0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

【科普小贴士】内置偏置电阻型晶体管(BRT)

jf_pJlTbmA9 来源:东芝半导体 2023-12-13 14:37 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

BRT是指偏置电阻内置型晶体管。BJT通常配合电子设备中的电阻器使用。使用BRT(集成了晶体管和电阻器)可以减少安装面积。

wKgZomVdm3WAdbDaAACe5pPEg2M467.png

图3-2(a)BJT的应用示例 图3-2(b)BRT的等效电路

wKgaomVdm3eAbcQGAAD8jxN6M_8023.png

图3-2(c)BJT的基本电路为什么需要电阻

文章来源:东芝半导体

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 晶体管
    +关注

    关注

    78

    文章

    10245

    浏览量

    146209
  • 偏置电阻
    +关注

    关注

    1

    文章

    43

    浏览量

    8794
  • BRT
    BRT
    +关注

    关注

    0

    文章

    9

    浏览量

    7714
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    基于偏置电阻晶体管BRT)的数字晶体管系列MUN2231等产品解析

    在电子电路设计中,晶体管的合理选择和应用对于电路性能起着关键作用。今天,我们就来深入探讨ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3这一系列数字晶体管
    的头像 发表于 12-02 15:46 69次阅读
    基于<b class='flag-5'>偏置</b><b class='flag-5'>电阻</b><b class='flag-5'>晶体管</b>(<b class='flag-5'>BRT</b>)的数字<b class='flag-5'>晶体管</b>系列MUN2231等产品解析

    安森美双NPN偏置电阻晶体管:简化电路设计的理想之选

    在电子电路设计中,如何简化设计、降低成本并节省电路板空间一直是工程师们关注的重点。安森美(onsemi)推出的MUN5213DW1、NSBC144EDXV6和NSBC144EDP6系列双NPN偏置电阻晶体管
    的头像 发表于 11-27 11:25 195次阅读
    安森美双NPN<b class='flag-5'>偏置</b><b class='flag-5'>电阻</b><b class='flag-5'>晶体管</b>:简化电路设计的理想之选

    MUN5136数字晶体管技术解析与应用指南

    onsemi MUN5136数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这些数字晶体管包含一个晶体管和一个单片
    的头像 发表于 11-24 16:27 450次阅读
    MUN5136数字<b class='flag-5'>晶体管</b>技术解析与应用指南

    NSBCMXW系列偏置电阻晶体管BRT)技术解析与应用指南

    安森美 (onsemi) NSBCMXW NPN 偏置电阻晶体管 (BRT) 设计用于替代单个设备及其相关的外部偏置
    的头像 发表于 11-22 09:44 701次阅读
    NSBCMXW系列<b class='flag-5'>偏置</b><b class='flag-5'>电阻</b><b class='flag-5'>晶体管</b>(<b class='flag-5'>BRT</b>)技术解析与应用指南

    深入解析onsemi偏置电阻晶体管(BRT)NSBAMXW系列技术特性与应用

    安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置电阻晶体管 (BRT) 设计用于替换单个设备和相关外部偏置
    的头像 发表于 11-21 16:22 501次阅读
    深入解析onsemi<b class='flag-5'>偏置</b><b class='flag-5'>电阻</b><b class='flag-5'>晶体管</b>(<b class='flag-5'>BRT</b>)NSBAMXW系列技术特性与应用

    多值电场电压选择晶体管结构

    多值电场电压选择晶体管结构 为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路,实际上是对电压的一种选择,而传统二进制逻辑门电路通
    发表于 09-15 15:31

    下一代高速芯片晶体管解制造问题解决了!

    。在这种结构中,n晶体管(nFET)和p晶体管(pFET)被集成在同一结构中,但由绝缘壁(如氧化物或氮化物)隔开。这种设计允许nFET和pFET之间的间距进一步缩小,从而减少标准单
    发表于 06-20 10:40

    2SC5200音频配对功率PNP晶体管

    深圳市三佛科技有限公司供应2SC5200音频配对功率PNP晶体管,原装现货 2SC5200是一款PNP晶体管,2SA1943的补充
    发表于 06-05 10:24

    多值电场电压选择晶体管#微电子

    晶体管
    jf_67773122
    发布于 :2025年04月17日 01:40:24

    多值电场电压选择晶体管结构

    为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路,实际上是对电压的一种选择,而传统二进制逻辑门电路通常比较复杂,有没有一种简单且有效的器件实现
    发表于 04-16 16:42 2次下载

    多值电场电压选择晶体管结构

    多值电场电压选择晶体管结构 为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路,实际上是对电压的一种选择,而传统二进制逻辑门电路通
    发表于 04-15 10:24

    晶体管电路设计(下)

    晶体管,FET和IC,FET放大电路的工作原理,源极接地放大电路的设计,源极跟随器电路设计,FET低频功率放大器的设计与制作,栅极接地放大电路的设计,电流反馈OP放大器的设计与制作,进晶体管
    发表于 04-14 17:24

    晶体管电路设计(下) [日 铃木雅臣]

    本书主要介绍了晶体管,FET和Ic,FET放大电路的工作原理,源极接地放大电路的设计,源极跟随电路的设计,FET低频功率放大器的设计和制作,栅极接地放大电路的设计,电流反馈行op放大器的设计与制作
    发表于 03-07 13:55

    光速电场多值晶体管的结构

    光速电场多值晶体管的结构
    的头像 发表于 12-27 08:08 740次阅读
    光速电场<b class='flag-5'>型</b>多值<b class='flag-5'>晶体管</b>的结构

    场效应晶体管的区别是什么呢

    场效应晶体管在多个方面存在显著的区别,以下是对这两者的比较: 一、工作原理 场效应 : 导电过程主要依赖于多数载流子的漂移运动,因此被称为单极
    的头像 发表于 12-09 15:55 3639次阅读