUV技术路线图

数值孔径EUV 今年的大部分讨论都集中在EUV的下一步发展以及高数值孔径EUV的时间表和技术要求上。ASML战略营销高级总监Michael Lercel表示,其目标是提高EUV的能源效率,以及下一代高数值孔径EUV工具的发展状况。
2023-11-23 16:10:27255

孔径时间、孔径抖动、孔径延迟时间介绍

电子发烧友网站提供《孔径时间、孔径抖动、孔径延迟时间介绍.pdf》资料免费下载
2023-11-27 11:40:300

技术前沿:改变苹果制造的3D打印技术

这种基于光子束的增材制造技术在打印分辨率、成型质量、重复性、任意设计性和打印效率等方面具有显著优势:首先,光学微纳3D打印的分辨率主要取决于光学系统的衍射极限,如瑞利判据0.61λ/NA(其中λ和NA分别为光源波长和成像系统的数值孔径)。
2023-12-01 15:47:49583

pcb通孔的孔径有哪些?pcb过孔和通孔区别

pcb通孔的孔径有哪些?pcb过孔和通孔区别  PCB通孔的孔径有很多种类型,根据不同的应用需求和设计要求,可以选择不同的孔径。下面将详细介绍常见的几种PCB通孔的孔径以及PCB过孔和通孔的区别
2023-12-07 10:09:462433

剩余电流动作时间要求是什么呢?

剩余电流动作时间要求是什么呢? 剩余电流动作时间要求是指在电路中存在着出现短路或接地故障时,电器设备的保护措施能够及时地切断电路的时间间隔。这个时间间隔的要求是为了保证电器设备和人员的安全,防止电路
2023-12-25 15:12:41222

什么是光纤的数值孔径,其物理意义是什么

光纤的数值孔径是指光纤传输中心芯的直径与光纤外层材料的折射指数之间的参数差异。它是光纤传输的一个重要指标,对于确定光纤传输性能、光信号传输质量等具有重要作用。 为了更好地理解光纤的数值孔径,我们需要
2024-01-22 10:55:54413

数值孔径EUV光刻:引领下一代芯片制造的革命性技术

摩尔定律是指在给定面积的硅片上,晶体管的数量大约每两年翻一番,这种增益推动了计算技术的发展。在过去半个世纪里,我们将该定律视为一种类似进化或衰老的不可避免的自然过程。
2024-01-24 11:38:23139

英特尔成为全球首家购买3.8亿美元高数值孔径光刻机的厂商

英特尔最近因决定从荷兰 ASML 购买世界上第一台高数值孔径(High-NA)光刻机而成为新闻焦点。到目前为止,英特尔是全球唯一一家订购此类光刻机的晶圆厂,据报道它们的售价约为3.8亿美元
2024-03-06 14:49:01164

ASML 首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 完成安装

ASML 官网尚未上线 Twinscan NXE:3800E 的信息页面。 除了正在研发的 High-NA EUV 光刻机 Twinscan EXE 系列,ASML 也为其 NXE 系列传统数值孔径
2024-03-14 08:42:349

ASML推出首款2nm低数值孔径EUV设备Twinscan NXE:3800E

所谓低数值孔径EUV,依然是行业绝对领先。
2024-03-15 10:15:54126

押注2nm!英特尔26亿抢单下一代 EUV光刻机,台积电三星决战2025!

了。   芯片制造离不开光刻机,特别是在先进制程上,EUV光刻机由来自荷兰的ASML所垄断。同时,尽管目前市面上,EUV光刻机客户仅有三家,但需求不断增加的情况底下,EUV光刻机依然供不应求。   针对后3nm时代的芯片制造工艺,High-NA(高数值孔径EUV光刻机
2022-06-29 08:32:004635

已全部加载完成