日前,在台积电召开的会议上,有一名高管称台积电将于2024年引进ASML正在研发的最新的High-NA EUV光刻机。
会议中,该高管称:为了满足客户所需的相关基础设施的开发等,台积电将于2024年引进ASML最先进的High-NA EUV光刻机,并且推动台积电的创新能力。不过另一位高管补充道:台积电并不打算在2024年将High-NA EUV光刻机投入到生产工作中去,将首先与合作伙伴进行相关的研究。
据了解,High-NA EUV光刻机的High-NA代表的是高数值孔径,相比于现在的光刻技术,这种光刻机能够降低66%的尺寸,2nm及其之后的技术也都要靠High-NA EUV光刻机才能够实现,所以这种光刻机也被认为是延续摩尔定律的关键技术。
目前ASML还在制造High-NA EUV光刻机,首台将会在明年完工,不过正式投入使用估计要等到2025年了。
综合整理自 同花顺财经 澎湃新闻 IT之家
审核编辑 黄昊宇
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
台积电
+关注
关注
44文章
5810浏览量
177033 -
光刻机
+关注
关注
31文章
1201浏览量
49010 -
ASML
+关注
关注
7文章
738浏览量
43629
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
中国打造自己的EUV光刻胶标准!
其他工艺器件的参与才能保障芯片的高良率。 以光刻胶为例,这是决定芯片 图案能否被精准 刻下来的“感光神经膜”。并且随着芯片步入 7nm及以下先进制程芯片 时代,不仅需要EUV光刻机,更需要
俄罗斯亮剑:公布EUV光刻机路线图,挑战ASML霸主地位?
电子发烧友网报道(文/吴子鹏) 在全球半导体产业格局中,光刻机被誉为 “半导体工业皇冠上的明珠”,而极紫外(EUV)光刻技术更是先进制程芯片制造的核心。长期以来,荷兰 ASML 公
AI需求飙升!ASML新光刻机直击2nm芯片制造,尼康新品获重大突破
*1(L/S*2)高分辨率。扇出型面板级封装(FOPLP)技术为何会获得台积电、三星等代工大厂的青睐?比较传统的光刻机设备,尼康DSP-100的技术原理有何不同?能解决AI芯片生产当中
看点:台积电展示新一代芯片技术 特斯拉:努力在中国市场推出辅助驾驶
(低成本方案,适配手机/笔记本),并宣布至2029年均无需采用ASML高价High-NA EUV光刻设备。这意味着台
垄断 EUV 光刻机之后,阿斯麦剑指先进封装
能量产 EUV 光刻机的厂商,早已凭借这一垄断地位,深度绑定台积电等头部芯片制造商,左右着全球最先进 AI 芯片的产能与迭代节奏。如今,这家
AI驱动半导体行业变革:ASML解决方案应对算力与能耗挑战
电子发烧友网综合报道 在第八届中国国际进口博览会(以下简称“进博会”)上,全球光刻机巨头ASML以“积纳米之微,成大千世界”为主题亮相,向全球展示其面向主流芯片市场的全景
国产高精度步进式光刻机顺利出厂
系列。该系列产品主要面向mini/micro LED光电器件、光芯片、功率器件等化合物半导体领域,可灵活适配硅片、蓝宝石、SiC等不同衬底材料,满足多样化的胶厚光刻工艺需求。 WS180i系列光刻机优势显著。其晶圆覆盖范围广,可
【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+半导体芯片产业的前沿技术
%。至少将GAA纳米片提升几个工艺节点。
2、晶背供电技术
3、EUV光刻机与其他竞争技术
光刻技术是制造3nm、5nm等工艺节点的高端半导体芯片的关键技术。是将设计好的芯片版图图形转移到硅晶圆上的一种精细
发表于 09-15 14:50
突发!台积电南京厂的芯片设备出口管制豁免被美国正式撤销
最终用户”(VEU)资格。此举与美国撤销三星电子等在中国大陆拥有的工厂的VEU资格的做法如出一辙。这些豁免将于大约四个月后到期。 台积电在一份声明中表示:“
全球市占率35%,国内90%!芯上微装第500台步进光刻机交付
电子发烧友网综合报道,近日,上海芯上微装科技股份有限公司(简称:芯上微装,英文简称:AMIES)第500台步进光刻机成功交付,并举办了第500台 步进光刻机 交付仪式。
发表于 08-13 09:41
•2567次阅读
佳能9月启用新光刻机工厂,主要面向成熟制程及封装应用
7 月 31 日消息,据《日经新闻》报道,日本相机、打印机、光刻机大厂佳能 (Canon) 位于日本宇都宫市的新光刻机制造工厂将于 9 月正式投入量产,主攻成熟制程及后段封装应用设备,为全球芯片封装
ASML官宣:更先进的Hyper NA光刻机开发已经启动
电子发烧友网综合报道,日前,ASML 技术高级副总裁 Jos Benschop 表示,ASML 已携手光学组件独家合作伙伴蔡司,启动了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻机开发。这一举措标志着
发表于 06-29 06:39
•2144次阅读
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极
随着科技进步,对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关,电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长,而电子束聚焦后
发表于 05-07 06:03
台积电将于2024年引进ASML最新EUV光刻机,主要用于相关研究
评论