电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年，国产SiC功率器件产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是推出车规级SiC MOSFET产品，寻求打进汽车供应链。而今年春节后的新一轮新能源汽车降价
2024-03-13 01:17:00
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有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC403 - microBUCK SiC403 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with Programmable LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
效率，并实现了全球节能。事实上，有人估计的IGBT帮助阻止750000亿磅的CO 2排放量在过去25年。 就像二十世纪八十年代的IGBT革命一样，今天宽带隙半导体碳化硅（SiC）再次显示出为电力
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圆级测试 求助：需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40:49
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项：栅极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
中国企业底气。中国企业集体在功率器件新赛道SiC产业链上发力，包括材料、器件、设备等各环节，投资相当火热。今年下半年，这些投资陆续开花结果，各种好消息接踵而至。 11月24日，由中建二局承建的深圳市
2022-12-27 15:05:47
目前在做几条生产线，每条线每台PLC的IP设置都是一模一样的，每条线各有一台PC（labview）做监控，每台PC上就一个网口，连在每条线的交换机上，现在想把每条线PC的数据串起来，怎么在不增加硬件的情况下弄呢，请教一下各位
2017-09-14 15:32:01
国产碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术：1 车载电源OBC与最新发展2 双向OBC关键技术3 11kW全SiC双向OBC电路4 OBC与车载DC/DC集成二合一5 车载DC/DC转换电源电路比较6 充电桩电源电路
2022-06-20 16:31:07
如果从测试的类型上来看，从实验室到产线测试，一个电控模块会包含表征测试、系统验证测试、软硬件在环测试、路测和产线下线测试这样几个不同阶段。为什么仪表厂商、特别是射频仪表的厂商会越来越多地进入到
2019-07-18 06:16:01
在使用浩辰CAD制图软件绘图过程中经常需要将多条线合并为多段线，比如想计算房间面积，直接选房间轮廓线没有得到结果，把轮廓线合并后，就可以清晰可见房间面积了。这种情况一般可以通过合并多线段的CAD
2020-01-14 14:46:08
和板卡信息丢失
2. PSoC Programmermer没法擦除指定flash，都是整个128K擦除，例如在flash中分配一个row来存储产线校准数据，如何保证在烧写images后，保留产线校准数据呢？谢谢
2024-02-27 06:02:59
请教：EPM240T可以建CONST数组吗？如果不行，可以建变量数组，会耗用芯片内部多大资源？什么资源？比如一个8位宽度数据，建256个。 wire [7:0] xxx[255:0];会耗用多大资源？用WIRE还是用REG比较好？
2016-02-01 08:49:06
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
上半年先进制程及成熟制程产能已被客户全部预订一空。大陆方面，中芯国际早已着手进行大规模扩产；华润微、华虹半导体等厂商均表示8寸晶圆产线全部满负荷运行。ST单片机的热门型号涨幅更是一度达到了200%，并且交
2021-07-23 07:09:00
1.请问一下条件结构怎样多条件输入，比如说随机数节点随机产生0到1的数，当我获取到0.2,0.55,0.9三个数的时候，开始执行后面的程序。这个多条件不同步怎么实现的呢
2016-04-06 20:26:02
labview“绘制多条直线”控件如何实现同一个图片显示控件上可以显示多种颜色线？（现在是同一图片上同一时刻只能显示一种颜色，下一时刻图片上线的颜色又会全部变成另一种颜色。）想要实现的是新图片某一时刻显示的线有不同的颜色？
2018-03-27 17:06:17
“测”精准数据
“数”据汇总分析
“智”能开启高质生产
八轴智能测径仪在高温、高速的轧钢产线中兢兢业业的检测数据，为工作人员提供智能化服务，让不合格品无所遁形。
1、适应环境情况
轧材速度
2023-09-01 17:42:22
项目名称：风电伺服驱动控制器SiC器件试用试用计划：申请理由本人在工业控制领域有十余年的产品开发经验，目前正在从事风电机组变桨控制系统伺服驱动器的开发，是一个国产化项目，也是SiC器件应用的领域
2020-04-24 18:03:59
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
VIPER12A、VIPER22A：优质国产电源管理IC特价销售：BIPER12A—0.72元/PCSBIPER22A—0.77元/PCS，性能绝对可靠，完全替代ST产VIPER12A
2013-08-17 11:20:24
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
如图，，这是什么问题？？？有没有大神能告诉我一下。。。。另外，，怎样创建“绘制多条曲线”的“直线结束点”的输入控件，，要自己创建，，有数组，怎样生成要求的格式？xy这两个名字怎么命名？
2014-05-07 14:59:09
分享一个不错的遥控模块产线测试解决方案
2021-06-18 07:37:57
台产锂电保护MOS：AO8810,AO8822,D2017M,A1870,4410,4407***产低压MOSFET系列：SI2301,SI2300,SI2302,SI3400,SI3401
2011-12-13 10:19:26
如何用labview在三维图里画多条线？
2014-11-08 12:08:54
`如何使用机器视觉识别这个零件的缺口并准确定位出位置和角度信息?包括使用几个相机如何动作识别等等希望大家看看 给些思路`
2013-07-02 21:04:21
中低端片式电阻市场，国内片式电阻产业开始面临被“卡脖子”的风险。积极应对客户需求，成立富捷电阻事业部，产能250亿只/月 在这种内外交困的市场环境下，国产元器件行业纷纷加强布局，发展技术紧抓扩产
2021-12-31 11:56:10
ZNH-MES40型 工业4.0生产线实训系统一、概述ZNH-MES40型 工业4.0生产线实训系统可实现雕刻代木材料头像的自动化无人车间。整线无人化车间主要由模拟 MES 系统、总控单元、立体仓库
2021-07-01 08:26:56
作为应用全SiC模块的应用要点，本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上，介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构，使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43
`捷配产线智能升级!双面板优惠让利如下：1㎡打样内优惠50元/㎡，24小时出货2㎡批量以上价格低至350元/㎡ 48小时极速出货生益板材低至400元/㎡建滔板材低至380元/㎡国纪板材低至350元/㎡逾期退款，顺丰包邮!下单官网： https://www.jiepei.com/G34`
2018-12-21 14:44:43
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
，实现快速自动建库，并且输出多种EDA格式。与传统的EDA建库相比，智能建库将可以大幅缩短建库时间，全面提高效率和准确率。为昕科技旨在通过新技术加速完善国产EDA布局，面向电子系统/产品研发全流程，提供
2022-04-06 15:10:51
6 等无线通信新技术的广泛应用，预计全球 2035 年需求量将达到 3125 亿只，存在 1000 亿供需缺口。图：2019-2025 年全球晶振市场需求及产量来源：中国产业信息网，西南证券图
2022-12-23 12:11:24
无线充电蓝牙测试方案（主要分研发测试 & 产线测试方案）
2020-07-08 16:13:10
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
目前国产led驱动芯片的质量怎么样？有没有使用国产芯片的?
2018-04-10 10:54:37
`走线或Slide 的时候显示才这样 相当难看怎么弄掉那个缺口`[attach]***[/attach]
2013-03-29 09:44:37
专案执行分为三个主要阶段：规范和用例定义，技术开发，原型展示研发。WINSIC4AP项目中的SIC技术制造SiC元件需要使用专用生产线，系因半导体的物理特性（掺杂剂的极低扩散性和晶格的复杂性），以及
2019-06-27 04:20:26
转辙机缺口监测问题一直是铁路信号系统特别是信号维修部门关注的热点。随着铁路高速、高密度行车区段的不断增加，为了确保行车安全，对行车道岔运行质量与状态稳定性监测无为重要。
2020-03-30 07:48:45
`帮忙看下这个电解电容外壳上一个H型商标是什么什么公司产的？`
2013-04-15 09:12:19
建圳达电缆 建圳达电缆建圳达电缆建圳达电缆澳洲扁平线-技术特性导体面积m㎡额定电流电气性能暴露在空气中A包围在热的绝缘内A埋与管道中A20℃时的最 ⼤直流电阻 ohm
2021-11-10 19:19:41
建圳达电缆建圳达ul1007电子线建圳达ul电子线建圳达ul电子线，ul1007证书正规线材导体规格：UL 1007 电子线为电器设备内部连线，在生产UL1007 电子线领域， 通用标称是以AWG
2022-04-18 08:52:51
SiC,SiC是什么意思
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C
2010-03-04 13:25:266541 本文介绍了适用于MPLAB工具设计的多条忠告。
2018-06-05 17:28:00
7 关键词：AMOLED , 国产手机 , 换屏 , LCD 2014-8-13 11:35:04 上传 下载附件 (36.7 KB) AMOLED屏幕一直以来是三星最引以为傲的显示技术，自2010
2019-01-13 20:49:01182 MT-018: 有意为之的非线性DAC
2021-03-21 03:31:307 在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。 下文主要对国产SiC MOSFET进行介绍并与国外相近参数的主流产品相对比。 国产1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 6 等无线通信新技术的广泛应用，预计全球 2035 年需求量将达到 3125 亿只，存在 1000 亿供需缺口。 图：2019-2025 年全球晶振市场需求及产量 来源：中国产业信息网，西南证券 图：不同设备需要晶振数量 来源：上海证券研究所 国内市场上，智研咨询
2022-12-23 00:00:10781 6 等无线通信新技术的广泛应用，预计全球 2035 年需求量将达到 3125 亿只，存在 1000 亿供需缺口。 图：2019-2025 年全球晶振市场需求及产量 来源：中国产业信息网，西南证券 图：不同设备需要晶振数量 来源：上海证券研究所 国内市场上，智研咨询
2022-12-23 13:20:02745 自己的模板 研究 报告《 2023国产sic上车关键年》，如需领取报告，请关注公众号，后台回复 SiC 即可领取！ 声明 ： 本文由电子发烧友原创 ，转载请注明以上来源。如需入群交流 ，请添加
2023-03-11 13:15:02332 国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，提升新能源汽车加速度、续航里程、轻量化、充电速度、电池成本5项性能优势
2023-03-15 17:22:551018 
市场空间巨大，SiC国产化趋势加速
2023-01-13 09:07:052 2023年国产SiC上车
2023-10-31 23:02:000
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