集创北方联合发布首颗自研RRAM AMOLED显示驱动芯片

集创北方携手清华及新忆科技推出首颗自研RRAM AMOLED显示驱动芯片

近日，集创北方携手清华大学集成电路学院团队与新忆科技共同推出首颗采用自研RRAM新型存储技术的AMOLED显示驱动芯片（DDIC）“集忆智显”系列首款芯片R100，这也是集创北方首次在AMOLED显示驱动芯片中应用RRAM技术。该成果同时得到了中芯国际、北方集成电路创新中心、维信诺等企业在技术研发与产品验证方面的鼎力支持，现已通过多轮可靠性测试，满足大规模量产要求。

AMOLED显示屏在使用过程中有可能出现亮度不均匀的情况（mura现象），通过内置Demura SRAM（静态随机存取存储器）+内置OTP（一次性可编程存储器）+外置flash闪存的架构设计，将Demura补偿数据由内向外传输烧录，以解决AMOLED面板的mura现象。但是这种传统方案存在数据写入速度慢，产线效率低，生产成本高等劣势。

RRAM（Resistive Random Access Memory，阻变存储器）通过技术升级，有效的解决了上述问题。RRAM替代了芯片内部的Demura SRAM和OTP，也无需再外置闪存，做到了“三位一体”的功能。采用RRAM技术不但可以将原来SRAM的面积缩小了40%，有效降低芯片成本，还可提升数据存储容量，增加Demura补偿精细度，从而实现优化面板视效，提升模组良率，降低模组成本。

除此之外，该技术减少了Demura补偿算法数据在各存储器之间的传输步骤，直接“原地”读取，省去了Demura数据从DDIC搬运到flash的时间，缩短了近50%烧录（Demura数据录入芯片）时间，提高了芯片生产的效率。

AMOLED显示驱动芯片的系统架构对比图

结合RRAM存储技术，“集忆智显”R100相对于传统方案做出了全面升级。芯片支持最高 1320×2900 分辨率的 OLED 面板驱动，集成 LTPO3.0 动态变频技术，可实现 1-144Hz 无缝帧率切换，在保障流畅视觉体验的同时精准控制功耗。

在显示画质优化方面，R100集成了 Demura 补偿、Deburin、R/N等专业算法，配合 13bit dbv 高精度亮度调节，实现从细腻灰阶到高亮场景的全维度画质提升。针对折叠屏设备的特殊需求，芯片支持级联驱动方案，完美适配旗舰手机及折叠屏机型的复杂显示架构，以低功耗高性能的技术特性，全面满足高端终端对显示驱动的严苛要求。

此次融合RRAM存储技术的AMOLED显示驱动芯片成功开发验证，标志着集创北方在AMOLED显示领域取得了进一步的突破，这也是产业链上下游协同创新与智慧碰撞的结晶。未来，相信通过RRAM存储技术与集创北方全显示控制产品的深度融合，将能在更多显示领域攻坚克难，研发创造出优质的产品。

新忆科技简介

新忆科技成立于2018年，孵化自清华大学新型存储器团队，致力于RRAM新型存储技术和存算一体技术的研发，是一家拥有核心技术和自主研发能力的创新型高科技企业。公司已推出产品包括嵌入式RRAM IP和独立式RRAM芯片，产品已经批量出货应用于手机屏幕，摄像头，蓝牙，无线耳机，助听器等领域。

清华大学新型存储器团队简介

清华大学集成电路学院新型存储器研究团队深耕RRAM存储与存算一体领域，开展了从材料、器件、工艺、电路到架构、芯片、算法、应用的跨层次协同创新研究，研制了国际首款多阵列RRAM存算一体系统和国际首款支持片上学习的RRAM存算一体芯片，在Nature、Science、ISSCC、IEDM等顶级期刊和国际会议上发表论文200余篇。