功率MOSFET管
自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电
2009-11-07 09:23:12
1870 借鉴作用。##采用 BCDMOS工艺制造高压功率MOSFET器件，它的局限性多于采用优化MOSFET工艺制造的器件。通常，采用BCDMOS工艺制造的芯片的单位面积 RDS（on）值会高出许多。
2014-03-11 10:38:302239 电源管理芯片广泛应用于板级电源系统中，包括控制器和功率MOSFET。但对于大电流电源管理芯片，基于不同半导体工艺的技术特点，即控制器和MOSFET所需要工艺的差别，可能无法使用同一半导体制程把两者
2023-03-15 10:17:572882 
【 2023 年 8 月 3 日，德国慕尼黑讯】 小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸
2023-09-06 14:18:431205 
`一、产品综述H6902芯片是一款具有自动调节频率、宽输入范围的电流模式升压（BOOST）芯片，且具有同步升压功能和可调限流功能。该电源芯片内部全集成低内阻功率 MOSFET，可以实现大功率输出
2020-10-14 14:24:07
MOSFET封装伸援助之手 满足芯片组移动新功能
2021-05-10 06:54:58
用于它们的负载点（POL）设计。当适应控制器和外部MOSFET时，这些应用极大地限制了主板空间。MOSFET和封装技术的进步使得TI能够成功应对这些挑战。诸如TI 2.x NexFET™功率
2019-07-31 04:45:11
功率mosfet 在中国IC市场中有很大的市场，2010年预计整个MOSFET的市场收益大于160亿。主要的应用使数据处理如： 台式电脑，笔记本，还有家电，汽车和工业控制。。功率MOSFET 按分装
2011-03-07 14:30:04
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
能力的快照。本网上广播将提供功率MOSFET数据表概览，和阐明具体的数据表参数和定义。 功率MOSFET有各种各样的尺寸、配置和封装，取决于目标应用的需求。功率MOSFET的尺寸从行业最小的封装
2018-10-18 09:13:03
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00:00
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估算功率MOSFET在开关
2017-02-24 15:05:54
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何计算 同步整流器的功耗如何计算
2021-03-11 07:32:50
这个损耗看成器件的感性关断损耗。3）开关损耗：开通损耗：考虑二极管反向恢复后：关断损耗：驱动损耗：十、功率MOSFET的选择原则与步骤1）选择原则：a.根据电源规格，合理选择MOSFET 器件（见下
2021-08-29 18:34:54
：考虑二极管反向恢复后：关断损耗：驱动损耗：功率MOSFET的选择原则与步骤（1）：选择原则（A）：根据电源规格，合理选择MOSFET 器件（见下表）：（B）：选择时，如工作电流较大，则在相同的器件额定
2021-09-05 07:00:00
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率MOSFET管的耐压主要通过厚的低
2016-10-10 10:58:30
MOSFET。2、N沟通和P沟道功率MOSFET驱动N沟道的功率MOSFET连接方式：电源输入正极连接到D极，由S极输出；驱动电压的正加在G极，驱动电压的负加在S极。P沟道的功率MOSFET连接方式
2016-12-07 11:36:11
了具备MOSFET寄生参数和电路板寄生参数的标准通孔封装传统的TO247（即：电源电流路径和驱动电流路径是相同的）。第三节将对最新推出的TO247 4引脚封装做详尽的电路分析，以表明TO247 4引脚
2018-10-08 15:19:33
开关，现在可以采用集成控制器，这些集成器件针对各种功率级别和应用进行了优化，通常可分为双芯片式和单芯片式两类。双芯片式包括控制器芯片和MOSFET芯片，而单芯片式仅有一个芯片，一般采用BCDMOS工艺
2018-09-27 15:28:58
概述 FM7318A是内置高压功率MOSFET的电流模式PWM控制芯片，适用于全电压18W离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。 为了保证芯片正常工作，FM7318A针对
2020-07-06 10:57:25
我公司提供整套1-3W4-7W9-12W的LED恒流驱动方案产品型号特性描述功率封装应用SP5615高精度原边反馈(内置MOSFET)功率开关芯片，无需431和光耦。5W DIP-81-3W
2011-12-18 23:08:56
的首选。电源芯片U6112包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET，专用于高可靠，极精简外围元器件的小功率LED照明。在恒流模式下，电流和输出功率可通过CS脚的Rs电阻进行调节。银联宝U6112电源
2020-03-18 14:38:11
MP9583是一个降压稳压内置内部功率MOSFET。完成连续的3A输出电流在宽输入电源范围内出色的负载和线路控制。 电流模式工作提供快速瞬态反应和简化环路稳定。
2021-04-27 07:40:32
) MOSFET功率模块的极低电感封装 这款全新封装专为用于公司SP6LI 产品系列 而开发，经设计提供适用于SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高开关频率以及高效率。美高森美将在德国
2018-10-23 16:22:24
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
、售前服务及服务，给用户提供最优质最具竞争力的产品以及最人性化最贴心的服务。一、概述OC5860 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5860在 5.5-60V 宽输入电源范围内
2020-05-11 11:42:56
的功率MOSFET，从而形成垂直的PNP双极结型晶体管。该附加的p+区域产生PNP双极结型晶体管与表面n沟道MOSFET的级联连接。 IGBT将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和
2020-07-07 08:40:25
可对导通损耗、整个器件和产品的性能产生重要影响。此外，由于这种最新技术的器件导通电阻尤其低，需要采用低电阻封装，避免器件的应用受封装特性限制。如今，多数厂商的30V MOSFET器件技术，其芯片导通阻抗
2018-12-07 10:21:41
标准(与线性电源相比具有更好的功率密度和效率)，组件设计人员设法通过芯片级创新和改进封装来不断提升功率MOSFET的导通和开关性能。芯片的不断更新换代使得在导通电阻(RDS(ON))和影响开关性能
2018-09-12 15:14:20
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出现改变了这一
2019-07-08 08:28:02
可以减小内部源极布线的电感，从而允许MOSFET实现高开关频率。TO263-7L采用7引脚封装，采用开尔文连接，适合表面安装。TO268-2L采用双引脚封装，中间没有引脚，以确保最佳的爬电距离。碳化硅
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
概述：TC427是TELCOM半导体公司生产的一款1.5A双高速功率MOSFET驱动器。双列直插DIP或贴片SOIC 8脚封装。输出峰值电流1.5A，最大输入电压18V。
2021-05-18 07:50:05
，TO-247-4这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响 （1）双脉冲测试时的重要注意事项---电流探头的相位
2023-02-27 16:14:19
温度为-40°C至105°C应用开关电源DC/DC转换器电机控制器线路驱动器D类开关放大器说明UCC27423/4/5系列高速双MOSFET驱动器可以将大峰值电流传输到电容负载。提供三种标准逻辑选项-双
2020-10-14 16:57:53
<br/> 功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点：<br/> 1．MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动
2010-08-12 13:58:43
集中度，决定了阈值电压VTH的大小。在很多电力电子和电源系统中，使用得最多的是通用驱动的功率MOSFET，也就是使用12V或15V的栅极驱动电压。这种类型功率MOSFET的VGS的额定值为±30V
2019-08-08 21:40:31
实现小外形尺寸的设计。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的双芯片不对称功率封装是MOSFET封装技术上的重大进步。这种封装使工程师能够改善电源的性能，缩小体积，以及简化设计，同时实现现在的消费电子产品所要求的高效率或性能。本新闻来自大联大云端`
2013-12-23 11:55:35
背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。2、选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：（1）温升和热
2019-04-04 06:30:00
功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件，它不但具有自关断能力，而且具有驱动功率小，关断速度快等优点，是目前开关电源中常用的开关器件。采用MOSFET 控制的开关电源具有体积小、重量轻
2021-11-12 08:50:12
LTC1981的典型应用 - 采用SOT-23封装的单和双微功率高侧开关控制器。 LTC 1981 / LTC1982是低功耗，独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压Tripler允许在不使用任何
2020-06-10 09:16:41
大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试，调门极电阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
` 本帖最后由 wangka 于 2011-9-23 17:23 编辑
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难
2011-09-23 17:22:52
功能。该电源芯片内部全集成低内阻功率 MOSFET，可以实现大功率输出的同时，大大简化了外部电路设计，同时实现低功耗，高效率电源开关。用户可灵活地通过外部补偿建立动态环路，获得在所有条件下最优瞬态性能
2019-12-04 16:53:35
功能。该电源芯片内部全集成低内阻功率 MOSFET，可以实现大功率输出的同时，大大简化了外部电路设计，同时实现低功耗，高效率电源开关。用户可灵活地通过外部补偿建立动态环路，获得在所有条件下最优瞬态性能
2019-11-07 14:59:48
在过去的十几年中，大功率场效应管引发了电源工业的革命，而且大大地促进了电子工业的发展。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
`大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术`
2012-08-20 16:15:28
如何实现高压MOSFET控制器简化非隔离开关的设计？
2021-10-12 11:44:30
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00:00
如何采用BGA封装的低EMI μModule稳压器简化设计？
2021-06-17 07:49:10
独创的小型大功率封装，是低导通电阻的元器件。这种产品从2007年4月开始逐步供应样品；预定从2007年8月开始以月产300万个的规模大量生产。生产过程的芯片工序在ROHM筑波株式会社（茨城县）进行；包装
2018-08-24 16:56:26
推荐一款双功率桥电机驱动芯片，带有精确的电流监控，电流控制和电流限制彻底解决传统功率桥芯片电流控制复杂的问题。提高控制感性线圈负载的电流精度。内置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
导读：近日，德州仪器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品
2018-11-29 17:13:53
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高压端和低压端栅极驱动以及两个功率MOSFET的LLC半桥功率级。图1（上）所示为采用HiperLCS器件的功率级结构简图，其中LLC谐振电感集成在变压器中
2019-03-07 14:39:44
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-12 03:43:18
`在追求不断提高能效的过程中，MOSFET的芯片和封装也在不断改进。尽管四十多年来我们对这种器件有了很多了解，但目前将它们有效地应用于电源产品依然面临挑战。根据具体应用建立FET性能模型并采用
2011-08-18 14:08:45
简化电源测试的SPST双极性功率开关
2019-04-03 14:23:32
MOSFET通过降低开关损耗和具有顶部散热能力的DaulCool功率封装技术可以实现更高的工作频率,从而能够获得更高的功率密度。 理想开关 在典型的同步降压开关电源转换器中,MOSFET作为开关使用时
2012-12-06 14:32:55
功率MOSFET来说，通常连续漏极电流是一个计算值。当器件的封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮的封装TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的结到裸露铜皮的热阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
TrenchFET® IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
10KHz的PWM控制MOSFET驱动中功率直流电机，该直流电机额定工作电压为12V，最大功率250W，在调试过程中发现，在电源输入端已加TVS管、电感、电容滤波等处理下，电源纹波仍然极大，原因应该是直流电机通断瞬间对电源产生了影响！不知道大家可有较好的办法？
2019-09-20 04:18:57
`在竞争激烈的市场中要想使产品脱颖而出必须坚持高质量低成本这一要求，这样才能占据有利的市场资源。深圳银联宝开关电源芯片U321是一款高性能低成本的PWM控制功率器，适用于离线是小功率型应用场合，外围
2018-10-24 14:10:27
小功率电源芯片。银联宝科技小功率电源芯片既有直插式封装的，也有表面黏贴式封装的。小功率电源芯片的应用范围十分广泛，发展电源管理芯片对于提高整机性能具有重要意义，对小功率芯片的选择与系统的需求直接相关。银联宝根据客户需求开发最优化的电源方案、定制方案。免费咨询电话：400-778-5088
2017-06-08 16:27:14
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power
supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。
功率MOS
2008-08-27 23:07:59
389 功率MOSFET的基本知识:功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变换器、DC／DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。本文将介绍
2009-09-23 23:09:4630 功率MOSFET驱动电路分析:针对功率MOSFET的特点，介绍由多个—概管组成的组台式驱动电路．在逆变焊接电源上做了实验．验证了该方法的合理性。关键词：功率MOSFET，半桥式电路，
2010-04-12 08:36:5470 小信号应用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:441420 NexFETTM：新一代功率 MOSFET
对于理想开关的需求
功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关，例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关
2010-02-06 09:16:011437 
开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃
功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专
2010-03-01 11:00:181505 基于功率MOSFET设计考量
用作功率开关的MOSFET
随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱
2010-04-24 11:44:421237 
采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49898 用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间
2010-05-12 18:17:18951 关于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术的 研究
2011-10-11 19:27:56186 根据MOSFET的简化模型，分析了导通损耗和开关损耗，通过典型的修正系数，修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗，计算结果表明该电源中
2011-11-14 16:46:22112 英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 目前，电源工程师面临的一个主要难题是，随着商用电子产品的功能日益增多，其尺寸不断缩小，留给电源电路的空间越来越少。解决该难题的办法之一就是充分利用在MOSFET技术和封
2012-10-09 13:53:28511 利用功率元件简化1kW电源设计 的PDF。
2016-01-06 18:03:430 电源设计——利用功率元件简化1kW电源设计
2016-05-24 16:45:550 DC_DC电源管理应用中的功率MOSFET的热分析方法
2017-01-14 12:32:1316 大家知道，逆变电源中用的最多的功率器件就是MOSFET了。特别是在低压供电的中小功率逆变电源中，到处都可以看到 MOSFET的身影。如何用好MOSFET，关系到逆变电源的各种性能，如效率、可靠性、安全性等。所以这次和大家一起来探讨下逆变电源中MOSFET的驱动。
2017-08-30 11:02:5333 大功率开关电源中功率MOSFET驱动技术
2017-09-14 09:55:0225 最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380 电压、大电流及低功率损耗方面提供极佳性能。它们在高速、高频工作方面极为出色。功率MSOFET广泛用于开关稳压器，如AC-DC或DC-DC转换器及电机控制器。这视频讨论功率MOSFET，特别是安森美半导体先进的纤薄ATPAK封装功率MOSFET。
2019-03-06 06:05:003591 
【工程师小贴士】一个MOSFET也能简化设计；快速芯片烘烤时间计算法
2019-07-12 16:17:413148 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 
电源芯片U6117 原边反馈和内置功率MOSFET，用于在5V电池充电器及适配器。电源芯片U6117内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。
2021-04-07 16:14:365022 功率MOSFET是专门针对解决高功率电流和电压的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，同样是功率半导体中的一种。与其它功率半导体相比较，功率MOSFET具备电源开关速度快、低压效率高的优势
2022-08-16 14:30:56791 基于WAYON维安MOSFET高功率密度应用于USB PD电源
2023-01-06 12:51:35549 
某些电源架构要求电源排序器（或系统管理器）控制下游功率MOSFET，以允许功率流入分支电路。如果输入电源电压至少比电源输出电压高5V，则可以在电源输出端放置一个功率MOSFET，并增加一些电平转换电路。
2023-02-09 12:07:58536 
功率MOSFET是便携式设备中使用的任何大功率开关电源的组成部分。此外，这些MOSFET是难以为散热能力最小的笔记本电脑产品指定的组件。本文提供了计算这些MOSFET的功耗和确定其工作温度的分步说明。然后，通过逐步完成多相、同步整流、降压型CPU内核电源的一个30A相位的设计来说明这些概念。
2023-03-13 09:50:49674 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
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