采用ATPAK封装功率MOSFET在开关器件设计中的应用
视频简介：目前，市场对低能耗和节能型电子产品的需求极大，从而符合及超越政府及行业标准组织的节能要求。功率MOSFET由于开关损耗低，已经成为主要开关器件的标准选择。功率MOSFET在高速开关、高击穿电压、大电流及低功率损耗方面提供极佳性能。它们在高速、高频工作方面极为出色。功率MSOFET广泛用于开关稳压器，如AC-DC或DC-DC转换器及电机控制器。这视频讨论功率MOSFET，特别是安森美半导体先进的纤薄ATPAK封装功率MOSFET。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
开关
+关注
关注
20文章
3307浏览量
97480 -
MOSFET
+关注
关注
150文章
9411浏览量
229486 -
安森美半导体
+关注
关注
17文章
565浏览量
63125
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
三菱电机SiC MOSFET在工业电源中的应用
SiC器件具有低开关损耗，可以使用更小的散热器，同时可以在更高开关频率下运行，减小磁性元件体积。采用SiC
采用 QFN 封装的 0.1 至 3.8 GHz SPDT 高功率天线调谐开关 skyworksinc
电子发烧友网为你提供()采用 QFN 封装的 0.1 至 3.8 GHz SPDT 高功率天线调谐开关相关产品参数、数据手册，更有采用 QF
发表于 10-31 18:31
采用 WLCSP 封装的 0.7 至 2.7 GHz SPDT 高功率开关（单位控制） skyworksinc
电子发烧友网为你提供()采用 WLCSP 封装的 0.7 至 2.7 GHz SPDT 高功率开关（单位控制）相关产品参数、数据手册，更有采用
发表于 08-12 18:33
采用 WLCSP 封装的 0.1 – 3.0 GHz SPDT 高功率开关（单位控制） skyworksinc
电子发烧友网为你提供()采用 WLCSP 封装的 0.1 – 3.0 GHz SPDT 高功率开关（单位控制）相关产品参数、数据手册，更有采用
发表于 07-31 18:32
电源功率器件篇：线路寄生电感对开关器件的影响
影响，会严重影响电源系统的性能和可靠性。在实际应用中，我们需要通过优化电路布局、采用去耦电容与缓冲电路以及选择合适的开关器件等措施来有效降低
发表于 07-02 11:22
从开关速度看MOSFET在高频应用中的性能表现
一、MOSFET开关速度的定义与影响因素开关速度是MOSFET在导通（开）和关断（关）状态之间的切换速度，通常以上升时间（tr）、下降时间（
功率器件开关功耗测试详细步骤 HD3示波器轻松搞定MOSFET开关损耗测试
功率器件（MOSFET/IGBT） 是开关电源最核心的器件同时也是最容易损坏的器件之一。
发表于 05-14 09:03
•1090次阅读
麦科信光隔离探头在碳化硅（SiC）MOSFET动态测试中的应用
测试结果的准确性。
采用麦科信光隔离探头MOIP200P的SiC MOSFET动态测试结果
客户反馈
在SiC MOSFET的纳秒级开关动
发表于 04-08 16:00
MOSFET与IGBT的区别
(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明
发表于 03-25 13:43
圣邦微电子推出超小封装MOSFET器件SGMNQ32430
圣邦微电子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低导通电阻，单通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封装的 MOSFE
安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212
工商网监
评论