美格纳半导体公司宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MXT MV MOSFET,代表美格纳极限沟槽中压MOSFET,是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。
在大功率设备中,能源效率对于降低功耗和确保稳定性至关重要。利用美格纳尖端的沟槽式MOSFET技术,这些新发布的第8代150V MXT MV MOSFET(MDES15N056PTRH,MDU150V113PTVRH)被创造出来。特别是,与上一代产品相比,MDES15N056PTRH的RDS(导通)(MOSFET的漏极和源极之间的电阻值)比上一代降低了22%,从而显著提高了应用的能效。
与早期版本相比,MDES15N056PTRH和MDU150N113PTVRH的品质因数(FOM:RDS(on) x Qg)分别提高了23%和39%。这是通过增强核心单元和端接的设计来实现的。此外,D2PAK-7L (TO-263-7L) 和 PDFN56 等表面贴装型封装的使用减小了 MOSFET 的尺寸,从而实现了各种应用的灵活设计。这些应用的一些示例包括电机控制器、电池管理系统 (BMS)、家用太阳能逆变器和工业电源。
继去年推出五款采用新封装的第八代 200V 和 150V MOSFET 以及两款新的 150V MXT MV MOSFET 产品之后,美格纳现已推出另外两款 150V MXT MV MOSFET 产品。据该公司称,美格纳将继续扩大其高效MXT MOSFET产品组合,其中很快将包括采用180nm微细加工技术的新版本。
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