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四款新型多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件。进一步扩展射频(RF)解决方案范围,适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波 X-波段相控阵应用。...
氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(2DEG)。2DEG用于在电场作用下,高效地传导电子。2DEG具有高导电性,部分原因是由于电子被困在界面处的非常细小的区域,从而将电子的迁移率从未施...
具体而言,SiC 近年来在很多领域都有应用,比如工业领域。对于 GAN 来说,可使用场景非常广泛。SiC 产品在高功率市场中有着很好的应用,例如 IGBT 这些产品都有着很好的使用,应用领域在不断增长中,其主要动力来自汽车行业...
在这种情况下,氮化镓因其卓越的射频性能而成为5G mMIMO无线电的领先大功率射频功率放大器技术。然而,目前的实现方式成本过高。与硅基技术相比,氮化镓生长在昂贵的III/V族SiC晶圆上,采用昂贵的光刻技术,生产成本特别高。最初尝试在硅晶圆上生长氮化镓,但由于性能不佳和不具有成本优势,没有被市场采纳...
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中,由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上,可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。...
Buck converter 的输入电流一定小于输出电流,因为在能量守恒的前提下,电压降低,电流就会变大,而由于交换式电源的转换效率不可能达到 100%,所以实际上的输入电流会比 208.3 mA 还要大。...
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作,具有极低的开关损耗和高频工作能力,减小模块的体积和重量,显著提高系统的效率,有利于节能降耗,广泛应用于风光发电、光伏逆变、UPS储能、新能源...
碳化硅二极管具有较短的恢复時间、溫度针对电源开关个人行为的危害较小、规范操作温度范畴为-55℃到175℃,那样更平稳,还大幅度降低热管散热器的要求。碳化硅二极管的关键优点取决于它具有极快的电源开关速率且无反向恢复电流量,与硅元器件对比,它可以大幅度降低开关损耗并完成非凡的能耗等级。...
温度补偿功能就是要将温度对蓄电池的影响减至最小,但绝不是说有了充电电压的调节系数,蓄电池就可以在任意环境温度下使用。因为,温度补偿功能只是补偿蓄电池在不同温度情况下的化学反应活性。...
由于碳化硅材料的带隙很宽(4H型碳化硅在室温下约为3.26eV),碳化硅器件能够在很高的温度下工作而不至于因为本征载流子激发导致器件性能失效。碳化硅材料在发生雪崩击穿前所能够忍受的极限电场是硅材料和砷化镓(GaAs)的5~20倍12。这一高极限电场可以用来制造高压、大功率器件。...
从以往2170电池的脉冲激光器点焊,到目前4680电池线或激光点阵,激光焊接工艺提升,可能会从原来的脉冲激光器变为连续激光器,整体造价增加...
由于锂离子电池的内部结构原因,放电时锂离子不能全部移向正极,必须保留一部分锂离子在负极,以保证在下次充电时锂离子能够畅通地嵌入通道。...
通过使用开关稳压器,可以有效减少电路发热以节约能耗。此外,开关稳压器有助于减小散热器尺寸,从而可以制作出更紧凑的电路以及发热量更少的电源电路。...
首先从效率上说,DC/DC的效率普遍要远高于LDO,这是其工作原理决定的。其次,DC/DC有Boost,Buck,Boost/Buck,(有人把ChargePump也归为此类);而LDO只有降压型。...