电路中，晶体管常常被用来当做开关使用。晶体管用作开关时有两种不同的接线方式：高边（high side）和低边(low side)。高边和低边是由晶体管在电路中的位置决定的。晶体管可以是双极性晶体管（BJT）或者场效应管（MOSFET）。
2023-02-16 16:00:31
6851 
引言：三极管是电流型元件，利用偏置电阻产生大于0.7V的Vbe电压，然后通过控制电流大小，使晶体管工作在不同的区。 因此关于晶体管电路的设计相关计算，基本用电流起手，而不是用电压，这一点要与MOS的计算相区别开来。
2023-06-01 15:05:064719 
三极管是电流型元件，利用偏置电阻产生大于0.7V的Vbe电压，然后通过控制电流大小，使晶体管工作在不同的区。
2023-06-20 14:52:451791 达林顿晶体管（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性晶体管（或其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构。通过这种结构，第一个双极性晶体管放大的电流可以进一步被放大，从而提供比其中任意一个双极性晶体管高得多的电流增益。
2024-02-27 15:50:5313533 
规范的产品通常由硅制成，并作为推挽式应用系统的一部分运行。这些晶体管和其他晶体管如何在电化学水平上工作的机制可能有些复杂，但总的来说，它们用一系列极化离子引导和引导电荷。它们通常与放大器电路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
晶体管的电流方向相反。如果使晶体管以开关方式工作，需要加大基极电流晶体管VCE的饱和状态当晶体管处于开关工作方式时，因为电源电压和集电极电阻的限制，集电极IC不足以提供hFEIB大小的电流。因此
2017-03-28 15:54:24
简单记为“晶体管电路的通断就是由b极电压与恒定的e极电压比较高低决定”。换句话说，这个三极管的b极电压相对e极为低电平时三极管就会导通，相对e极为高电平时三极管就会截止。从这里可以看出，晶体管的导
2021-01-13 16:23:43
管的E极接A点，C极接B点；NPN管的E有接B点，C极接A点）后，调节电源电压，当发光二极管LED点亮时，A、B两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。(本文由Cogo商城-IC元器件在线采购平台
2012-04-26 17:06:32
；频率特性和通频带。难点：静态工作点调整。[理论内容]一、电路工作原理及基本关系式1、工作原理晶体管放大器中广泛应用如图1所示的电路，称之为阻容耦合共射极放大器。它采用的是分压式电流负反馈偏置电路
2009-03-20 10:02:58
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
组成。 BA.3B.4C.5D.63.固定偏置共射极放大电路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，则ICQ为( )。 CA.2μAB.3μAC.2mAD.3mA4.三相异步电动机的转子由转子铁心、转子绕组、风扇、换向器等组成。 ×5.单结晶体管的结构中有( )个PN结。 CA.
2021-09-02 06:19:31
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
2．1．1 5倍的放大 2．1．2 基极偏置电压 2．1．3 基极-发射极间电压为0．6V 2．1．4 两种类型的晶体管 [hide]晶体管电路设计.pdf[/hide]
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要将其混淆。β和hFE大小除了与晶体管结构和工艺等有关外，还与管子的工作电流（直流偏置）有关，工作电流IC在正常情况下改变时，β和hFE也会有所变化；若工作电流变得过小或
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-04-10 06:20:24
不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。 另外，MOSFET中有称为“导通电阻”的参数，尤其是处理大功率时是重要的特性。但双极晶体管中没有“导通电阻”这个参数。世界上最早的晶体管
2020-06-09 07:34:33
是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。双极晶体管（图中以NPN为例）由PN结组成，通过在基极流过电流，而在集电极
2018-11-28 14:29:28
现代社会带来了巨大的影响。2. 从锗到硅最初，晶体管是由锗（半导体）做成的。但是，锗具有在80°C左右时发生损坏的缺点，因此现在几乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右热度的物质。3. 晶体管的作用
2019-07-23 00:07:18
现代社会带来了巨大的影响。2. 从锗到硅最初，晶体管是由锗（半导体）做成的。但是，锗具有在80°C左右时发生损坏的缺点，因此现在几乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右热度的物质。3. 晶体管的作用
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
NPN晶体管排列和符号在解释原理之前，我们先来了解一下NPN晶体管的基本结构和符号。要识别NPN晶体管引脚，它将是集电极（c），基极（b）和发射极（e）。图1.NPN 晶体管结构和符号NPN晶体管由
2023-02-08 15:19:23
晶体管是现代电子产品的基本组成部分之一。在二极管教程中，我们看到简单的二极管由两块半导体材料组成，形成一个简单的pn结。而晶体管是通过背靠背连接两个二极管而形成的三端固态器件。因此，它有两个PN结
2023-02-15 18:13:01
电流可以调节巨大的发射极集电极电流。II. 什么是PNP晶体管？PNP 晶体管是将一种 n 型材料与两种 p型材料掺杂在一起的晶体管。它是一种由电流供电的设备。适量的基极电流调节了发射极和集电极电流
2023-02-03 09:44:48
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管技术）严格来说，晶体管是指基于半导体材料的所有单一元件，包括由各种半导体材料
2023-02-03 09:36:05
晶体管由具有低供体杂质掺杂浓度的n型半导体材料制成。发射器掺杂的受体杂质浓度高于集电极，收集物掺杂的浓度低于发射器。BE结通过向基极施加较低的电位来实现正向偏置，而BC结通过向集电极施加相当低的电压
2023-02-03 09:50:59
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
双极晶体管，具有三个引脚，集电极、基极和发射极。晶体管的增益在 110 到 800 之间，这是决定该晶体管放大率的值。集电极的最大电流为 100mA，因此消耗超过该电流的负载不能连接到该晶体管。偏置
2022-08-30 07:23:58
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
电流，进而改变流过给定晶体管的集电极电流。 如果我们达到集电极电流的最大流量，则晶体管已饱和。将晶体管导通所需的输入电压和电流量由基极电阻决定 图5. 数字逻辑晶体管开关 在R上方的电路
2023-02-20 16:35:09
内建电场来控制晶体管对电压的选择性通断，如图：
该晶体管由两个PN结组成，第一个晶体管PN结在外加电场下正向偏置，减小了内建电场，当通入的电压小于该晶体管PN结外加电场时，就会有电流通过该PN结
2025-09-15 15:31:09
内建电场来控制晶体管对电压的选择性通断，如图：
该晶体管由两个PN结组成，第一个晶体管PN结在外加电场下正向偏置，减小了内建电场，当通入的电压小于该晶体管PN结外加电场时，就会有电流通过该PN结，因为
2025-04-15 10:24:55
先生，我使用了两个ATF54143晶体管（偏置Vds = 3V，Ids = 60mA）和连接的电容分流反馈，电容器连接在一个晶体管的源极和另一个晶体管的漏极之间。我试图给两个晶体管提供偏置，实现了一
2019-01-14 13:17:10
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
，如左图所示。“ DC偏置电平”的功能是通过将其集电极电流（I C）设置为恒定的稳态值来正确设置晶体管的Q点，而无需将任何外部输入信号施加到晶体管的基极。该稳态或DC工作点由电路DC电源电压（Vcc
2020-11-12 09:18:21
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
先生，我已将一个晶体管连接到另一个晶体管。如何实现两个晶体管Vds = 3V和Ids = 60mA的偏置。我使用了两个ATF54143晶体管，并在一个晶体管X2（如图所示）Vds = 3v（电压差为
2018-12-27 16:09:48
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书规定的3V(min) 以下，故判断为不合格。正确观点A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 数字晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书规定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
电容在波形上升、下降时基极电流变大，加速开关过程。在实际当中晶体管由截止状态到导通状态的时间也缩短了，仿真的结果稍有偏差。在实际应用中，加速电容的值要通过观察开关波形来决定。加速电容是一种与减小R1值
2023-02-09 15:48:33
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-05-05 01:31:57
个寄生的晶体管，当IC大到一定程度，寄生晶体管导通，栅极失去控制作用。此时，漏电流增大，造成功耗急剧增加，器件损坏。安全工作区随着开关速度增加将减小。 （6）栅极偏置电压与电阻
2009-05-12 20:44:23
请问能帮忙分析这个电路晶体管如何be如何负偏置吗？貌似VCC会对Vin造成直流干扰吧？在Vin和Lb间要加一个隔直电容吧？
2019-04-15 06:36:28
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
时，RC阻尼电路能够一直晶体管集电极和发射极间出现的浪涌电压。 3、充放电型RCD阻尼电路 图三 图三适用于带有较窄反向偏置安全工作区的器件浪涌电压一致。当晶体管关断时，电容C通过二极管被充电
2020-11-26 17:26:39
可折叠的防水晶体管是由哪些部分组成的？什么是生物传感器（biosensor）？生物传感器具有哪些功能？防水晶体管在生物传感器中的应用是什么？
2021-06-17 07:44:18
第3章着重介绍晶体管为基础的电路。详细并有注释的例子包括各种PNP和NPN偏置的晶体管。
Chapter 3 of the NI Multisim Fundamental Circuits
2010-03-29 09:16:12
47 晶体管恒流偏置电路
通常，当RL»R时，流过光敏电阻的电流基本不变，此时的偏置电路称为恒流电路。然而，光敏
2009-06-02 00:14:045519 
双极晶体管电路经常使用的具有温度补偿作用的偏置电路图
2009-08-13 15:51:441211 
MOS场效应晶体管高阻抗偏置方法
该N沟道MOS场效应
2009-09-05 15:17:181525 
晶体管分类
按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体
2009-11-05 10:48:534989 光晶体管光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内
2009-11-05 11:58:202354 PNP晶体管,PNP晶体管是什么意思
PNP晶体管是另一种类型晶体管.它的结构如图1所示。
2010-03-05 11:18:056814 双极晶体管,双极晶体管是什么意思
双极晶体管
双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器
2010-03-05 11:48:466586 电力晶体管(GTR),电力晶体管(GTR)是什么意思
电力晶体
电力晶体管管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶体管,CMOS晶体管是什么意思
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大
2010-03-05 17:34:108979 这一系列数字晶体管的目的是取代一个单一的设备和它的外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单一的偏置电阻网络组成的两个单晶体管；电阻和串联基地基地发射极电阻。BRT消除这些单独的组件，将它们集成到一个单一的设备。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。
2017-04-05 15:17:3414 晶体管偏置是将晶体管直流工作电压或电流条件设置为正确电平的过程，以便晶体管可以正确放大任何交流输入信号
2019-06-24 09:50:1811740 
晶体管配置是NPN晶体管。我们还了解到双极晶体管的结可以以三种不同的方式偏置 -公共基极，公共发射极和公共集电极。在本教程中，关于双极晶体管，我们将更详细地讨论使用双极NPN晶体管的“共发射极”配置，并举例说明NPN晶体管的构造以及晶体管电流特性
2019-06-25 15:14:1611300 
双极结型晶体管教程，我们看到晶体管的输出集电极电流与流入器件基极端的输入电流成正比，从而使双极晶体管成为“电流”操作器件（Beta模型），因为电流较小可以用于切换较大的负载电流。
2019-06-25 11:53:385941 本文首先阐述了晶体管的概念，其次介绍了晶体管的优越性，最后阐述了晶体管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 1、晶体管的选型：根据负载电流、负载电源电压来确定具体晶体管型号，需要保证 Ic负载电流，Vceo负载电压，Vcbo负载电压 2、确定偏置电阻：基极电流大于1/倍，晶体管处于导通状态，而这个基极电流
2020-05-26 08:07:385625 
大家都知道芯片使由晶体管构成的，一个芯片由小到几十，大到超百亿晶体管构成。像华为麒麟990芯片，就是由103亿颗晶体管组成的。
2021-12-14 13:49:1420534 nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。
2023-02-11 16:30:1419006 
PMOS晶体管，也称为P沟道金属氧化物半导体，是一种晶体管形式，其中沟道或栅极区域使用p型掺杂剂。这个晶体管与NMOS晶体管完全相反。这些晶体管包含三个主要端子：源极、栅极和漏极。晶体管的源极端子由
2023-02-11 16:48:0319057 
提高晶体管开关速度的方法可以通过减少晶体管的输入电容来提高晶体管的开关速度，这可以通过减少晶体管的输入电容的大小来实现。
2023-02-24 15:54:572318 
具有预偏置 NPN 晶体管的 30 V P 沟道 MOSFET-PMC85XP
2023-03-02 22:58:300 达林顿晶体管是一种众所周知且流行的连接，使用一对双极晶体管结型晶体管（BJT），设计用于像统一的“超β”晶体管一样工作。下图显示了连接的详细信息。
2023-06-29 10:06:492671 
晶体管是现代电子设备中至关重要的组件，而芯片则是晶体管的集成。晶体管是一种用于控制电流的电子器件，它是由半导体材料制成的。晶体管的发明和发展对现代科技的进步起到了重要的推动作用。
2023-08-04 09:45:302789 【科普小贴士】内置偏置电阻型晶体管（BRT）
2023-12-13 14:37:451640 
至关重要。 为了详细、实质地理解晶体管三个极的电压关系的大小，我们必须从晶体管的基本结构和工作原理开始。 晶体管由两个PN结组成：一个是PNP型，另一个是NPN型。PNP型晶体管由两个P型半导体之间夹着一个N型半导体组成，而
2023-12-20 14:50:499245 晶体管的偏置是指为了使晶体管正常工作，需要给晶体管的基极或发射极加上适当的电压，从而使晶体管的工作点处于稳定的状态。
2024-02-05 15:00:433960 
晶体管偏置电阻的计算主要是为了确定适当的基极电流以确保晶体管正常工作和线性放大。
2024-02-05 15:06:281531 
为了确保晶体管工作在合适的工作区域，需要通过电流偏置来控制基极电流。通常在放大区，晶体管的基极电流被设置为恒定值，以确保其稳定性和线性放大功能。
2024-02-05 15:21:233837 咱们今天讲讲电子世界的跑步选手——晶体管。这小东西在电子产品里就像是继电赛跑的选手，开关的速度决定了电子设备的快慢。那么，如何才能提高晶体管的开关速度呢？来一探究竟。如果把晶体管比作一名运动员，要想
2024-04-03 11:54:121518 
NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别。
2024-09-13 14:10:009544 安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管 (BRT) 设计用于替换单个设备和相关外部偏置电阻网络。 这些PNP偏置电阻晶体管集成了单个晶体管和一个单片偏置网络，该网络由一个系列
2025-11-21 16:22:38626 
安森美 (onsemi) NSBCMXW NPN 偏置电阻晶体管 (BRT) 设计用于替代单个设备及其相关的外部偏置电阻网络。 这些安森美 (onsemi) BRT集成了单个晶体管和一个单片偏置网络
2025-11-22 09:44:46815 
onsemi MUN5136数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这些数字晶体管包含一个晶体管和一个单片偏置网络，单片偏置网络由两个电阻器组成，一个是串联基极电阻器，另一个是基极-发射极
2025-11-24 16:27:15580 
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
评论