碳化硅在半导体行业里有什么作用呢？

碳化硅又称金刚砂，是以石英砂、石油焦、木屑、食盐等为原料，经电阻炉高温冶炼而成。事实上，碳化硅在很久以前就被发现了。其特点是:化学性能稳定，导热系数高，热膨胀系数小，耐磨性好，硬度高（莫氏硬度等级为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级）），导热性能优良，高温抗氧化性强。由于碳化硅的天然含量较低，它主要是人造的。
碳化硅半导体产业链主要包括碳化硅高纯粉体、单晶衬底、外延片、功率器件、模块封装和终端应用等。

1. 碳化硅高纯粉末
高纯碳化硅粉末是PVT法生长碳化硅单晶体所需原料。其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量和电性能。碳化硅粉末的合成方法有很多种，主要有固相法、液相法和气相法。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法。液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法.气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法。
2.单晶衬底
单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长衬底。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，这也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点。是产业链中技术密集、资金密集的环节。目前SiC单晶的生长方法有物理气相输运法（PVT法）、液相法（LPE法）、高温化学气相沉积法（HTCVD法）等。
3. 外延片
碳化硅外延片是指在碳化硅衬底上生长出具有一定要求、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅芯片。目前，在碳化硅单晶衬底上制备SiC薄膜的方法主要有化学气相沉积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、分子束外延法等。

碳化硅

4. 功率器件
KeepTops研发的碳化硅材料制成宽禁带功率器件具有耐高温、高频、高效率等特点。
5. 模块进行封装
目前处于量产阶段的相关功率器件的封装类型基本上都采用硅功率器件。模块封装可以优化碳化硅功率器件在使用过程中的性能和可靠性，并能灵活地将功率器件与不同的应用解决方案结合起来。
6. 终端应用程序
在第三代半导体应用中，碳化硅半导体的优势在于与氮化镓半导体互补。由于SiC器件具有转换效率高、发热量低、重量轻等优点，下游行业对SiC器件的需求不断增加，有取代Siq器件的趋势。

审核编辑 黄宇