富士通半导体(上海)有限公司日前正式宣布，富士通半导体与威达云端电讯共同合作推出便携式WiMAX-WiFi路由器( CW6200i
2010-11-25 09:33:52
1159 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布推出面向便携设备的DC-DC转换器MB39C326，可通过自动切换降压/升压工作模式来扩大工作电压范围。
2012-07-23 11:49:141557 富士通半导体有限公司台湾分公司宣佈，旗下采用ARM Cortex处理器核心的FM3系列32位元RISC微控制器将推出第五波新产品。这波新品数量多达93款，富士通半导体自9月28日起为客户提供样品
2012-09-26 09:26:212810 
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。
2012-10-16 12:05:092274 香港商富士通半导体有限公司台湾分公司宣佈推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半导体目前的V系列FRAM产品涵盖4KB、16KB、 64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V电压範围内运作的
2012-10-18 14:40:251580 富士通半导体于日前宣布，利用配备该公司开发的硅基板GaN功率器件的服务器用电源，成功输出了2.5kW的高功率，同时还公布了 2013年下半年开始量产硅基板GaN功率器件的目标。该公司将
2012-11-12 09:16:211405 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出其新的基于ARM Cortex™-M4处理器内核的FM4系列32位通用RISC微控制器
2012-11-15 11:16:062537 富士通半导体推出最新支持PWM调光的LED驱动芯片MB39C602系列，MB39C602系列采用Flyback拓扑结构，并带主动PFC，支持PWM调光。
2012-12-10 13:41:125431 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出两款新型FRAM产品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器，是富士通半导体提供的最大容量的串口FRAM。这两款产品将于2013年3月起开始提供新品样片。
2013-03-25 16:09:371375 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出两款全新的电源管理IC产品，为收集能量而开发的MB39C811 DC/DC降压转换器和MB39C831 DC/DC升压转换器。预定今年六月开始提供新产品的样片。
2013-05-13 10:08:211404 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出适合汽车应用的新型32位微控制器－MB91F552，该芯片最适合用于混合动力汽车（HEV）的电池的电源系统及电力传输电路。已于2013年5月13日起提供新产品样片。
2013-06-17 11:23:331013 关系。 双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术，联合开发适合更多电源系统的600V耐压GaN功率器件。 2022年3月，罗姆确立了栅极耐压高达8V的“150V耐压GaN HEMT”的量产体系，并将该系列产品命名为“EcoGaN™”，产品非常适用于
2022-04-28 16:50:412730 
远山半导体在连续推出几款高压GaN器件后，最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V，相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决GaN器件常见的电流崩塌问题，他们采用特有的极化超级结
2025-01-14 09:42:281902 
富士通推出业内最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）合作开发。
2019-08-08 11:17:221800 ~150V输出电压可调范围：3.3V-30V，通过设置FB电阻 输出电流5A以内支持恒流恒压CC/CV模式功能输出恒压精度1%输出恒流精度1% 高效率：可高达 98%固定开关频率：140KHz可编程EN关断
2020-12-08 14:27:46
H6253K高压降压芯片：高耐压、高稳定电源方案在新能源、工业及车载设备领域，高压输入电源需求日益增长。惠海半导体的H6253K降压芯片，凭借150V耐压MOS、2.5A持续输出及多重保护特性，为宽
2025-11-26 11:19:36
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
。GaN器件尤其在高频高功率的应用领域体现了其独特的优势，其中，针对GaN功率器件的性能特点，该器件可被用于适配器、DC-DC转换、无线充电、激光雷达等应用场合。
图1 半导体材料特性对比
传统的D类
2023-06-25 15:59:21
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性，有机地将功率器件的设计、器件中的物理过程和器件的应用特性联系起来。
书中内容由浅入深，从半导体的性质、基本的半导体
2025-07-11 14:49:36
点击: 功率半导体器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
富士通FRAM存储器有哪些特点？富士通FRAM存储器在智能电表中有什么应用？
2021-07-11 06:09:49
发展新能源汽车的更大反思。”富士通半导体产品经理李丹在日前于武汉举行的2012 AETF第七届亚太汽车电子技术论坛峰会上阐述了自己的观点，并探讨了汽车电子技术的总体发展趋势以及及富士通半导体的平台化开
2012-12-20 13:53:48
之一就是低压无法驱动内部的SRAM模块。不过上周富士通半导体和美国SuVolta公司开发的新制程却可以使电压阈值下降至0.4V左右。SoVolta开发的DDC晶体管制造的576Kb SRAM模块最低
2011-12-13 19:11:36
、Macronix、英飞凌、三星、三洋、TI、东芝等诸多豪强入局“厮杀”，到如今“剩者为王”的少数FRAM大厂并存，FRAM技术在过去数十年的竞争中不断突破与发展，最终逐渐登上主流行业与应用的“C位”！富士通半导体
2020-10-30 06:42:47
海半导体针对控制板供电、车载仪表供电及BMS供电等应用场景，推出更优的高耐压大功率低功耗驱动解决方案：H6266C。
H6266C是一种内置150V耐压MOS，支持输入高达130V的高压降压开关控制器
2025-08-26 09:49:22
前言全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势，正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑"节能、创能、蓄能"技术的半导体功率元器件领域，ROHM
2019-07-08 08:06:01
一、产品概述
SL3170是一款高度集成的开关降压型DC-DC控制器，其核心优势在于内置150V耐压的功率MOSFET，支持10V-150V宽输入电压范围，最大输出电流达1A。该器件通过自适应降频
2025-08-07 15:40:03
电压能力从第四代的3000V跃升到了第七代的6500V，并且实现了高频化（10-100kHz）应用。功率半导体器件主要应用领域作为电能/功率处理的核心器件，功率半导体器件主要用于电力设备的电能
2019-02-26 17:04:37
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
安森美半导体电源方案部（PSG）加速了扩展分立器件、集成电路(IC)、模块和驱动器产品阵容，针对汽车应用中的高电源能效方案。公司电源方案部的汽车认证的器件数现已超过4,000，是该行业中最大的供应商
2018-10-25 08:53:48
常用的功率半导体器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
`根据Yole Developpement指出，氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体企业受惠；另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
本帖最后由 nogenius 于 2012-4-22 09:25 编辑
RT，求能输出极微小电流但输出电压能达到150v以上的恒流源设计电路，主要用作宽禁带半导体测试仪的一部分{:soso_e196:}
2012-04-22 08:43:00
氧化物半导体（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射频器件更能有效满足5G的高功率、高通信频段
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面，从硅Si材料逐渐向氮化镓（GaN）等宽禁带材料升级，使得功率器件体积和性能均有显著提升。那么什么是第三代半导体GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
（FACOM100）后开始跨足信息产业。其间随着个人化信息处理技术、网络多媒体技术、业务集约在因特网潮流的兴起，富士通以不断创新的高科技形象享誉日本和全球。现在，富士通已经发展成为横跨半导体电子器件、计算机通讯平台
2014-05-21 10:54:53
IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开
2009-08-18 12:00:511624 富士通半导体股份有限公司(富士通半导体)近日正式宣布与数字多媒体产品SoC系统解决方案供应商台湾擎展科技有限
2010-11-22 09:23:16688 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布推出6MHz升降压DCDC转换器芯片-MB39C326。该芯片适用于移动电话、智能手机、电子阅读器和其它手持移动设备的射频功率放大器。富士通将于2011年6月起提供该新产品的样片
2011-02-25 09:15:403095 全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为100V和150V PowerTrench® MOSFET系列器件增添了工业类型封装选择
2011-06-03 09:30:30904 富士通半导体宣布推出采用新工艺的高安全性、高精度、高性价比的双通道FLASH的通用8位微控制器MB95560系列
2011-07-05 08:54:023314 
富士通半导体(上海)宣布，推出针对汽车应用的113款MCU，其中包括53款16位MCU MB96600系列和60款32位MCU MB91520系列
2011-07-15 09:33:395412 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM产品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。
2011-07-20 09:04:262068 富士通半导体 (上海)有限公司日前宣布推出基于新工艺的8款MB95630系列产品，使其F2MC-8FX家族产品阵容进一步加强。新产品内置了直流无刷电机控制器和模拟电压比较器更适用于马达控制
2011-09-29 10:03:051698 
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于ARM® CortexTM-M3处理器内核的32位RISC微控制器的FM3系列的新产品。该系列于去年11月首次面世，本次推出的是第3波产品。此次，富士通半导
2011-10-19 09:05:16753 
富士通半导体(上海)有限公司近日宣布推出业内首款商用多模收发器芯片——MB86L12A。该芯片是MB86L10A的后续产品
2011-10-25 08:57:071250 
富士通半导体(上海)有限公司近日宣布推出其基于0.18µm技术的全新系列FRAM产品家族。该系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 两个型号，均支持I2C接口且可在5V电压下工作，即日起即可供货。
2012-02-08 09:11:441235 
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出用于电源管理IC的在线设计仿真工具（PMIC）——Easy DesignSim。Easy DesignSim为使用富士通丰富电源管理IC产品线（如转换器、开关、电源及
2012-04-26 08:40:18887 
美国Transphorm公司发布了耐压为600V的GaN类功率元件。该公司是以美国加州大学圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人员为核心创建的风险企业，因美国谷歌向其出资而备受功率半导体
2012-05-18 11:43:442262 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出第五波基于ARM® CortexTM-M3处理器内核的32位RISC微控制器的FM3系列新产品
2012-09-25 14:57:582231 
据彭博社报道，消息人士称，富士通在重组中准备出售半导体业务。
2012-09-26 10:12:261170 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，新推出接口桥接芯片“MB86E631”，该芯片内部集成了一个双核ARM® Cortex™-A9处理器与许多不同接口于一体。新产品样品将从2012年12月晚些时候可
2012-10-17 16:11:483189 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，其基于富士通FM3的电机控制新技术---180度全直流变频空调方案获得了2012年电子产品世界编辑推荐奖之“年度最佳绿色节能方案奖”。
2012-11-09 18:35:081146 富士通半导体有限公司台湾分公司宣佈，成功透过硅基板氮化镓（GaN）功率元件让伺服器电源供应器达到2.5kW的高输出功率，并扩大电源供应的增值应用，实现低碳能源社会。富士通半导
2012-11-21 08:51:361656 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布出席在中国上海举行的“第十二届慕尼黑上海电子展。富士通半导体将展出其微控制器（包括FM系列和最新8FX系列）、汽车电子、存储器产品、模拟产品、无线通信方案以及家庭影音产品六大系列，共计12余种新产品以及数十种Demo。
2013-03-13 14:34:351440 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，其基于ARM® Cortex™-M3 处理器内核的FM3家族32位通用RISC微控制器产品升级后的阵容。富士通半导体共计推出38款新产品，包括内置大容量储存器
2013-04-24 10:08:512608 说到变频电机控制，就不得不说说富士通半导体的技术和产品。富士通半导体开发的变频方案采用了各种先进技术和算法，匹配过20多款压缩机，具有可现场系统整合调试、功能验证和性能优化的优势，适用于各种变频控制应用。
2013-05-17 10:55:001793 
便携式产品，“小尺寸”、“低功耗”是最关键的两个指标。富士通半导体推出的升降压DC/DC转换器MB39C326完全满足这些要求，尤其可通过DAC信号动态控制输出电压，支持APT、ET功能。
2013-05-17 11:58:041720 
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出首批基于ARM® Cortex™-M4处理器内核的FM4系列32位RISC 微控制器。富士通半导体本次共推出84款MB9B560R/460R/360R/160R 系列产品，将于2013年7月底开始提供样片。
2013-07-03 11:19:331132 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，富士通半导体股份有限公司和ARM于今日签署了一项授权协议：富士通半导体将充分利用ARM big.LITTLE™技术和ARM Mali-T624图形处理器推出片上系统（SoC）解决方案。
2013-07-11 17:32:172006 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功开发了专为先进的28 nm SoC器件量身打造的全新设计方法，不仅能实现更高的电路密度，同时也可有效缩短开发时间。
2014-01-15 17:00:51790 
两家公司已经达成： i）晶圆代工服务协议，富士通将为安森美半导体制造晶圆； ii） 安森美半导体将成为富士通日本福岛县会津若松市8英寸晶圆厂少数股东的最终协议
2014-08-01 09:08:231306 2014年8月11日–富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，富士通半导体旗下嵌入式解决方案奥地利公司（简称FEAT）推出最新CGI Studio工具套件3.0版本。
2014-08-11 11:19:303426 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP），使得其体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2015-07-08 15:03:571992 上海， 2016-11-08——富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出业界最高密度4 Mbit ReRAM（可变电阻式存储器）（注1）产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体（注2）合作开发的首款ReRAM存储器产品。
2017-03-24 18:03:201911 富士通电子元器件（上海）有限公司推出业界最高密度4 Mbit ReRAM（可变电阻式存储器）（注1）产品 MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体（注2）合作开发的首款ReRAM存储器产品。
2017-03-24 18:48:431609 本视频主要内容：介绍了富士通半导体的FRAM产品特性：低功耗，快速读写，高读写次数和防辐射特性。
2017-03-29 11:34:271530 美商安森美半导体（ON Semiconductor）与富士通半导体株式会社（Aizu Fujitsu Semiconductor Manufacturing Limited）于10月1日共同宣布
2018-10-08 15:00:004937 关键词：安森美 , 富士通 来源：中时电子报 安森美半导体公司与富士通半导体株式会社宣布，安森美半导体已经完成对富士通半导体制造株式会社(Aizu Fujitsu Semiconductor
2018-10-08 14:26:02756 SuperSO8封装：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封装，堪称封装界的best-in-class级别，相比于TO-220封装，SuperSO8将在减少封装电感的基础上进一步增大功率密度、减少漏源电压V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:176007 
全球知名半导体制造商ROHM已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 （GNE1040TB）”的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2高达8V，非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。
2022-03-28 15:25:301932 意法半导体 在PCIM Europe 虚拟会议上首次向业界展示了该公司用于汽车应用的集成式 STi 2 GaN系列 GaN 功率器件 。利用台积电的 GaN 技术及其自身独特的设计和封装专业知识
2022-08-03 10:44:571285 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:322107 150V耐压GaNHEMT*1(以下简称"GaN器件")的高达8V栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2技术。近几年来,随着IoT设备需求的不断增长,功率转换效率的提
2021-04-09 10:07:471276 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批支持低电压（100/150 V）和高电压（650 V）应用的 E-mode（增强型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:541515 美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格纳极限沟槽中压
2023-10-12 17:15:092201 使用GaN（氮化镓）的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术，解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:402367 
供应100A、150V耐压MOS管SVGP157R5NT，提供SVGP157R5NT关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-06-07 15:34:01
1 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:171650 安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:491736 
强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET，此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。
2024-05-23 11:42:492165 
近日，无晶圆厂环保科技半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）发布了一系列革命性的高能效氮化镓（GaN）功率器件，旨在推动电子器件向更环保的方向发展。
2024-06-12 10:24:241287 上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件
2025-01-03 10:19:162056 
GNE1040TB是栅极耐压高达8V的150V GaNHEMT。该产品属于EcoGaN™系列，该系列产品通过更大程度地激发低导通电阻和高速开关性能，助力应用产品更节能和小型化。GNE1040TB
2025-03-07 15:19:09980 
GNE1008TB 是一款具有 8V 栅极电压的 150V GaNHEMT，属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品的低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸；即使在
2025-03-07 17:40:40847 
中科微电推出的N沟道MOSFET ZK150G05T，以150V耐压、51A连续电流、TO-252-2L薄型封装为核心标签，精准匹配3-8kW级中压场景的功率控制需求，其参数设计与应用表现，为理解中压小功率器件的适配性发展逻辑提供了典型样本。
2025-11-04 16:27:15483 
在功率半导体器件的迭代浪潮中，N沟槽MOS管凭借其优异的开关特性与电流控制能力，成为高功率电子系统的核心组成部分。当市场对器件的耐压等级、电流承载能力提出更高要求时，一款兼具150V高耐压、200A
2025-11-06 13:44:04202 
随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，龙腾半导体正式推出
2025-12-29 10:18:56672 
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