Nexperia （安世半导体）推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率

IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia 的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用（如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等）的效率和可靠性。

设计人员可以在中速(M3)和高速(H3)系列IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提（找元器件现货上唯样商城）供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于逆变器，整流器及双向变换电路应用，在过流条件下更加稳健。

Nexperia绝缘栅双极晶体管和模块业务部门总经理Ke Jiang博士表示：“Nexperia通过发布IGBT，为设计人员提供了更多的电源开关器件选择，以满足广泛的电源应用需求。IGBT是对Nexperia现有的CMOS和宽带隙开关器件系列产品的理想补充，Nexperia由此可为功率电子设计师提供一站式服务。”

这些IGBT采用无铅TO247-3L标准封装，并通过严苛的HV-H3TRB质量标准，适合室外应用。Nexperia计划在本次产品发布后将推出1200 V IGBT系列器件。

审核编辑 黄宇