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• SiC碳化硅的基本概念、制备方法、应用领域和发展趋势

  碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的物理、化学和电学性能，在高温、高频、高压等恶劣环境下具有很高的稳定性和可靠性。本文将对SiC碳化硅的基本概念、制备方法、应用领域和技术发展趋势进行简要介绍。...

  5528次阅读 · 0评论 MOSFET半导体SiC碳化硅

• 在Virtuoso中认识PMOS管和NMOS管

  具体的在版图设计中PMOS管和NMOS管是什么样子的，我们来看看吧...

  14004次阅读 · 0评论 反相器CMOS晶体管VirtuosoNMOS管PMOS管
  

• 碳化硅的发展趋势及其在储能系统（ESS）中的应用介绍

  与传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和其他技术相比，碳化硅（SiC）技术具有更多优势...

  1487次阅读 · 0评论 电动汽车IGBT晶体管储能系统碳化硅

• SAR ADC的基本原理是什么？

  逐次逼近，顾名思义，多次转换和Bit计算中，A/D数字码输出逐渐逼近输入值。其算法核心就是“二分搜索（Binary Search）”，该算法能够高效快速的接近目标值。...

  1897次阅读 · 0评论 寄存器adc比较器模数转换器LSBSAR ADC
  

• 关于二极管，你了解多少？

  二极管是很常见的电子元器件，有两个极，即阴极和阳极，二极管具有单向导电性，电流只能从阳极流向阴极，电压反向时二极管截止。...

  1760次阅读 · 0评论 二极管电源输出漏电流载流子
  

• 什么是截止、饱和、放大？一文读懂三极管特性曲线

  当发射结小于开启电压，集电结反偏，此时Ib和Ic几乎都为零，集电结反向偏置再强也没用，此时Ube太小，发射区不能发送电子到基区，或者发送很少电子到基区，也就是不能形成明显集电极电流。...

  16453次阅读 · 0评论 三极管电阻器状态机共射放大电路偏置电压
  

• 氮化镓功率器就是电容吗 氮化镓功率器件的优缺点

  氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。...

  1126次阅读 · 0评论 导通电阻功率器件氮化镓半导体器件功率芯片

• 如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

  在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。...

  1672次阅读 · 0评论 MOSFETIGBT寄生电容栅极驱动器碳化硅
  

• 碳化硅为什么如此火爆呢

  随着新能源汽车市场的爆发，电动汽车已经成为碳化硅最大的下游应用市场，行业普遍预估，2027年车用碳化硅功率器件市场规模能达到60亿美元。...

  937次阅读 · 0评论 逆变器功率器件SiC碳化硅
  

• IGBT的应用领域及现状分析

  近年来，新型功率开关器件IGBT(图1)已逐渐被人们所认识，IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件(图2)，IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写形式，是绝缘栅双极型晶体管。与以前的各种电力电...

  5538次阅读 · 0评论 三极管新能源汽车IGBT功率半导体
  

• SiC-MOSFET与IGBT的区别是什么

  相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。...

  5354次阅读 · 0评论 MOSFET元器件导通电阻IGBT碳化硅
  

• 什么是达林顿对管？达林顿对管的特性

  早期的硅晶体管共发射极电流增益 β 值很低，而且不同样品的 β 值变化很大。对于良好的硅生长结晶体管样品，β 的范围可能在 5 到 15 之间。鉴于这些有源元件的缺点，电子电路工程师在设计电路中犯了难，主要表现在电路不稳定，或者电路放大倍数偏差比较大。...

  4550次阅读 · 0评论 集成电路电流晶体管达林顿
  

• IGBT的结构和应用

  虽然有些人可能将 IGBT 视为“传统”技术，但它在高功率应用中仍然发挥着重要作用。...

  2018次阅读 · 0评论 半导体IGBTSiCGaN碳化硅
  

• 如何采用碳化硅设计高效可再生能源系统呢？

  太阳能逆变器和储能系统应用以及其他可再生能源系统正在促使能源网络实现现代化，以提高其韧性，满足全球能源需求并减少总体碳排放量。...

  559次阅读 · 0评论 二极管MOSFETPCB布局碳化硅太阳能逆变器

• 运算放大器和电压比较器的基本原理

  运算放大器和电压比较器在原理符号上确实是一样的，都有5个引脚，其中两个引脚为电源+和电源-，还有两个引脚为同相输入端（+）和反向输入端（-），最后一个引脚是输出端。...

  1738次阅读 · 0评论 原理图运算放大器电压比较器引脚
  

• 差分放大器和运算放大器的区别

  差分放大器和运算放大器都是常见的电子元件，它们在电路中扮演着不同的角色。本文将介绍差分放大器和运算放大器的区别。...

  7118次阅读 · 0评论 运算放大器电子元件差分放大器输入端口

• 晶闸管的基本结构、工作原理及应用

  晶闸管（Thyristor）是一种具有四层结构的半导体器件，也被称为可控硅。它由两个PN结、一个门极和一个控制极组成，具有四层结构。晶闸管的工作原理是利用门极信号对控制极施加不同的电压，从而控制晶闸管的导通角度，实现对电流的控制。...

  8878次阅读 · 0评论 半导体可控硅晶闸管电动机PN结

• 二极管和三极管的区别

  二极管和三极管是两种常见的半导体器件，它们在电子电路中都有着广泛的应用。尽管它们都属于半导体器件，但它们之间存在着一些显著的区别。本文将详细介绍二极管和三极管的区别。...

  13823次阅读 · 0评论 三极管二极管半导体PN结

• 可控硅和场效应管的区别

  可控硅（Thyristor，缩写为SCR）和场效应管（Field Effect Transistor，缩写为FET）是两种常见的半导体器件，它们在电子电路中有着广泛的应用。尽管它们都属于半导体器件，但它们之间存在着一些显著的区别。本文将详细介绍可控硅和场效应管的区别。...

  5801次阅读 · 0评论 半导体场效应管可控硅FET

• 超结MOSFET在照明电源领域的应用分析

  LED（Lighting Emitting Diode）照明是一种使用发光二极管的照明技术，它是一种半导体固态发光器件。LED利用固态半导体芯片作为发光材料，当半导体中的载流子发生复合时，会释放出过剩的能量，从而导致光子的发射。这些光子直接产生红、黄、蓝和绿色的光。基于三基色原理，通过添加荧光粉，L...

  1364次阅读 · 0评论 led二极管MOSFET发光二极管照明电源
  
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