电子发烧友网报道（文/黄山明）作为第三代半导体材料核心，碳化硅（SiC）与其它半导体产品去库存的市场节奏截然不同。市场中高性能碳化硅仍然持续紧缺，并且随着新能源汽车的蓬勃发展，也带动着碳化硅市场热度
2023-07-07 01:15:00
943 圆盘的能量吸收范围高达 122,290J，允许圆盘组件具有数十兆焦耳的极高能量吸收额定值。 电气参数 EAK碳化硅磁盘应用来自雷电、电感或电容耦合的电源过电压。开关带感性负载的触点。变压器、电机
2024-03-08 08:37:49
预计该项目投资总额3.5亿元人民币，将引进碳化硅外延设备及辅助设备共计116套。其中包括一条具备24万片年产量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料产线。
2024-02-29 16:24:01216 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更高的温度和电压下工作，实现更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125 共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效
2024-02-21 18:24:15408 
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31336 2024年以来，包括广汽集团等4家企业均推出了基于碳化硅技术的汽车充电方案，意味着碳化硅有望在充电基础设施领域实现大规模应用
2024-01-29 16:53:252814 
晶片切割是半导体器件制造的关键步骤，切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本，同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料，在电子领域中具有重要地位。高质量碳化硅晶体
2024-01-23 09:42:20693 
碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14291 
碳化硅逆变器是一种基于碳化硅（SiC）半导体材料的功率电子设备，主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅逆变器具有许多优越性能，如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作温度
2024-01-10 13:55:54272 碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）器件封装与模块化是实现碳化硅器件性能和可靠性提升的关键步骤。
2024-01-09 10:18:27112 
SiC是碳化硅的缩写。它是一种由硅原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称，是一种用途广泛的材料。
2024-01-09 09:41:31195 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 的优势高频率：碳化硅材料的电子迁移率比硅高，使得碳化硅功率器件能够承受更高的开关频率。这有助于减小无源元件的尺寸，提高系统的整体效率。低损耗：碳化硅的导通电阻比硅低，使得碳化硅功率器件在导通状态下的损耗远低于硅器件。这有助于减小系统的散热需求，提高设备的能效。高效率：碳化硅
2024-01-06 14:15:03353 在当今快速发展的电力电子领域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中，碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29186 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括SBD（肖特基二极管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极性晶体管）等，主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
2023-12-27 10:08:56305 
碳化硅二极管的优点和局限性分析 碳化硅（SiC）二极管是一种新型半导体材料，在高频电源电子装置中得到了广泛应用。与传统的硅（Si）材料相比，碳化硅二极管具有许多优点和局限性。下面是对碳化硅二极管
2023-12-21 11:31:27408 电子元件，用于功率放大和开关应用。阻值测试是对此类元件进行电性能评估和质量控制的重要测试之一。本文将详细介绍碳化硅三极管阻值测试的方法和注意事项。 一、阻值测试的原理 碳化硅三极管的阻值是指在特定电流和电压条
2023-12-21 11:27:20318 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势，主要体现在以下几个方面：材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09285 碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性： 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03356 碳化硅陶瓷应用在光纤领域的优势有哪些？ 碳化硅陶瓷是一种具有广泛应用潜力的材料，特别是在光纤领域。以下是碳化硅陶瓷在光纤领域的优势。 1. 高温稳定性：碳化硅陶瓷具有出色的高温稳定性，能够在极端环境
2023-12-19 13:47:10154 碳化硅在温度传感器中的应用 碳化硅 (SiC) 是一种广泛应用于温度传感器中的材料。由于其出色的耐高温和抗腐蚀能力，碳化硅成为了各种工业和高温环境下的温度测量领域中的首选材料。在本文中，我们将讨论
2023-12-19 11:48:30206 随着科技的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20358 碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53605 
随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46240 碳化硅晶片薄化技术，碳化硅断裂韧性较低，在薄化过程中易开裂，导致碳化硅晶片的减薄非常困难。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现。
2023-12-12 12:29:24189 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33455 
碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更宽的禁带宽度，使其能够承受更大的电流和电压，同时实现更小尺寸的产品设计和更高的效率。
2023-12-11 11:48:24390 
碳化硅和igbt的区别 碳化硅（SiC）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用，但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍碳化硅
2023-12-08 11:35:531782 碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51739 碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23437 单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；
2023-12-05 15:26:53555 
碳化硅器件在UPS中的应用研究
2023-11-29 16:39:00239 
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26321 
本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48:06641 
前段时间，奥迪宣布年底生产碳化硅车型Q6 e-tron（，最近，奥迪又有1款碳化硅车型公布，同时Lucid也发布了最新的900V碳化硅车型。
2023-11-25 16:13:051423 目前汽车业仍结构性缺芯，比如，电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像碳化硅芯片项目投资建设期需18-24个月，去年有许多碳化硅项目的投资，要2025年才会释放产能，预计2025年碳化硅功率半导体的紧缺状况才会得到缓解。
2023-11-17 17:12:18664 碳化硅（SiC）技术比传统硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和其他技术更具优势，包括更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量以及更低的损耗，从而提高功率密度、可靠性和效率。本文将介绍碳化硅的发展趋势及其在储能系统（ESS）中的应用，以及Wolfspeed推出的碳化硅电源解决方案。
2023-11-17 10:10:29389 硅是半导体的传统材料，但其近亲碳化硅（SiC）最近已成为激烈的竞争对手。碳化硅的特性特别适合高温、高压应用。它提供了更高的效率，并扩展了功率密度和工作温度等领域的功能。
2023-11-10 09:36:59481 Nexperia与京瓷AVX合作为高频电源应用生产新型碳化硅(SiC)整流器模块
2023-11-02 09:27:26292 中游器件制造环节，不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。当然碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。
2023-10-27 12:45:361170 
在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
2023-10-27 09:35:57927 SiC 技术的先驱引领系统效率，高度关注可靠性和耐用性。近 20 年来， GeneSiC 开创了高性能， 坚固， 和可靠的碳化硅 （SiC） 用于汽车、工业和国防应用的功率器件.作为首批碳化硅器件
2023-10-25 16:32:01603 
业内人士预测，今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面，碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展，多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21965 MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02268 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半导体，用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
的临界击穿电场，有利于碳化硅器件实现更高的耐压；更高的饱和电子漂移速度，有利于实现更快的开关速度；3倍的热导率，有利于提高器件散热效率。因此，碳化硅器件具有高耐压、低导通阻抗、开关速度快及热导率高等特性
2023-10-07 10:12:26
碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件，具有高温、高频、高效等优点，被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571219 碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。
2023-09-27 14:49:05812 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。
2023-09-27 10:08:55300 
碳化硅又称金刚砂，是以石英砂、石油焦、木屑、食盐等为原料，经电阻炉高温冶炼而成。事实上，碳化硅在很久以前就被发现了。其特点是:化学性能稳定，导热系数高，热膨胀系数小，耐磨性好，硬度高（莫氏硬度等级
2023-09-22 15:11:04306 
碳化硅晶圆是晶体通过切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此，生产碳化硅晶圆的成本是同等级硅晶圆成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43162 随着新能源汽车市场的爆发，电动汽车已经成为碳化硅最大的下游应用市场，行业普遍预估，2027年车用碳化硅功率器件市场规模能达到60亿美元。
2023-09-11 11:52:50186 
碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02879 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32731 
随着新能源汽车的快速发展，碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---
2023-09-04 15:13:401134 
目前市场上出现的碳化硅半导体包括的类型相对较多，常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的碳化硅器件，单元结构和漂移区参杂以及厚度之间存在较为明显的差异。那么下文主要针对不同类型的碳化硅功率器件的相关内容进行分析。
2023-08-31 14:14:22285 栅双极晶体管）和碳化硅器件所使用的半导体材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的则是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半导体材料，具有一定的电性能和可靠性，但是它的热稳定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的热稳定性非常好，具有更高的耐温性能，能够承受更高的工作温度和电压。
2023-08-25 14:50:049031 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221041 当前，全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势，碳化硅材料七成以上来自美国公司，欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链，日本则在碳化硅芯片、模块和应用开发方面占据领先优势。
2023-08-15 10:07:41260 
来源：TechSugar 碳化硅器件正处于起飞之时。 编辑：感知芯视界 相对于硅材料，碳化硅具有诸多优势，这也让它在越来越多领域得到广泛应用，并逐渐有取代之势。 电动车和新能源推动碳化硅需求增
2023-08-14 12:27:01468 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08468 随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:49853 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。
2023-08-03 14:34:59347 
输入电压：1000V,输出12V/2A
要把此电源做成反激电源，用碳化硅MOS来驱动的话，请问去驱动IC用哪个？要怎么处理？有专门的IC吗？
2023-07-31 17:36:47
碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451092 罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展，一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，
2023-07-10 10:49:09712 
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
，这一块也是金航标产品的研发方向。萨科微slkoric（www.slkoric.com）半导体研发的igbt、碳化硅场效应管、ldo电源管理芯片，也广泛应用于逆变器、电池管理等场合，和金航标的信号连接器一起使用！
2023-06-25 11:24:21
碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一种非金属陶瓷材料，具有高温、耐腐蚀、抗氧化、热稳定性好等优良性能。它由碳素和硅素两种元素组成，碳化硅由结构单元SiC构成，每个SiC结构单元都由一个硅原子
2023-06-05 12:48:351971 碳化硅肖特基二极管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一种高性能半导体器件，具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点，广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。
2023-06-04 16:09:002089 MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此，碳化硅MOSFET可以被广泛应用于能源转换、交流/直流电源转换、汽车和航空航天等领域。
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅mosfet有哪些主要参数 碳化硅MOSFET相关的主要参数包括： 1. 阈值电压（Vth）- 这是MOSFET开启的电压。随着Vth的增加，MOSFET的开关速度会变慢。 2. 导通电
2023-06-02 14:09:032008 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅SiC MOSFET的阈值电压稳定性相对Si材料来讲，是比较差的，对应用端的影响也很大。
2023-05-30 16:06:181170 
关注，随着市场对电动汽车长续航、高压电气架构、快充等需求，碳化硅正在电动汽车上加速普及。 近几年可以看到国内多家厂商，包括整车厂、功率器件厂商等都在陆续推出车规级碳化硅功率模块产品，同时也有国内厂商推出车
2023-05-29 18:09:521941 
碳化硅 （SiC） 是一种成熟的器件技术，在 900 V 至 1，200 V 以上的高压、高开关频率应用中，与硅 （Si） 技术（包括硅超结 （SJ） 和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） ）相比具有
2023-05-24 09:27:40610 
首先，让我们简要介绍一下碳化硅到底是什么，以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物质。事实上，碳化物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途，以至于今天，我们合成了用于碳化硅功率产品的硬质合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅（SiC）技术推动多种应用和功率系统的设计创新。与硅（Si）相比，SiC 凭借更快的开关速度、在温度范围内平稳的导通电阻 RDS(on) 和更优的体二极管性能，展现出更佳的功率密度和效率。
2023-05-20 15:55:29988 
本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-05-17 14:39:041221 
碳化硅衬底 产业链核心材料，制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:483426 
碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用主要有以下几个方面。
2023-04-27 14:05:52635 意法半导体（ST）宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起，采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-04-23 09:58:27712 
按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372436 点击蓝字 关注我们 本文来源：中国电子报 在能源电子产业加速发展的背景下，全球光伏装机量持续攀升，为碳化硅带来可观的市场增量。Yole研报预计，应用于光伏发电及储能的碳化硅市场规模将在2025年达到
2023-04-20 07:15:07582 
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 来源：碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201219 
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于
2023-04-06 16:19:011295 
在半导体材料领域，碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中，碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性，其耐高频耐高温的性能，是同等硅器件耐压的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节，已成为兵家必争之地。
2023-03-23 10:30:041284
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
评论