CGD推出高效环保GaN功率器件

近日，无晶圆厂环保科技半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）发布了一系列革命性的高能效氮化镓（GaN）功率器件，旨在推动电子器件向更环保的方向发展。

这款新型ICeGaN GaN功率IC采用了创新的芯片和封装设计，具备超低导通电阻（RDS(on)）的特点。其中，ICeGaN P2系列IC的RDS(on)更是低至25 mΩ，足以支持多kW功率应用，并在使用过程中展现出超高的效率。

这款GaN功率IC的推出，为数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用带来了显著的性能提升。其高效能不仅有助于减少能源消耗，还能有效减少热量产生，进一步提高了设备的可靠性和使用寿命。

作为一家无晶圆厂公司，CGD专注于氮化镓技术的研发和应用，致力于通过创新技术推动电子产业的绿色发展。此次推出的高效环保GaN功率器件，正是CGD在环保科技领域取得的又一重要成果。