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电子发烧友网>模拟技术>关于对碳化硅误解的描述

关于对碳化硅误解的描述

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碳化硅是如何制造的?碳化硅的优势和应用

碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

碳化硅的性能和应用场景

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221042

igbt和碳化硅区别是什么?

igbt和碳化硅区别是什么?  IGBT和碳化硅都是半导体器件,它们之间的区别主要体现在以下几个方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘
2023-08-25 14:50:049049

奥迪宣布又增2款碳化硅SiC车型

前段时间,奥迪宣布年底生产碳化硅车型Q6 e-tron(,最近,奥迪又有1款碳化硅车型公布,同时Lucid也发布了最新的900V碳化硅车型。
2023-11-25 16:13:051423

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优点和应用

碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅和氮化镓哪个好

碳化硅和氮化镓的区别  碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种常见的宽禁带半导体材料,在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料,但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51742

碳化硅和igbt的区别

碳化硅和igbt的区别  碳化硅(SiC)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用,但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍碳化硅
2023-12-08 11:35:531791

碳化硅的5大优势

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅在温度传感器中的应用

碳化硅在温度传感器中的应用  碳化硅 (SiC) 是一种广泛应用于温度传感器中的材料。由于其出色的耐高温和抗腐蚀能力,碳化硅成为了各种工业和高温环境下的温度测量领域中的首选材料。在本文中,我们将讨论
2023-12-19 11:48:30207

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅逆变器是什么 功能介绍

碳化硅逆变器是一种基于碳化硅(SiC)半导体材料的功率电子设备,主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比,碳化硅逆变器具有许多优越性能,如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作温度
2024-01-10 13:55:54272

碳化硅特色工艺模块简介

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能,碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294

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