近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19
558 服务范围横向科研技术⽀持和服务、轨道交通、核电、装备领域板卡失效分析、可靠性寿命试验方案及可靠性提升方案开发与执行。检测项目基于寿命特征分析的板卡寿命及剩余寿命研究：l 板卡X-ray
2024-03-15 17:27:02
服务内容横向科研技术支持和服务、高铁装备、零部件失效分析、可靠性试验方案及可靠性提升方案开发与执行、装备及系统健康管理技术方案开发及软硬件平台搭建。服务范围● 车体部件：侧窗、底部大部件、连接件等
2024-03-15 16:46:27
本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07187 
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 的开关电源设计，能够高效地将输入的220V交流电压稳定地转换为12V直流输出电压，提供500mA的大电流输出。这种设计不仅保证了电源的稳定性和可靠性，同时也有效降低了能源损耗，节省了电能。
除了高效率
2024-03-12 14:25:14
蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 近日，瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN™）已被台达电子（Delta Electronics, Inc.，以下简称
2024-03-12 10:42:46123 3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
电子发烧友网站提供《半导体可靠性手册.pdf》资料免费下载
2024-03-04 09:35:44
0 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
。在便携储能中，IGBT不仅确保了电能的有效转换，还有助于提高整体系统的效率和可靠性。随着新能源的发展，IGBT的需求也在不断增长，显示出其在能源转换和管理领域的重要性。
2024-02-04 00:09:003569 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02364 封装可靠性最重要的可靠性测试，也是进行器件寿命模型建立和寿命评估的根本。服务范围车规级功率器件模块及基于分立器件的等效特殊设计产品。检测标准● DINENISO/
2024-01-29 22:46:02
、H3TRB、HTRB、HTGB、高压蒸煮（Autoclave）试验服务，设备能力完全覆盖以SiC为第三代半导体器件的可靠性试验能力。服务背景AEC-Q101对对各类半导体
2024-01-29 21:35:04
标准。安森美(onsemi)作为一家半导体供应商，为高要求的应用提供能在恶劣环境下运行的产品，且这些产品达到了高品质和高可靠性。之前我们分享了如何对IGBT进行可靠性测试，今天我们来介绍如何通过可靠性审核程序确保IGBT的产品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 
在当今的半导体市场，公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。而这两者是相互关联的，可靠性体现为在产品预期寿命内的长期质量表现。任何制造商要想维续经营，必须确保产品达到或超过基本的质量标准和可靠性
2024-01-17 09:56:32448 
近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770 
产品的质量取决于其是否可以充分满足指定的标准及特性；而半导体产品的可靠性，是指在一定时间内无故障运行，从而提高客户满意度和复购率的能力。以此为前提，失效是指在产品使用过程中发生的故障，而缺陷是指在产品制造或检
2024-01-13 10:24:17711 
来源：半导体芯科技SiSC 功率半导体是电子产业链中最核心的器件之一，能够实现电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆流及整流等作用。后道封装是保证器件可靠性
2024-01-12 17:00:06673 
功率半导体是一类特殊的半导体器件，具有高电压、大电流和高温等特点，广泛应用于电力电子、电力系统、新能源等领域。本文将对功率半导体的原理和功能进行详细介绍。 功率半导体的工作原理 功率半导体的工作原理
2024-01-09 16:22:11380 
什么是电光转换效率电光转换效率是衡量半导体激光器和半导体光放大器SOA芯片性能的一个重要指标，简单概括讲就是指将电能转换为光能的能量转换效率。η=P光/P电=(Pout-Pin)/IF*VFPout
2023-12-27 18:18:16456 
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
Pout：输出光功率(注意：对半导体光放大器SOA来说，如果ASE噪声光功率不大，就取总输出光功率，如果ASE噪声大，取激光输出光功率) Pin：输入光功率 IF：前向电流 VF：前向电压 电光转换效率通常用百分比来代表。例如，一个光器件的电光转换效率为20%，代表该光芯片20%的电能
2023-12-21 13:24:04196 
半导体可靠性测试主要是为了评估半导体器件在实际使用过程中的可靠性和稳定性。这些测试项目包括多种测试方法和技术，以确保产品的性能、质量和可靠性满足设计规格和用户需求。下面是关于半导体可靠性测试的详细
2023-12-20 17:09:04696 Pout：输出光功率(注意：对半导体光放大器SOA来说，如果ASE噪声光功率不大，就取总输出光功率，如果ASE噪声大，取激光输出光功率) Pin：输入光功率 IF：前向电流 VF：前向电压 电光转换效率通常用百分比来代表。例如，一个光器件的电光转换效率为20%，代表该光芯片20%的电能
2023-12-20 16:47:32177 
电子发烧友网站提供《瑞纳斯半导体可靠性报告.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:22:001 产品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩGaNHEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK045G检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS）,当VDS达到其最低值时开启功率
2023-12-16 12:01:21224 
功率半导体冷知识：IGBT短路结温和次数
2023-12-15 09:54:25311 
新半导体技术将提升功率转换效率
2023-12-15 09:18:51165 
功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率电子材料和器件研发基本与国际同步，GaN功率器件迈向更广的应用领域，更全电压等级，从当前100V/650V拓展到30V~1200V，可靠性升级实现从消费到工业、车规的跨越。
2023-12-05 11:38:30383 
新的宽带隙半导体技术提高了功率转换效率
2023-11-30 18:00:18212 
。
CW32A030C8T7通过AEC-Q100车规可靠性测试
作为武汉芯源半导体首款车规级MCU产品，CW32A030C8T7产品顺利通过AEC-Q100（Grade2）车规级可靠性测试，符合车用电
2023-11-30 15:47:01
SiC FET神应用，在各种领域提高功率转换效率
2023-11-30 09:46:11151 
，应尽量简化设计，简化电路和结构设计，使每个部件都成为最简设计。当今世界流行的模块化设计方法是提高设备可靠性的有效措施。块功能相对单一，系统由模块组成，可以减少设计的复杂性，将设计标准化、规范化
2023-11-22 06:29:05
。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器
2023-11-21 08:14:06255 
2023新能源电子可靠性与功率半导体技术大会将在上海盛大举办。大会聚焦新能源汽车、光储能、电力电子、充电桩等就新能源电子可靠性设计、电磁兼容、第三代功率半导体、新能源汽车电驱电控、光伏逆变器、电源
2023-11-13 15:30:39244 
可靠性测试是半导体器件测试的一项重要测试内容，确保半导体器件的性能和稳定性，保证其在各类环境长时间工作下的稳定性。半导体可靠性测试项目众多，测试方法多样，常见的有高低温测试、热阻测试、机械冲击测试、引线键合强度测试等。
2023-11-09 15:57:52744 
共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用
2023-11-03 11:40:49644 
机械温控开关的可靠性有多少？我看温控开关的体积很小，价格便宜，可以用于一些温度控制方面，不过可靠性有多少呢？
2023-10-31 06:37:26
系统更好，更高效地运行。 交流功率流 静态同步补偿器 （STATCOM）使用现代电力电子设备来控制通过交流（AC）传输网络的功率流，从而提高电网的稳定性和可靠性。该器件有时被称为静态同步调振器 （STATCON），充当分流器，为电流通过电路创建一条低电
2023-10-25 16:07:19311 
SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
。
功率半导体器件作为电能转换、驱动、控制等电力电子装置的基础和核心，是推动电力电子系统转换效率、功率密度、体积重量等方面优化的关键因素之一。
下面以特斯拉来看看功率半导体IGBT的分布，下图
2023-10-16 11:00:14
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
通过PLC组态软件提高系统可靠性的几项措施
2023-09-25 06:26:12
龙腾半导体建有功率器件可靠性与应用实验中心，专注于产品设计验证、参数检测、可靠性验证、失效分析及应用评估，公司参考半导体行业可靠性试验条件和抽样原则，制定产品可靠性规范并依此对产品进行完整可靠性验证。
2023-09-20 16:29:21808 
硬件IIC与软件IIC在使用上的区别，对产品可靠性与效率的影响
2023-09-20 07:53:05
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 介绍了一种以小型PLC为控制核心的大功率半导体激光治疗仪。该治疗仪采用单管激光器光纤耦合技术设计了波长为808rim、输出功率30W 的激光器模块，采用恒流充电技术设计了高效激光器驱动电路，整机具有散热好、低功耗和高可靠性等优点。
2023-09-19 08:23:52
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 走进龙腾实验室 功率器件可靠性试验测试项目系列专题（一） 可靠性实验室介绍 龙腾半导体建有功率器件可靠性与应用实验中心，专注于产品设计验证、参数检测、可靠性验证、失效分析及应用评估，公司
2023-09-12 10:23:45698 
快设计周期提高设计安全性和可靠性，确保产品效率。·自动化：为工厂自动化和家居楼宇自动化提供节能环保高效的解决方案。
▌方案演示·边缘人工及电机控制智能解决方案·智能工厂解决方案·200W无线充电
2023-09-11 15:43:36
意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
随着全球新能源的发展，功率半导体行业正在快速发展。IGBT功率模块在封装焊接时有着低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生产等需求
2023-09-01 15:06:571677 
设计用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达650V。
特性
•650V无芯变压器隔离驱动器IC
•轨到轨输出
•保护功能
•浮动高侧驱动
•双通道欠压锁定
•3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
IGBT功率模块失效的主要原因是温度过高导致的热应力，良好的热管理对于IGBT功率模块稳定性和可靠性极为重要。新能源汽车电机控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度随着对新能源汽车性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906 
，减少人力资源消耗，为半导体行业降本增效。Novator系列全自动影像仪创新推出的飞拍测量、图像拼接、环光独立升降、图像匹配、无接触3D扫描成像等功能，多方面满足客户测量需求，解决各行业尺寸测量难题。
2023-08-21 13:38:06
栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用（如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等）的效率和可靠性。
2023-08-14 09:34:51326 功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532 电子发烧友网站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:09:541 650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035043 
在半导体器件中，常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。 在大多数情况下，加速测试不改变故障的物理特性，但会转移观察时间。 加速条件和正常使用条件之间的转移称为“降额”。那么半导体可靠性测试有哪些？让凯智通小编告诉你~
2023-07-13 14:47:182537 
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 器件，因为其产量不断在增加、可靠性得到认证和价格持续下降。
此时，氮化镓技术不再是一个“科学项目”，而是在15 V~650 V的应用中广泛替代硅MOSFET器件。
结论
当今的氮化镓技术在性能、可靠性
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
IGBT技术在功率密度、工作频率、损耗控制等方面不断创新。新一代IGBT产品在提高开关速度、降低开关损耗、增强耐压能力等方面取得了显著进展，提高了系统效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919 单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
功率晶体管与标准门极驱动器兼容，方便集成到现有系统中。 优秀的性能：具备出色的功率损耗特性，显著降低能量损失，提高系统效率。 无需自由轮二极管：由于650V GaN功率晶体管的特性，无需额外添加自由轮二极管，简化了系统设计。 低开关损耗：采用先进的GaN技术，650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:34686 33A－1997 半导体分立器件总规范
GJB 63B－2001 有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范
GJB 65B－1999 有可靠性指标的电磁继电器总规范
GJB 597A－1996 半导体集成电路总
2023-06-08 09:17:22
非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300 半导体激光器一般具有质量轻、调制效率高、体积小等特点，在民用、医疗等领域应用比较广泛。大功率半导体激光器的研究从20世纪80年代开始，从未停止，随着半导体技术与激光技术的不断发展，大功率也半导体激光器在功率输出、功率转换、可靠性等方面取得了比较大的进步。
2023-05-24 07:03:15656 
2023 年 5 月 19 日，中国 ——意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR
2023-05-22 17:08:11563 
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产
2023-05-18 16:34:23463 。 其他设计技巧包括：考虑在柔性电路上逐层错开走线，以提供更高水平的灵活性。导体应始终垂直于弯曲半径布线，以提高可靠性和灵活性。终端区域应使用加劲肋进行加劲。屏蔽应使用交叉阴影线而不是实心平面。通孔应
2023-04-21 15:52:50
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 失效率是可靠性最重要的评价标准，所以研究IGBT的失效模式和机理对提高IGBT的可靠性有指导作用。
2023-04-20 10:27:041117 
）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
评估，以改善动态特性和可靠性，并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率半导体器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV级SiC MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18
PCB设计中的可靠性有哪些？ 实践证明，即使电路原理图设计正确，如果PCB设计不当，也会对电子设备的可靠性产生不利的影响。举个简单的例子，如果PCB两条细平行线靠得很近的话，则会造成信号波形
2023-04-10 16:03:54
半导体元器件在高温环境下的可靠性是制造商和用户十分关注的问题。高温试验是一种常用的测试方法，通过模拟实际使用中的高温环境，可以评估元器件在高温下的性能和可靠性。高温试验需要仔细设计实验方案，包括选择
2023-04-07 10:21:03765 
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
。 因此，硬件可靠性设计在保证元器件可靠性的基础上，既要考虑单一控制单元的可靠性设计，更要考虑整个控制系统的可靠性设计。
2023-03-27 17:01:30685 RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 IGBT模块作为汽车电驱系统最常昂贵的开关元件。IGBT同时具有功率MOSFET导通功率小及开关速度快的性能，以及双极型晶体管饱和压降低（导通电阻小）高电压和大电流处理能力的半导体元件
2023-03-23 16:01:54
电子发烧友App
工商网监
评论