analog devices方案:在LTspice仿真中使用...
近年来,工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性,能够在较高开关频率下实现高功率密度,而MOSFET在相同条件下运行时会产生巨大的热损耗。在相同条件下,并联MOSFET并不能节省空间或提升效率,因此GaN FET成为一种颇具吸引力的技术。业界对GaN器件性能表现的关注,相应地催生了对各种GaN器件进行准确仿真以优化应用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型,针对GaN FET驱动进
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