创毅推40纳米TD-LTE芯片WarpDrive5000

　　9月29日消息，近日，创毅正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工艺 WarpDrive 5000芯片。该款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模，采用40纳米工艺，兼容3GPP LTE 标准 (Release-9)，采用超低功耗设计，支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换，支持CAT4速率等级，下行高达150Mbps，值得一提的是该款产品是全球第一款支持先进的双流波束赋形TM8传输技术的芯片。

　　早在2007 年创毅就启动了TD-LTE 终端基带芯片研发项目。2010 年4 月创毅成功推出全球首枚TD-LTE 终端芯片与终端数据卡，并服务于2010 年上海世博会。2011年5月创毅入选由工信部组织的“6+1”城市TD-LTE 规模技术试验网测试及建设，并在广州，杭州，厦门，南京，深圳，与多家系统厂商展开测试。同时在GCF认证测试中与罗德，安奈特等国际厂商取得业内领先的技术成果，并在深圳大运会中配合系统厂商成功展开4G业务演示。

　　目前创毅视讯已经三次流片成功TD-LTE芯片，并通过中移动研究院及工信部电信研究院的各项测试，成为国内LTE芯片厂商的领跑者。

　　随着商用化进程的加速，TD-LTE得到国际上广泛支持，将在印度，日本，俄罗斯，沙特等国家顺利开展，目前全球已有超过200家运营商明确了LTE商用战略，今年年底之前，将有73个LTE网络进入商用/试商用阶段，LTE终端种类也已达到100款之多，涵盖数据卡、平板电脑,智能手机等。