国产才刚刚起步，三星、美光接连下调存储收入预期 - 全文

关键词： NAND , DRAM

来源：观察者网 作者：奕含

继手机业务在华遭遇“滑铁卢”后，1月8日，全球最大的存储器厂商韩国三星电子发布2018年第四季度初步财报，业绩将大幅低于此前预期。

三星电子表示，第四季度盈利减少主要受存储芯片需求低迷影响，并预计2019年第一季度业绩将保持低迷。

此前，美国存储器大厂美光公司、韩国SK海力士纷纷表示，2019年DRAM和NAND需求将减弱、价格下跌，并调整营收或减少投资。

观察者网注意到，中国存储行业几大重点企业正在不断增加产能，合肥长鑫已于去年投产，福建晋华、长江存储正加速投产。然而，需求低迷、存储芯片价格下跌，可能会给刚刚起步的中国存储芯片事业带来挑战。

此前预计四季度出现“季节性疲软”

1月8日，据CNBC报道，三星电子当天表示，由于其内存芯片业务需求低迷以及智能手机市场竞争加剧，其第四季度盈利可能大幅下滑。

三星电子预计，去年第四季度营业利润10.8万亿韩元（合96.7亿美元），低于分析师预测的13.2万亿韩元，这比上一季度下降38.5%；2018年四季度销售额59万亿韩元，低于分析师预测的62.8万亿韩元，比第三季度下降近10%。

“内存业务需求低于预期导致出货量下降，内存芯片价格出现显著下降”三星电子称，此外，因智能手机市场基本停滞，营收费用也导致其盈利能力下降。受存储芯片影响，预计第一季度业绩将保持低迷。

三星电子将于本月晚些时候披露详细财报。

市场曾预计，三星季度营业利润料两年来首次下降，因关键市场——中国的经济放缓可能会影响对该公司产品的需求。一位分析师表示，中国占全球消费技术需求的20％至30％。而此前，苹果也调降季度营收预估，将之归咎于中国。

虽然三星以智能手机及电视业务最为出名，但其近来的净利增长已经严重依赖芯片业务。自2017年第三季度起，三星已连续数季度成为全球芯片出货量最高的企业。

早在去年11月，三星发布2018年三季报时便预计，芯片市场在今年第四季度将出现“季节性疲软”，这期间公司盈利有下降的可能性。为此，三星将会调整工厂和设备的支出，同时对芯片价格进行监控。

西部数据、美光、SK海力士纷纷减少投资

三星电子并非首家承认存储芯片需求低迷的企业。

除三星外，西部数据、美光、SK海力士等也都预计今年内存DRAM和闪存NAND需求将减弱。上述公司纷纷调整产出量、减缓投资计划，下调资本支出等，以“弥补损失”。

率先做出反应的是西部数据，该公司表示要减少Fab（晶圆厂）的产出，并减缓下一步的扩产计划，以缓解需求疲软和跌价带来的运营压力。

而美光公司在发布2019财年一季度财报时称，今年DRAM和NAND需求将减弱，其第二财季营收预计为57亿到63亿美元之间，低于华尔街分析师预期的73亿美元。股票收益预计为1.65美元/股至1.85美元/股，也低于市场预期。

ZACKS投资网站称，上述公司总裁Sanjay Mehrotra在随后的电话会议上表示，DRAM需求疲软是美光公司降低第二季度预期的主要原因之一。同时，为解决供过于求的问题，该公司将减少NAND 及DRAM产量以维持价格。其中，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能。

业内指出，半导体下游应用需求端的疲软是对2019年最大的担忧，美光公司的财报恰恰反映了这一点。

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图片来源：观研天下

另一家竞争对手SK海力士也表示，为应对2019年NAND 及DRAM价格下跌的趋势，该公司决定自2018年底前开始减少投资规模，并将监控调整2019年的产能。

事实上，经过两年多的涨价潮，存储器的风光不再。

自去年初开始，NAND闪存价格已出现疲软，行业预计这一趋势将持续到2019年。而DRAM内存价格也在去年三季度由涨转跌，平均价格跌幅达10-15%。

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国金证券研报截图

国产存储厂商投产或遇挫折

目前，三星电子、SK海力士、美光公司等在DRAM产业的市占率达到90%以上，在过去两年存储器价格暴涨中，获得了丰厚的利润。

在国外厂商赚得盆满钵满的背景下，中国存储芯片产业也加速布局，努力实现国产替代。

目前，中国存储领域已形成包括发展NAND Flash的长江存储，专注移动式内存的合肥长鑫以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。

此时，存储芯片需求低迷、价格下跌，可能会成为中国存储芯片事业发展的“拦路虎”。

国金证券在去年12月20日的研报中指出，此下行趋势将对即将量产的中国主流存储芯片大厂长江存储、合肥长鑫的短期获利前景雪上加霜。

不过该券商也指出，预估此次存储器芯片产业下行趋势持续时间不超过12个月（从2019年一月起算），相关厂商不至于步入亏损。

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国金证券研报截图

而早在去年9月，国金证券便分析了存储器芯片下行趋势。

当时，该券商认为，比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳，加上3D NAND转到96层及DRAM转到19纳米以下制程工艺的产能增加，预估2019年内存DRAM和闪存NAND将会有3-5%的供过于求。
“价格下行趋势确立，而将造成2019年整体存储器芯片产业同比衰退5-9%及全球半导体产业同比衰退1-4%。”